Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Емкость при обратном смещении
|
|
Ширина и барьерная емкость электронно-дырочного перехода
Емкость при обратном смещении
Если к п/п прикладывается внешняя разность потенциалов Uвнеш, то в зависимости величины приложенного поля к обратно смещенному p-n переходу происходит уменьшение или увеличение объемных зарядов у его границ обусловленных неподвижными ионами доноров и акцепторов (рис. 5.1).
!! Барьерную емкость образуют ионы доноров и акцепторов
Рис. 5.1 Образование пространственного заряда при обратно смещенном p-n переходе
Обратно смещенный плоский p-n переход, ведет себя подобно электрической емкости. Эта емкость, называемая барьерной емкостью, и определяется, как емкость обычного плоского конденсатора.
Заряды, обусловливающие барьерную емкость Cб, сосредоточены в двух тонких слоях плоского p-n перехода, расположенных на расстоянии D один от другого, что очень напоминает поверхностные заряды на металлических обкладках конденсатора.
С = eoe S/D (5.1)
где eo = 8, 85.10-12ф/м - абсолютная диэлектрическая проницаемость;
e - относительная диэлектрическая проницаемость;
S - площадь перехода.
Величина барьерной емкости
— Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта.
— Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы).
— SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание.
SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Зарегистрироваться и Начать продвижение
Cбар = dQ/dV (5.2)
где dQ – изменение заряда;
dV – изменение разности потенциалов на нем.
Разность потенциалов на переходе
V = (fk + Uвнеш) (5.3)
Заряды на “обкладках“ (рис. 5.1) p-n перехода (на единичной площади перехода, S=1)
Q+ = qNд(xo - x”)
Q- = qNа(x’- xo) (5.4)
Решая систему 5.4 относительно D с учетом 5.2, 5, 3 и V=fk, получим оценочную величину ширины p-n перехода в равновесном состоянии
D = ((e eofk /q)(1/Na+1/Nд))0.5 (5.5)
можно показать, что в неравновесном состоянии и обратно смещенном p-n переходе
D = k1 /(fk + Uвнеш)0.5 (5.6)
Барьерная емкость с учетом 5.1 и 5.6
Сбар = eoe S/D = k2 /(fk + Uвнеш)0.5 (5.7)
k1, k2 коэффициенты
выводы: 1) D ~ 1/Na; 1/Nд; Nд, Na – концентрации доноров и акцепторов
2) Сбар ~ f(Uвнеш); релинейная зависимость
|
|