![]() Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
P-n-переход в равновесном состоянии
Если к р-n полупроводнику не приложено внешнее напряжение (которое создает поле в объеме полупроводника), то имеет место равновесное состояние p-n-перехода.
При отсутствии внешнего напряжения движение электрических зарядов через p-n переход носит характер диффузииосновных носителей заряда из одной области проводимости в другую где они становятся неосновными носителями и через определенное время рекомбинируют с основными носителями.
В результате диффузии и рекомбинации носителей заряда нарушается электрическая нейтральность примыкающих к металлургическому контакту частей монокристалла полупроводника.
В р -области вблизи металлургического контакта после диффузии из нее дырок остаются неподвижные отрицательно заряженные ионы акцепторов, а в n -области — неподвижные положительно заряженные ионы доноров. Образуется область пространственного заряда, состоящая из двух разноименно заряженных слоев ионов примеси решетки.
Эти заряды создают в области р-n перехода электрическое поле, направленное от n -области к р -области. Это поле, обозначаемое как Е дифф или Е зап (диффузионное или запирающее), направлено таким образом, что препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда.
Рис. 4.5 Равновесное состояние p-n перехода
Между п и р областями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов (Uконт), или говорят, что в области p-n перехода образуется потенциальный барьер (Df), аp-n переход называют запирающим слоем. При этомпотенциал n -области положителен по отношению к потенциалу р -области, Пример: Dx - ширина запирающего слоя (0, 1 - 1 мкм), UKGe= 0, 36В; UKSi= 0, 8В.
Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через р-n переход, и приводит к образованию потенциального барьера. Забиваем Сайты В ТОП КУВАЛДОЙ - Уникальные возможности от SeoHammer
Каждая ссылка анализируется по трем пакетам оценки: SEO, Трафик и SMM.
SeoHammer делает продвижение сайта прозрачным и простым занятием.
Ссылки, вечные ссылки, статьи, упоминания, пресс-релизы - используйте по максимуму потенциал SeoHammer для продвижения вашего сайта.
Что умеет делать SeoHammer
— Продвижение в один клик, интеллектуальный подбор запросов, покупка самых лучших ссылок с высокой степенью качества у лучших бирж ссылок. — Регулярная проверка качества ссылок по более чем 100 показателям и ежедневный пересчет показателей качества проекта. — Все известные форматы ссылок: арендные ссылки, вечные ссылки, публикации (упоминания, мнения, отзывы, статьи, пресс-релизы). — SeoHammer покажет, где рост или падение, а также запросы, на которые нужно обратить внимание. SeoHammer еще предоставляет технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Зарегистрироваться и Начать продвижение
Потенциальный барьер вызывает дрейф неосновных носителей заряда (дырок из n-области в р-область и электронов, соответственно, из р-области в n-область), т.е. через р-n переход беспрепятственно проходят неосновные носители заряда, для которых поле p-n перехода является ускоряющим.
В результате дрейфа неосновных носителей заряда возникает дрейфовый ток, встречный по направлению диффузионному току. !!! При отсутствии внешнего электрического поля результирующий ток через p-n переход в равновесном состоянии отсутствует.
Iдифф n - Iдр n + Iдифф p - Iдр p = 0 (4.11) Поэтому Iдифф = Iдр (4.12)
Рис. 4.6 Токи через p-n переход (основных и неосновных носителей)
|