Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Как продвинуть сайт на первые места?
    Вы создали или только планируете создать свой сайт, но не знаете, как продвигать? Продвижение сайта – это не просто процесс, а целый комплекс мероприятий, направленных на увеличение его посещаемости и повышение его позиций в поисковых системах.
    Ускорение продвижения
    Если вам трудно попасть на первые места в поиске самостоятельно, попробуйте технологию Буст, она ускоряет продвижение в десятки раз, а первые результаты появляются уже в течение первых 7 дней. Если ни один запрос у вас не продвинется в Топ10 за месяц, то в SeoHammer за бустер вернут деньги.
    Начать продвижение сайта
  • P-n-переход в равновесном состоянии






     

    Если к р-n полупроводнику не приложено внешнее напряжение (которое создает поле в объеме полупроводника), то имеет место равновесное состояние p-n-перехода.

     

    При отсутствии внешнего напряжения движение электрических зарядов через p-n переход носит характер диффузииосновных носителей заряда из одной области проводимости в дру­гую где они становятся неосновными носителями и через определенное время рекомбинируют с основными носителями.

     

    В результате диффузии и рекомбинации носителей заряда нарушается электрическая нейтральность примыкающих к металлургическому контакту частей монокристалла полупро­водника.

     

    В р -области вблизи металлургического контакта после диффузии из нее дырок остаются неподвижные отрицательно заряженные ионы акцепторов, а в n -области — неподвижные положительно заряженные ионы доноров.

    Образуется область пространственного заряда, состоящая из двух разноименно за­ряженных слоев ионов примеси решетки.

     

    Эти заряды создают в области р-n перехода электрическое поле, направленное от n -области к р -области. Это поле, обозначаемое как Е дифф или Е зап (диффузионное или запирающее), направлено таким образом, что препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда.

     

     

     

    Рис. 4.5 Равновесное состояние p-n перехода

     

    Между п и р областями при этом существует разность потенциалов, назы­ваемая контактной разностью потенциалов (Uконт), или говорят, что в области p-n перехода образуется потенциальный барьер (Df), аp-n переход называют запирающим слоем.

    При этомпотенциал n -области положителен по отношению к потенциалу р -области,

    Пример: Dx - ширина запирающего слоя (0, 1 - 1 мкм), UKGe= 0, 36В; UKSi= 0, 8В.

     

    Диффузия электронов и дырок создает диффузионный ток через р-n переход, и приводит к образованию потенциального барьера.

     

    Потенциальный барьер вызывает дрейф неосновных носителей заряда (дырок из n-области в р-область и электронов, соответст­венно, из р-области в n-область), т.е. через р-n переход беспрепятственно проходят неосновные но­сители заряда, для которых поле p-n перехода является ускоряющим.

     

    В результате дрейфа неосновных носителей заряда возникает дрейфовый ток, встречный по направлению диффузионному току.

    !!! При отсутствии внешнего электрического поля результирующий ток через p-n переход в равновесном состоянии отсутствует.

     

    Iдифф n - Iдр n + Iдифф p - Iдр p = 0 (4.11)

    Поэтому Iдифф = Iдр (4.12)

     

     

    Рис. 4.6 Токи через p-n переход (основных и неосновных носителей)






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.