Студопедия

Главная страница Случайная страница

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Кеуекті кремнийдің қасиеті мен қолданылуы




КІРІСПЕ

 

 

Қазіргі заманда қызметті электрониканың негізгі материалы болып aреcнид гaллиясы табылады, ол түріндегі барлық жартылай өткізгіш материалдардан өзінің электрофизикалық қасиеті бойынша ең әмбебап материал.

Кеуекті кремний жартылай өткізгіштердің физика химиялық қасиеті, бұрыннан аталған материалды интегралды микросұлба және жартылай өткізгішті аспаптардың технологиясыда қолданатын зерттеушілердің назарын аударды. Сонымен, қарапайым электрохимиялық өңдеумен алынған борпылдақ кремний, өткізгіш қабықшаларды құру үшін, сонымен қатар гетероэлитаксия үшін төсеме сапасында, «диэлектриктегі кремний» технологиясында кеңінен қолданылады[6]. Кеуекті кремний жартылай өткізгіштерге қызығушылық айтарлықтай кеуекті кремнийдің модификациясында интенсивті фотолюминесценцияны тапқаннан кейін айтарлықтай өсті – бастапқыда әлсіз сәулелі қабілеттілікті жартылай өткізгіштерге [7–10]. Кеуекті кремнийдің қасиеті және алу шарты аз зерттелген болып қалады. Әдебиеттерде тек, оны электрохимиялық өңдеу әдісімен алу мүмкіндігі туралы куәлік ететін үзілмелі мәліметтер ғана кездеседі [11–13].


 

Кеуекті кремний микро және наноэлектрониканың перспективті материалы ретінде

Кеуекті кремнийдің қасиеті мен қолданылуы

 

 

Кеуекті кремний – жартылай өткізгішті аспаптардың жаңа түрлерін дайындауда, өзінің қасиетімен кеңінен қолданысқа ие болған, перспективті жартылай өткізгішті материалдардың бірі.

Кеуекті кремний кейбір электроды қасиеті кремнийдің қасиетінен шығады. Кеуекті кремнийдегі заряд тасымалдаушылар, 250 ГГц-ке дейінгі жиіліктерде жұмыс жасауға мүмкіндік беретін, жоғары қозғалтқыштығына ие. Сонымен қатар кеуекті кремний негізіндегі аспаптар, сондай операциялық жиілік кезіндегі кремнийлі аспапқа қарағанда, аз шуды генерациялайды. Si қарағандағы кеуекті кремнийдегі саңылаудың біршама жоғары кернеуінен осы аспаптар біршама үлкен қуатта жұмыс жасай алады. Осы қасиеттер кеуекті кремнийді ұялы телефондарда, қатты денелі лазерде, кейбір радарлық жүйелерде кең қолданысқа ие болдырды. Кеуекті кремний негізіндегі жартылай өткізгішті аспаптар, кремнийліге қарағанда, біршама жоғары радиациялық орнықтылыққа ие, оны радиациялық сәулелену болуы кезінде негіздейді (мысалы, космостық техникадағы күн батареяларында).



Негізгі қолданысқа ие:

1) жоғары салыстырмалы кернеумен жартылай оқшаулаушы (ЖО) кеуекті кремний (107 Oм cм). Дискертті микроэлектронды аспаптарды және жоғары жиілікті интегралды сұлбаларды (ИC) дайындау кезінде қолданылады. Жоғары салыстырмалы кедергіден бөлек, жоғары жиілікті аспаптардың өндірісінде қолданылатын легірленбеген кеуекті кремний монокристаллдары (әсіресе ионды имплантация технологиясын пайдаланулы) алынған құймалардың ұзындығы бойынша және көлденең қималарда қасиеттерінің таралуының жоғары макро- және микроскопиялық және заряд тасымалдаушылардың жоғары қозғалғыштығына ие болуы керек;

2) n-типтегі легірленген кремниймен GaAs дислокацияның төмен тығыздыздықты өткізгіштігі. Жарық диодтары және лазерлерді дайындау кезінде қолданылады. Күшті легірленген кремниймен ( ) кеуекті кремний монокристалдар, жоғары қозғалтқыштықтан бөлек, жеткілікті кристаллды құрылымға ие болуы керек. Олар фотокатодтарды, фотодиодтарды және жарық диодтарды, инжекциялық лазерлерді дайындау үшін қолданылады, СВЧ-тербеліс генераторлары үшін тамаша материал болып табылады, кремнийліге қарағанда біршама жоғары температура кезінде және германийліге қарағанда біршама жоғары жиіліктерде жұмыс істеуге қабілетті туннельді диодтарды дайындау үшін пайдаланылады;



3) кеуекті кремнийдің мoнoкриcтaллдарын легірлеген хорммен инфрақызыл оптикада пайдаланады;

4) мырышпен немесе теллурмен легірленген кеуекті кремний монокристаллдарын, оптоэлектронды аспаптарда қолданады.

 


mylektsii.ru - Мои Лекции - 2015-2019 год. (0.005 сек.)Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав Пожаловаться на материал