Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






  • Сервис онлайн-записи на собственном Telegram-боте
    Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое расписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
    Для новых пользователей первый месяц бесплатно.
    Чат-бот для мастеров и специалистов, который упрощает ведение записей:
    Сам записывает клиентов и напоминает им о визите;
    Персонализирует скидки, чаевые, кэшбэк и предоплаты;
    Увеличивает доходимость и помогает больше зарабатывать;
    Начать пользоваться сервисом
  • Полупроводниковые материалы. Собственные полупроводники – полупроводники, не содержащие донорных и акцепторных примесей.






     

    Собственные полупроводники – полупроводники, не содержащие донорных и акцепторных примесей.

    В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы:

    ; (7)

     

    где NC и NV – эффективные концентрации электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно:

    ; (8)

    ; (9)

    WC, WV – уровни дна зоны проводимости и потолка валентной зоны соответственно.

    WF – уровень Ферми полупроводника (энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна Ѕ).

    эффективная масса электронов в зоне проводимости полупроводника.

    эффективная масса дырок в валентной зоне полупроводника.

    постоянная Планка.

    постоянная Больцмана.

    DW0 – ширина запрещенной зоны полупроводника.

     

    Произведение концентраций – величина постоянная для данного полупроводника:

    , (10)

    где ni – концентрация собственных носителей в полупроводнике;

    Условие электронейтральности для единичного объема:

     

    р+NД=n+NА, (11)

     

    где слева – положительный заряд дырок и ионизированных доноров NД, а справа – отрицательный заряд электронов и ионизированных акцепторов NА.

    Для электронных полупроводников, не содержащих акцепторов:

    n=NД+р (12)

    Для дырочных полупроводников, не содержащих доноров:

    р=NА+n. (13)

    Плотность электронной и дырочной составляющей тока в полупроводниковом материале, во внешнем электрическом поле Е:

    ; (14)

    ; (15)

    где gn и gp – удельные электронная и дырочная проводимости полупроводника.

    ; (16)

    ; (17)

    где mn и mp – подвижность электронов и дырок соответственно.

    ; (18)

    ; (19)

    где Vn и Vp – средние скорости носителей в полупроводнике.

    Соотношение Эйнштейна:

    ; (20)

    ; (21)

    где Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно.

    ; (22)

    ; (23)

    где Ln и Lp – диффузионная длина носителей; tn и tp – время жизни носителей.

    Суммарная плотность тока в полупроводнике:

    ; (24)

    - удельная проводимость полупроводника.

    ; (25)

    Для собственного полупроводника, где ni = pi:

    ; (26)

    Для электронного полупроводника где n> > p:

    gn=enmn. (27)

    Для дырочного полупроводника где р> > n

    gp=epmp. (28)

     

    Основные параметры полупроводников.

    Параметр Ge Si GaAs InSb
    Атомный вес 72, 6 28, 1    
    Диэлектрическая проницаемость (отн. Ед.), e        
    Эффективная масса электронов (отн. ед.), mn 0, 22 0, 33 0, 07 0, 013
    Эффективная масса дырок (отн. ед.), mp 0, 39 0, 55 0, 5 0, 6
    Ширина запрещенной зоны, эВ, DWO 0, 67 1, 11 1, 40 0, 18
    Эффективная плотность состояний Nс, см-3 1, 0'1019 2, 8'1019    
    Эффективная плотность состояний NV, см-3 0, 61'1019 1, 0'1019    
    Подвижность электронов, mn, см2/сек.       до 65000
    Подвижность дырок mр, см2/сек.        
    Собственная концентрация ni, см-3, Т=3000 К. 2, 5'1013 ~2'1010 ~1, 5'106  
    Коэффициент диффузии электронов Dn, см2/сек.       до 1750
    Коэффициент диффузии дырок Dp, см2/сек.     ~12  

     






    © 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
    Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
    Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.