Схема для экспериментальных исследований полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

💸 Как сделать бизнес проще, а карман толще?

Тот, кто работает в сфере услуг, знает — без ведения записи клиентов никуда. Мало того, что нужно видеть свое раписание, но и напоминать клиентам о визитах тоже. Проблема в том, что средняя цена по рынку за такой сервис — 800 руб/мес или почти 15 000 руб за год. И это минимальный функционал. Нашли самый бюджетный и оптимальный вариант: сервис VisitTime.
⚡️ Для новых пользователей первый месяц бесплатно. А далее 290 руб/мес, это в 3 раза дешевле аналогов. За эту цену доступен весь функционал: напоминание о визитах, чаевые, предоплаты, общение с клиентами, переносы записей и так далее.
✅ Уйма гибких настроек, которые помогут вам зарабатывать больше и забыть про чувство «что-то мне нужно было сделать».
Сомневаетесь? нажмите на текст, запустите чат-бота и убедитесь во всем сами!

При экспериментальных исследованиях снимаются выходные и сток-затворные характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом. Причем лабораторная установка позволяет исследовать полевые транзисторы как с каналом p-типа, так и с каналом n-типа. На рис. 11 приведена схема для снятия характеристик полевого транзистора с каналом p-типа.

Рис. 11. Схема для снятия характеристик полевого транзистора

При снятии сток-затворной характеристики с помощью источника выходного напряжения устанавливается требуемое напряжение сток-исток и оно поддерживается постоянным, а от источника входного напряжения подается регулируемое постоянное напряжение, которое изменяется от нуля до напряжения отсечки. При снятии выходных характеристик с помощью источника входного напряжения устанавливаются требуемые постоянные напряжения затвор-исток, а от источника выходного напряжения подается изменяемое постоянное напряжение, которое регулируется от нуля до максимально допустимого напряжения сток-исток исследуемого полевого транзистора.

1. Определить по справочным данным тип канала исследуемого полевого транзистора с управляющим p-n переходом (смотри приложения 1-4, или [6-9]), зарисовать схему расположения его выводов и нарисовать схему экспериментального исследования, воспользовавшись примером, представленным на рис. 11.

2. Записать паспортные параметры исследуемого полевого транзистора, особо обратив внимание на предельно допустимые значения напряжений и токов.

3. Собрать разработанную схему для исследования полевого транзистора на лабораторном стенде, подключив все необходимые внешние измерительные приборы.

4. Снять семейство выходных характеристик I_С = f (U_СИ) при комнатной температуре для трех значений напряжения на затворе. Одно значение напряжения затвор-исток равно нулю, а два других значения напряжения затвор-исток необходимо выбрать на интервале от нуля до напряжения отсечки.

При снятии выходных характеристик необходимо задаваться напряжением на стоке от нуля до U_СИ = U_{СИ НОМ} и при этом отмечать значения тока стока, сводя их в заранее заготовленную таблицу.

5. Снять сток-затворную характеристику полевого транзистора
I_С = f (U_ЗИ) при постоянном напряжении на стоке равном U_СИ = U_{СИ НОМ}.

Для точного снятия сток-затворной характеристики необходимо сначала определить напряжения отсечки, для этого нужно выставить требуемое напряжение U_{СИ НОМ} от выходного источника, затем, плавно увеличивая напряжение U_ЗИ от входного источника, добиться прекращения тока через транзистор (I_С» 0).

Напряжение на затворе изменять от напряжения отсечки до
Это важно! нуля, причем до тока стока, равного I_С = 500 мкА, изменять
напряжение на затворе с шагом 0, 2 В, а далее - с шагом 0, 5 В.

6. Исследуемый полевой транзистор поместить в термостат, предварительно разогретый до температуры + (70 ¸ 75)°С, и через 5 минут повторить пункты 4, 5.

Таблица 1 – Пример оформления экспериментальных данных для полевого транзистора КП 103И

1. Определить по справочным данным тип канала исследуемого полевого транзистора с управляющим p-n переходом (смотри приложения1-4 или [6-9]), зарисовать схему расположения его выводов и нарисовать схему экспериментального исследования, воспользовавшись примером, представленном на рис. 11.

3. Вызвать компьютерную программу лабораторной работы, вызвать справочник программы (смотри описание компьютерной программы лабораторных работ по курсу «Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника»).

- исследуемый полевой транзистор с управляющим p-n переходом;

- регулируемые источники напряжения в необходимом диапазоне значений;

- миллиамперметры и вольтметры, диапазон измерения которых соответствует справочным данным;

4. Собрать разработанную схему для исследования полевого транзистора на лабораторном стенде, используя выбранные из справочника программы измерительные приборы, источники напряжения и транзистор.

5. Снять семейство выходных характеристик I_С = f (U_СИ) для трех значений напряжения на затворе. Одно значение напряжения затвор-исток равно нулю, а два других значения напряжения затвор-исток необходимо выбрать на интервале от нуля до напряжения отсечки.

6. Снять сток-затворную характеристику полевого транзистора
I_С = f (U_ЗИ) при постоянном напряжении на стоке равном U_СИ = U_{СИ НОМ}. Для точного снятия сток-затворной характеристики необходимо сначала определить напряжения отсечки, для этого нужно выставить требуемое напряжение U_{СИ НОМ} от выходного источника, затем, плавно увеличивая напряжение U_ЗИ от входного источника, добиться прекращения тока через транзистор (I_С» 0).

Напряжение на затворе изменять от напряжения отсечки до
Это важно! нуля, причем до тока стока, равного I_С = 500 мкА, изменять
напряжение на затворе с шагом не более 0, 2 В, а далее – с
шагом 0, 4¸ 0, 5 В.

7. Исследуемый транзистор поместить в термостат, предварительно разогретый до повышенной температуры, значение которой задается при получении лабораторного задания, и повторить пункты 5, 6.