Экстранормальная фонетика 51 страница

В кристаллах делокализованные электроны и дырки могут захватываться дефектами и примесями, практически неизбежными в кристаллич. решётке. Очень часто эти центры определяют окраску кристаллов (см. Центры окраски). Метод ЭПР позволяет по расположению неспаренных электронов определить природу и локализацию центров окраски. В полупроводниках удаётся наблюдать ЭПР, вызываемый электронами, связанными на донорах.

В металлах и полупроводниках наряду с циклотронным резонансом, обусловленным изменением орбитального движения электронов проводимости под действием переменного электрич. поля СВЧ, возможен ЭПР, связанный с изменением ориентации спинов электронов проводимости. Наблюдение ЭПР на электронах проводимости затруднительно, т. к.: 1) доля неспаренных электронов проводимости мала (~kT/& _F, где & _F - Ферми энергия); 2) из-за скин-эффекта глубина проникновения ектромагнитного поля в диапазоне СВЧ чрезвычайно мала (~ 10-³-10-⁶ см); 3) форма линии поглощения сильно искажена из-за скин-эффекта и диффузии электронов.

ЭПР наблюдается в растворах и стёклах, содержащих ионы переходных металлов. Это позволяет судить о заряде парамагнитных ионов, строении сольватных оболочек и т. п. Спектр ЭПР в газах (Ch, NO, МОг) сложнее, что связано со спино-орбитальным взаимодействием, вращат. движением молекул и влиянием ядерного спина.

Лит.: Альтшулер С. А., Козырев Б. М., Электронный парамагнитный резонанс соединений элементов промежуточных групп, 2 изд., М., 1972; А б р а г а м А., Б ли ни Б., Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, пер. с англ., т. 1 - 2, М., 1972 - 73; П е и к Д. Э., Парамагнитный резонанс, пер. с англ., М., 1965; Бальхаузен К., Введение в теорию поля лигандов, пер. с англ., М., 1964; Э т к и н с П., Саймоне М., Спектры ЭПР и строение неорганических радикалов, пер. с англ., М., 1970; И н г р а м Д., Электронный парамагнитный резонанс в свободных радикалах, пер. с англ., М., 1961; Ингрэм Д., Электронный парамагнитный резонанс в биологии, пер. с англ., М., 1972; Людвиг Дж., ВудбериГ., Электронный спиновой резонанс в полупроводниках, пер. с англ., М., 1964. В. Ф. Мещеряков.

ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРОЕКТОР, автоэлектронный микроскоп, безлинзовый электроннооптич. прибор для получения увеличенного в 10⁵-10⁶ раз изображения поверхности твёрдого тела. Э. п. был изобретён в 1936 нем. физиком Э. Мюллером. Осн. части Э. п.: катод в виде острия с радиусом кривизны кончика ~ 10-⁷-10-⁸ л; стеклянная сфе-рич. или конусообразная колба, дно к-рой покрыто слоем люминофора; и анод в виде проводящего слоя на стенках колбы или проволочного кольца, окружающего катод. При прогреве острия его кончик становится монокристаллическим и приобретает округлённую форму. Колба вакуумируется (остаточное давление ~ 10-⁹- 10-¹¹мм рт. ст.). Когда на анод подают положит, напряжение в неск. тыс. вольт относительно расположенного в центре колбы катода-острия, напряжённость электрического поля в непосредств. близости от кончика острия достигает 10⁷-10⁸ в/см. Это обеспечивает интенсивную автоэлектронную эмиссию (см. Туннельная эмиссия) с кончика катода. Электроны, ускоряясь в радиальных (относительно кончика) направлениях, бомбардируя экран и вызывая свечение люминофора, создают на экране увеличенное изображение поверхности катода, отражающее симметрию кристаллич. структуры острия (см. рис. 2 к ст. Ионный проектор). Увеличение в Э. п. равно отношению R/Bг, где R - расстояние катод - экран, г - радиус кривизны острия, Р - фактор, характеризующий отклонение формы эквипотенциальных поверхностей электрич. поля от сферической. Разрешающую способность Э. п. ограничивают наличие тангенциальных составляющих скоростей автоэлектронов у кончика острия и (в меньшей степени) явление дифракции электронов. Предел разрешения Э. п. составляет (2-3)*10-⁷ см.

Э. п. применяется для изучения автоэлектронной эмиссии металлов и полупроводников, определения работы выхода с разных граней монокристалла и пр. Для наблюдения фазовых переходов, изучения адсорбции атомов различных веществ на металлич. или полупроводниковой поверхности и т. д. Э. п. используют весьма ограниченно, т. к. намного большие возможности в этих отношениях даёт применение ионного проектора.

ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРОЖЕКТОР, см. в ст. Электронная пушка.

ЭЛЕКТРОННЫЙ ТЕЛЕСКОП, редко применяемое в астрономии назв. телескопа, в к-ром приёмником радиации служит прибор фотоэлектронного изображения, напр. электроннооптический преобразователь.

ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ (ЭУ), электронное устройство для усиления потока электронов на основе вторичной электронной эмиссии. ЭУ либо входит в состав нек-рых электровакуумных приборов (фотоэлектронных умножителей, электроннооптических преобразователей, ряда передающих телевиз. трубок - диссекторов, суперортиконов и др., а также приёмно-усилит. ламп) либо используется как самостоят, прибор - приёмник электромагнитного излучения (в диапазоне длин волн X 0, 1- 150 нм) или частиц (электронов с энергиями до неск. десятков кэв, ионов или нейтральных частиц с энергиями до неск. Мэв). Такие приёмники, обычно выполняемые с незащищённым (открытым) входным окном, наз. ЭУ открытого типа. Их используют в установках, работающих в условиях естеств. вакуума (при космич. исследованиях), и в высоковакуумных измерит, устройствах (сканирующих электронных микроскопах, манометрах, масс-спектрометрах).

Различают ЭУ след. осн. типов: умножит, системы на дискретных электродах - динодах; канальные ЭУ (КЭУ) на непрерывных динодах с распределённым сопротивлением; системы из множества параллельных КЭУ, выполненные на основе т. н. микроканальных плат (МКП). В 60-х гг. 20 в. разработаны вакуумно-полупроводниковые (" гибридные") ЭУ, в к-рых используется эффект размножения электронов в электронно-дырочных переходах при бомбардировке полупроводниковых кристаллов, содержащих такие переходы, электронами с энергиями, достаточными для образования в кристалле парных зарядов электрон - дырка. В ЭУ на дискретных динодах (см., напр., рис., т. 27, стр. 606, к ст. Фотоэлектронный умножитель) электроны, ускоренные и сфокусированные электро-статич. (иногда магнитостатич.) полем, ударяются о поверхность динодов, вызывая вторичную электронную эмиссию (коэфф. вторичной эмиссии о = 3-30). КЭУ (см. рис.) представляют собой трубку (канал) из стекла с высоким содержанием свинца либо из керамики - прямую или изогнутую. К трубке прикладывают напряжение в неск. кв, в результате в её полости возникает электростатич. поле. Под действием этого поля попавшие в канал электроны ускоряются и, соударяясь со стенками, вызывают вторичную электронную эмиссию (о = 2). Число актов размножения вторичных электронов и общий коэфф. усиления КЭУ зависят от напряжения, длины трубки, её внутр. диаметра (напр., при длине трубки 20-75 мм, внутр. диаметре 0, 5-1, 5 мм коэфф. усиления достигает 10^s у прямых КЭУ и 10⁷ у изогнутых). ЭУ на МКП представляет собой стеклянную пластину, пронизанную множеством (10⁴ - 10⁶) параллельных отверстий (каналов) диаметром 10-150 мкм, образующих сотовую структуру; коэфф. усиления 10⁴-10⁶.

Одно из специфич. требований, предъявляемых к ЭУ с открытым входом, - способность сохранять рабочие параметры при соприкосновении его эмиттирующих поверхностей с воздухом. Этому способствуют защитные свойства тонкой (2, 5-5 нм) окисной эмиссионной плёнки (ВеО, Аl₂О₃). Катод ЭУ с открытым входом (располагается во входной части) - обычно сплавной (СиВе, AgMgO). Эффективность катода оценивают числом эмиттируемых им электронов в расчёте на 100 квантов падающего электромагнитного излучения (квантовая эффективность) либо в расчёте на 1 бомбардирующую частицу (коэфф. вырывания). Квантовая эффективность для излучения с X = 70 нм составляет ок. 20 (спадая до 0, 1 при X = 200 нм), для мягкого рентгеновского излучения - примерно 1-5. Коэфф. вырывания, напр, для катодов на основе AgMgO, растёт с увеличением энергии ионов в диапазоне 2-10 кэв приблизительно от 1 до 5; при дальнейшем росте энергии наступает насыщение.

Лит.: Т ю т и к о в А. М., Электронные умножители открытого типа, " Успехи физических наук", 1970, т. 100, в. 3; Б е р к о в с к и й А. Г., Гаванин В. А., 3 а й д е л ь И. Н., Вакуумные фотоэлектронные приборы, М., 1976. В. А. Гаванин.

ЭЛЕКТРОННЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИН ЕДИНАЯ СИСТЕМА (ЕС ЭВМ), комплекс стационарных цифровых вычислительных машин третьего поколения (на интегральных микросхемах) с широким диапазоном производительности (от десятков тысяч до нескольких млн. операций в 1 сек). Разработка и серийное производство ЕС ЭВМ осуществлены совместно специалистами НРБ, ВНР, ГДР, ПНР, СССР и ЧССР.

Основные характеристики ЭВМ единой системы

Для ЕС ЭВМ характерны программная совместимость (возможность выполнения программы, составленной для одной модели ЕС ЭВМ, на др. моделях системы), расширенная номенклатура периферийных устройств и развитая система математического обеспечения. Программная совместимость достигается единством принципов построения всех ЭВМ, общей системой кодирования данных и единым составом инструкций; это позволяет иметь общую операц. систему и составлять программы, не ориентированные на конкретную ЭВМ системы. Аппаратные и программные средства обеспечивают работу ЭВМ в режимах мультипрограммном, пакетной обработки, реального масштаба времени, диалоговом, с разделением времени, а также в режиме " запрос - ответ".

Все ЭВМ единой системы построены по модульному принципу на основе стандартной системы связей между устройствами. Такое конструктивное решение обеспечивает однородность и преемственность технич. средств ЕС ЭВМ, позволяет создавать вычислит, системы различной конфигурации с изменением её в процессе эксплуатации, повышать производительность путём замены центр. процессора др. процессором из набора ЕС ЭВМ, расширять объём оперативной памяти и состав периферийных устройств,

ЕС ЭВМ постоянно совершенствуется и развивается; в 1977-78 в стадии разработки и освоения находятся ещё 6 ЭВМ: ЕС-1015, ЕС-1025, ЕС-1035, ЕС-1045, ЕС-1055, ЕС-1065.

Ядром каждой ЭВМ является процессор, состоящий из центр, устройства управления (ЦУУ), арифметико-логич. устройства (АЛУ) и оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) (конструктивно ОЗУ может либо входить в состав процессора либо представлять собой самостоятельное устройство). Процессоры имеют систему прерываний программы и позволяют осуществлять многопрограммную работу ЭВМ, а также совместную работу периферийных устройств. Обмен данными между процессором и периферийными устройствами производится через селекторные и мультиплексные каналы. Сопряжение устройств управления с каналами обеспечивается стандартной системой связей с унифицированными конструктивными и логич. элементами и стандартизованными сигналами.

В состав периферийного оборудования входят запоминающие устройства: на магнитных барабанах (ёмкостью 2 и 16 Мбайт), на постоянных (несменяемых) магнитных дисках (100 Мбайт), со сменными пакетами магнитных дисков (7, 25 и 29 Мбайт), на магнитных лентах (20- 40 Мбайт) и на магнитных картах (125 Мбайт); устройства ввода - вывода данных: на перфолентах (скорость ввода 1000 и 1500 строк в сек, вывода - 100, 150, 200 строк в сек), на перфокартах (ввод - 500, 1000, 1500, 2000 карт в мин, вывод- 100, 250 карт в мин); алфавитно-цифровые печатающие устройства (скорость печати 600, 900 и 1100 строк в мин), планшетные и рулонные графопостроители; устройства непосредств. связи человека-оператораГс ЭВМ (алфавитно-цифровые и графич. дисплеи, электрич. пишущие машины). Отдельную группу составляют устройства подготовки данных.

Для создания вычислит, систем коллективного пользования (см. Сеть вычислительных центров) в составе ЕС ЭВМ имеются средства телеобработки данных, в т. ч. аппаратура передачи данных (модемы, устройства защиты от ошибок, вызывные устройства), устройства сопряжения каналов с аппаратурой передачи данных, абонентские пункты (терминалы), оснащённые устройствами ввода - вывода информации и её отображения. Программное обеспечение ЕС ЭВМ реализуется в виде операц. систем, к-рые обеспечивают эффективное функционирование ЭВМ независимо от её конфигурации и характера решаемых задач, управляют прохождением заданий, повышают производительность ЭВМ за счёт реализации различных режимов её работы (напр., мультипрограммного), распределяют вычислит, ресурсы между выполняемыми программами, контролируют работу технич. средств. На основе ЕС ЭВМ можно создавать многопроцессорные и многомашинные комплексы для решения разнообразных задач в обл. организации, управления, планирования и учёта, обработки и анализа больших массивов информации, научных, технич. и инженерных расчётов и т. д.

Лит.: Шелихов А. А., Селиванов Ю. П., Вычислительные машины, М., 1973; Единая система ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1974; Система документации единой системы ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1975.

В. Н. Квасницкий.

ЭЛЕКТРОНОГРАФ, прибор для исследования атомного строения твёрдых тел и газовых молекул с помощью дифракции электронов (см. Электронография). Э.- вакуумный прибор, его схема аналогична схеме электронных микроскопов. В колонне, основном узле Э., электроны, испускаемые катодом - раскалённой вольфрамовой нитью, разгоняются высоким напряжением (20- 1000 кв - быстрые электроны и до 1 кв - медленные электроны). С помощью диафрагм и магнитных линз формируется узкий электронный пучок, к-рый направляется в камеру объектов на исследуемый образец, установленный на специальном столике. Рассеянные электроны попадают в фотокамеру и на фотопластинке (или экране) создаётся дифракционная картина (электронограмма), к-рую можно рассматривать как визуально, так и с помощью вмонтированного в Э. микроскопа. Э. снабжают различными устройствами для нагревания, охлаждения, испарения образца, для его деформации и т. д.

Э. включает в себя также вакуумную систему и блок электропитания, к-рый содержит источники накала катода, высокого напряжения, питания электромагнитных линз и различных устройств, расположенных в камере объектов. Питающее устройство обеспечивает изменение ускоряющего напряжения по ступеням (напр., в Э. " ЭР-100" 4 ступени: 25, 50, 75 и 100 кв). Разрешающая способность Э. составляет тысячные доли А и зависит от энергии электронов, сечения электронного пучка и расстояния от образца до экрана, к-рое в совр. Э. может изменяться в пределах 200-600 мм. В конструкции Э. предусмотрена система непосредств. регистрации интенсивности рассеянных электронов с помощью цилиндра Фарадея или вторичного электронного умножителя открытого типа.

В приборе, предназначенном для исследования дифракции медленных электронов, требуется поддерживать в колонне вакуум 10-⁸ -10^-9 мм рт. ст.

Лит.: К у ш н и р Ю. М., Алексеев Н. В., Л е в к и н Н. П., Современные электронографы, " Приборы и техника эксперимента", 1967, №1; Дворянкин В. Ф., Митягин А. Ю., Дифракция медленных электронов - метод исследования атомной структуры поверхностей, " Кристаллография", 1967, т. 12, в. 6. См. также лит. к ст. Электронография. Р. М. Имамов.

ЭЛЕКТРОНОГРАФИЯ (от электрон и ...графия), метод изучения структуры вещества, основанный на рассеянии ускоренных электронов исследуемым образцом. Применяется для изучения атомной структуры кристаллов, аморфных тел и жидкостей, молекул в газах и парах. Физ. основа Э.- дифракция электронов (см. Дифракция частиц); при прохождении через вещество электроны, обладающие волновыми свойствами (см. Кор-пускулярно-волновой дуализм), взаимодействуют с атомами, в результате чего образуются отдельные дифрагированные пучки. Интенсивности и пространственное распределение этих пучков находятся в строгом соответствии с атомной структурой образца, размерами и ориентацией отдельных кристалликов и др. структурными параметрами. Рассеяние электронов в веществе определяется электроста-тич. потенциалом атомов, максимумы к-рого в кристалле отвечают положениям атомных ядер.

Электрон ографич. исследования проводятся в спец. приборах - электронографах и электронных микроскопах; в условиях вакуума в них электроны ускоряются электрич. полем, фокусируются в узкий светосильный пучок, а образующиеся после прохождения через образец пучки либо фотографируются (электронограммы), либо регистрируются фотоэлектрич. устройством. В зависимости от величины электрич. напряжения, ускоряющего электроны, различают дифракцию быстрых электронов (напряжение от 30-50 кэв до 1000 кэв и более) и дифракцию медленных электронов (напряжение от неск. в до сотен в).

Э. принадлежит к дифракционным структурным методам (наряду с рентгеновским структурным анализом и нейтронографией) и обладает рядом особенностей. Благодаря несравнимо более сильному взаимодействию электронов с веществом, а также возможности создания светосильного пучка в электронографе, экспозиция для получения электронограмм обычно составляет ок. секунды, что позволяет исследовать структурные превращения, кристаллизацию и т. д. С др. стороны, сильное взаимодействие электронов с веществом ограничивает допустимую толщину просвечиваемых образцов десятыми долями мкм (при напряжении 1000-2000 кэв макс, толщина неск. ним).

Э. позволила изучать атомные структуры огромного числа веществ, существующих лишь в мелкокристаллич. состоянии. Она обладает также преимуществом перед рентгеновским структурным анализом в определении положения лёгких атомов в присутствии тяжёлых (методам нейтронографии доступны такие исследования, но лишь для кристаллов значительно больших размеров, чем для исследуемых в Э.).

Вид получаемых электронограмм зависит от характера исследуемых объектов. Электронограммы от плёнок, состоящих из кристалликов с достаточно точной взаимной ориентацией или тонких монокристаллич. пластинок, образованы точками или пятнами (рефлексами) с правильным взаимным расположением. При частичной ориентации кристалликов в плёнках по определённому закону (текстуры) получаются отражения в виде дуг (рис. 1). Электронограммы от образцов, состоящих из беспорядочно расположенных кристалликов, образованы аналогично дебаеграммам равномерно зачернёнными окружностями, а при съёмке на движущуюся фотопластинку (кинематич. съёмка) - параллельными линиями. Перечисл. типы электронограмм получаются в результате упругого, преимущественно однократного, рассеяния (без обмена энергией с кристаллом). При многократном неупругом рассеянии возникают вторичные дифракционные картины от дифрагированных пучков (рис. 2). Подобные электронограммы наз. кикучи-электронограммами (по имени получившего их впервые япон. физика). Электронограммы от молекул газа содержат небольшое число диффузных ореолов.

В основе определения элементарной ячейки кристаллич. структуры и её симметрии лежит измерение расположения рефлексов на электронограммах. Межплоскостное расстояние а в кристалле определяется из соотношения:

d = LЛlr,

где L - расстояние от рассеивающего образца до фотопластинки, Л - деорой-левская длина волны электрона, определяемая его энергией, r - расстояние от рефлекса до центрального пятна, создаваемого нерассеянными электронами. Методы расчёта атомной структуры кристаллов в Э. аналогичны применяемым в рентгеновском 'структурном анализе (изменяются лишь нек-рые коэффициенты). Измерение интенсивностей рефлексов позволяет определить структурные амплитуды |Ф_hkl|. Распределение электростатич. потенциала ф(x, у, z) кристалла представляется в виде ряда Фурье:
[ris]

(h, k, I - миллеровские индексы, О - объём элементарной ячейки). Макс, значения ф(x, у, z) соответствуют положениям атомов внутри элементарной ячейки кристалла (рис. 3). Т. о., расчёт значений ф(x, у, z), к-рый обычно осуществляется ЭВМ, позволяет установить координаты х, у, z атомов, расстояния между ними и т. п.

Методами Э. были определены мн. неизвестные атомные структуры, уточнены и дополнены рентгеноструктурные данные для большого числа веществ, в т. ч. мн. цепных и циклич. углеводородов, в к-рых впервые были локализованы атомы водорода, молекулы нитридов переходных металлов (Fe, Cr, Ni, W), обширный класс окислов ниобия, ванадия и тантала с локализацией атомов N и О соответственно, а также 2- и 3-компонентных полупроводниковых соединений, глинистых минералов и слоистых структур. При помощи Э. можно также изучать строение дефектных структур. В комплексе с электронной микроскопией Э. позволяет изучать степень совершенства структуры тонких кристаллич. плёнок, используемых в различных областях совр. техники. Для процессов эпитаксии существенным является контроль степени совершенства поверхности подложки до нанесения плёнок, к-рый выполняется с помощью кикучи-электронограмм: даже незначит. нарушения её структуры приводят к размытию кикучи-линий.

На электронограммах, получаемых от газов, нет чётких рефлексов (т. к. объект не обладает строго периодич. структурой) и их интерпретация осуществляется др. методами.

Интенсивность каждой точки этих электронограмм определяется как молекулой в целом, так и входящими в неё атомами. Для структурных исследований важна молекулярная составляющая, атомную же составляющую рассматривают как фон и измеряют отношение молекулярной интенсивности к общей интенсивности в каждой точке электронограммы. Эти данные позволяют определять структуры молекул с числом атомов до 10-20, а также характер их тепловых колебаний в широком интервале темп-р. Таким путём изучено строение мн. органич. молекул, структуры молекул галогенидов, окислов и др. соединений. Аналогичным методом проводят анализ атомной структуры ближнего порядка (см. Дальний порядок и ближний порядок) в аморфных телах, стёклах и жидкостях.

При использовании медленных электронов их дифракция сопровождается эффектом Оже и др. явлениями, возникающими вследствие сильного взаимодействия медленных электронов с атомами. Недостаточное развитие теории и сложность эксперимента затрудняют однозначную интерпретацию дифракционных картин. Применение этого метода целесообразно в сочетании с масс- и Ожеспектроскопией для исследования атомной структуры адсорбированных слоев, напр, газов, и поверхностей кристаллов на глубину неск. атомных слоев (на 10- 30 А). Эти исследования позволяют изучать явления адсорбции, самые начальные стадии кристаллизации и т. д.

Лит.: П и н с к е р 3. Г., Дифракция электронов, М.- Л., 1949; Вайнштейн Б. К., Структурная электронография, М., 1956; Звягин Б.Б., Электронография и структурная кристаллография глинистых минералов, М., 1964. 3. Г. Пинскер.

ЭЛЕКТРОНОГРАФИЯ МОЛЕКУЛ, изучение атомной структуры молекул методом электронографии. Э. м. в газах и парах, а также электронография молекулярных кристаллов, аморфных тел и жидкостей позволила получить новые и уточнить имеющиеся данные о строении молекул мн. хим. соединений.

ЭЛЕКТРОНОЖ (мед.), аппарат для операционных разрезов мягких тканей током высокой частоты или для коагуляции их с целью остановки кровотечения. Состоит из генератора токов высокой частоты и комплекта электродов (в виде прямых и изогнутых ножей, петель, пластин и др.). См. также Диатермокоагуляция, Элек трохирург ия.

ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ ЗДАНИЙ, совокупность электротехнич. устройств, устанавливаемых в зданиях и предназначаемых для электроснабжения систем водоснабжения, вентиляции, кондиционирования воздуха, искусств, освещения и др., а также для подвода лектроэнергии к бытовым электроприборам. К Э. з. относятся устройства внутр. электроснабжения, электроустановки инженерного оборудования, осветит, установки. Внутр. электроснабжение осуществляется вводно-распределит. устройствами (ВРУ) по внутр. электрич. сетям, имеет аппаратуру и приборы защиты, управления, коммутации и учёта расхода электроэнергии. ВРУ размещают в месте ввода в здание питающих линий преим. напряжением 380/220 в. На вводной части ВРУ обычно устанавливают трёхполюсные рубильники (или переключатели) и аппаратуру защиты. В состав распределит, части ВРУ входят устройства защиты отходящих от него питающих линий и приборы учёта расхода электроэнергии. Вертикальные части (стояки) питающих линий служат для разводки электроэнергии по этажам и квартирам через групповые линии питания электроприёмников. В жилых зданиях обычно имеются 3 групповые линии: общего освещения, штепсельных розеток на ток 6 а (для подключения бытовых электроприборов мощностью до 1, 3 квт) и штепсельных розеток с заземляющим контактом на ток 10 и 25 а (для питания приборов мощностью до 4 квт). Электроплиты подключают к 3-й групповой линии через дополнит, штепсельное соединение. Для питания электроустановок инж. оборудования и осветит, установок прокладывают отд. стояки, имеющие в начале линии автоматич. выключатели или плавкие предохранители.

Лит.: Электрические сети жилых здании, М., 1974; Справочная книга для проектирования электрического освещения, под ред. Г. М. Кнорринга, Л., 1976. Е. И. Афанасьева.

ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ ТРАНСПОРТНЫХ МАШИН, комплекс электрич. устройств для получения, распределения и использования электроэнергии. В качестве источников тока на трансп. машинах применяются гл. обр. аккумуляторные батареи и генераторы электромашинные. Номенклатура и число потребителей электроэнергии зависят от конструктивных особенностей и условий эксплуатации различных трансп. средств. Напр., на мотоциклах потребителями электроэнергии являются свечи зажигания и фары, на автомобилях, тракторах и т. п., кроме того, - стартеры, осветит., контрольно-измерит. и сигнальные приборы, аппараты и приборы, повышающие комфортабельность, и др. На подвижном составе жел. дорог источники электроэнергии используются для питания сигнальных устройств, систем освещения, приводов вентиляторов и компрессоров, а также вспомогат. и спец. оборудования (электронагреватели, пылесосы, радиоаппаратура, в спец. поездах- станки, электроинструмент) и т. д., на летат. аппаратах электроэнергию потребляют приборы и др. средства управления, системы пуска двигателей, освещения, сигнализации и др. На судах потребителями электроэнергии являются двигатели приводов грузовых кранов, брашпилей, насосов, вентиляторов, механизмов машинного отделения, приборы управления, связи и освещения, навигац. оборудование и т. д. Электрич. сеть, связывающая источники тока с потребителями электроэнергии, в нек-рых случаях (на судах) может составлять неск. сотен км кабелей и проводов, насчитывать неск. тысяч различных распределит, устройств (см. Электрический аппарат).