Эмиттерлік қайталағыштың кернеу бойынша күшейту коэффициенті қаншаға тең?

В) К_u£ 1;

U вх=5мВ, U вых=5В болғ анда кернеу бойынша кү шейту коэффициенті K u неге тең?

A) 60дб;

Uк₀ = 7В, Ек = 16В болғ анда коллектор тогы Iк₀ = 3мА болуы ү шін коллектор тізбегіне қ осатын резистор кедергісі мә нін табың дар.

А) 4, 3 кОм;

n-p ауысуының КЗО (кең істіктік заряд облысы)-ғ ы кө лемді зарядтың ө рісінің қ алыптасуы:

A) донор жә не акцептор қ оспаларының тең естірілмеген зарядтарымен

D)екі ә ртү рлі аттас зарядталғ ан қ абаттармен

E)тең естірілген кү ймен (мұ нда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы жә не тү йісу ө рісінің ә серінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұ л токтар бір-бірін тең естіреді).

n-p ауысуының КЗО (кең істіктік заряд облысы)-ғ ы ішкі электрлік ө рісі:

A)болмайды

D)КЗО қ ысқ арады, егер оң потенциал p-облысына қ осылғ ан болса, онда потенциалды барьер тө мендейді (тура ығ ысу)

E)КЗО қ ысқ арады, егер теріс потенциал n -облысына қ осылғ ан болса, онда потенциалды барьер тө мендейді (кері ығ ысу)

p-n ауысудың кері кернеуінің ө суі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылық тың ө згерісі:

D) сызық ты заң бойынша азаяды

E) азаяды

H)сол кернеудің модулі бойынша сә йкесінше азаяды

p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұ л:

B) I=I₀expU[/(ϕ T − 1)

D) Шоклиформуласы

p-n ауысудың мына ерекше қ асиеті туннельдік диодтың жұ мысында қ олданылады:

C) туннельдік тесілу

F) теріс дифференциалды кедергісі бар бө ліктің болуы

G)онда электрон қ озғ алысына кедергі болатын ө те тар потенциалды барьер болады, оның вольтамперлік сипаттамасы туннельдеудің квантомеханикалық процесімен анық талады

E)

H-параметрлерiнде єайñ û ñ û шығ ыс ө ткізгіштік болып табылады?

C) h₂₁;