Ортақ эмиттермен қосылған бір каскадты транзисторлық күшейткіштің базасы ішкі кіріс кедергісі формуласын көрсетіңдер.

А) r_кір = r_б + (1 + b)r_э;

Ө рнектелмеген р-жартылай ө ткізгіштің Ферми дең гейі мына жерде орналасады:

C) тыйым салынғ ан аймақ та, валенттік аймақ тың жоғ ары бө лігіне жақ ын

F) тыйым салынғ ан аймақ тан валенттік аймақ тың максималды мә ніне дейінгі аралық

G)ө ткізгіштік аймақ тан ө тіп, валенттік аймақ қ а жетеді

Ө рістік транзистордың тіктігінің анық тамасы:

C) S=

F) ө рістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторғ а қ арағ анда 1-2 ретке кем, сондық тан жү ктеменің аз кедергісі кезінде ө рістік транзистор каскадының кү шейту коэффициенті биполярлық транзистордағ ы осы секілді каскадтың кү шейту коэффициентінен аз
G)

Ө рістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы:

A) бірнеше МОм

F) биполярлық транзистордың кіріс кедергісінен ә лдеқ айда ү лкен

G) ү лкен, ө йткені қ ұ рылымда диэлектрик қ абаттары болады

Ө те дә л жоғ ары вольтты тізбектердің коммутациясыү шінқ олданылатын оптожұ п:

А)тиристорлық оптрон

D) симисторлық оптрон

F) динисторлық оптрон

Резисторлық оптронның шартты белгіленуі:

А)

E)

G)