Дифференциалдық күшейткіштегі синфазалық кернеу

D) кү шеймейді

G) кү шеймейді, ө йткені синфазалық сигнал бө геуіл балып саналады

H) кү шеймейді, ө йткені кірісте сигналдың кү шеюі жоқ

Дифференциалды кү шейткіштерді тізбектей қ осудың мақ саты:

B) қ ажетті кү шейту коэффициентін K_U алу

F) қ ажетті кү шейту коэффициентін K_I алу

G) қ ажетті кү шейту коэффициентін K_P алу

Дифференциалды кү шейткіштің синфазалық кернеуінің кү шейтілуі:

D) кү шейтпейді, дифференциалды кү шейткіш кіріс сигналдарының айырымын, ал синфазалық бірдей сигналдарды кү шейтеді

F) кү шейтпейді, ө йткені бұ л бө геуіл болып саналады

H) кү шейтпейді

Дифференциалдық кү шейткіштің жоғ ары кіріс кедергісі бар элементтік базасы:

D) қ ондырылғ ан арналы МДЖ – транзисторлары

F) индукцияланғ ан арналы МДЖ – транзисторлары

G) МДЖ – қ ұ рама транзисторлар

Дифференциалды кү шейткіштің параметрлері -

A) дифференциалдық сигналдарды кү шейтудің ү лкен коэффициенттері

B) синфазалық ө рістерді басатын жоғ ары дә реже

H) тұ рақ сыздандырғ ыш факторлардың ә серінен болатын сипаттамалардың тұ рақ тылығ ы

Диффузиялық ұ зындық:

A) диффузиялық қ озғ алыс кезіндегі бос жү рістің ұ зындығ ы

B) заряд тасымалдаушылардың концентрациясыдиффузиялық қ озғ алыс кезінде 5 есеге азаятын ара қ ашық тық

F) L = D.t.

Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұ ндай элементтің аталуы:

C) сызық ты

E)тура байланысты сипаттамасы бар элемент

H)сызық ты ВАС-ы бар элемент

Екі каскадты кү шейткіш каскад берілген. Бірінші каскадтың кү шейту коэффициенті К_u1 = 8, ал екінші каскадтың кү шейту коэффициенті К_u1 = 30, сонда кү шейткіштің жалпы кү шейту коэффициенті қ аншағ а тең?

Е) К_uж = 240;

Жартылай ө ткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың бағ ытталғ ан қ озғ алысының негізгі мү мкін болатын тү рлері -

A) диффузиялық жә не дрейфтік

G) заряд тасымалдаушылардың қ озғ алысы концентрация айырымына байланысты

H)заряд тасымалдаушылардың қ озғ алысы электрлік ө ріс кернеулігіне байланысты

Жартылай ө ткізгіштердің тыйым салынғ ан аймақ тың ені:

A) 3 эВ-тен аз, тыйым салынғ ан аймақ тың ені ~0.3 эВ-те аз жартылай ө ткізгіштер тар аймақ ты жартылай ө ткізгіштер деп аталады

B) 3 эВ-тен кө п, тыйым салынғ ан аймақ тың ені ~0.3 эВ-те кө п жартылай ө ткізгіштер кең аймақ ты жартылай ө ткізгіштер деп аталады

F) сипаттық мә ні0, 1—4 эВ қ ұ райды

Жартылай ө ткізгішті диодтың ВАС-на температураның ө суінің ә сері:

D) кері ток ө седі, ал тура ток азаяды

F) ә сер етеді, кө птеген диодтар ү шін температураның жоғ арылауынан тесілу аз кернеу кезде басталады

H) температураның жоғ арылауынан кері ток айтарлық тай ө седі, ал тура ток аса ө згермейді

Жартылай ө ткізгішті диодтың тө менде кө рсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:

B) ауысу арқ ылы кері ток мә нінің ө суі кезінде p-n ауысудағ ы кернеудің жылдам ө суі

D) ауысу арқ ылы кері кернеу мә нінің ө суі кезінде p-n ауысудағ ы токтың жылдам ө суі

F) осы диод мә ні ү шін қ ысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқ ылы кері токтың жылдам ө су қ ұ былысы

Жартылай ө ткізгішті стабилитрон – бұ л жартылай ө ткізгішті диод, ондағ ы кернеу электрлік тесілу облысында токтан аз тә уелді жә не оның қ ызметі:

D) кернеуді тұ рақ тандыру

E)ВАС кері бө лігінде тұ рақ ты кернеуді ұ стап тұ ру

G)I_min-дан I_max-ғ а дейінгі аумақ та бір кернеудің мә нін ұ стап тұ ру

Жартылай ө ткізгіштің теориялық тү рінен реалды ВАС-ның айырмашылығ ына алып келетін негізгі факторлар:

A) жартылай ө ткізгіштердегі генерация жә не рекомбинация токтары

C) p-n ауысу ө лшемдерінің тү пкілігі

E)температурағ а тә уелділігі

Жарық ө ткізгішпен жарық таратылуы:

A) ирек тектес траектория бойынша

C) талшық бойының айналатын траекториясы бойынша

E) р-n ауысудағ ы сә улелену рекомбинациясын қ олдану арқ ылы

Жұ мыс диапазонының тө менгі жиіліктерінде кү шейту коэффициенті Кu = 40 болғ андағ ы орташа жиіліктердегі кү шейту неге тең екенін табың дар.Жиіліктік бұ рмалану коэффициенті Мн = 1, 1.

А) 4, 4;

Заряд тасымалдаушылардың ө ткізетін арнағ а ө туін жү зеге асыратын электрод:

B) бастау

D) арнадағ ы негізгі тасымалдаушылардың инжекцияланатын транзистор облысы

H) негізгі тасымалдаушылар ө тетін ұ зындық ты байланыстыртын облыс

Идеалды ОК-і сипаттайтын кө рсеткіштер:

B) Rкір → ∞

E) Кu→ ∞

F) Rшығ → ∞

G) К_I → 0

Идеалды операциялық кү шейткіштің кү шейту коэффициентінің мә ні:

C) ¥

F) шексіздік

G) кү шейту коэффициентінің шегі болмайды

Идеалды операциялық кү шейткіштің кіріс кедергісінің мә ні:

A) ¥

F) ө те ү лкен кедергі

H) максималды

Идеалды операциялық кү шейткіштің шығ ыс кедергісінің мә ні:

D) нө лге жақ ын

F) 0

G) тө мен мә нді

Идеалды операциялық кү шейткіштің кү шейту коэффициентінің мә ні:

C) ¥

F) шексіздік

G) кү шейту коэффициентінің шегі болмайды

Идеалды операциялық кү шейткіштің кіріс кедергісінің мә ні:

A) ¥

F) ө те ү лкен кедергі

H) максималды

Идеалды операциялық кү шейткіштің шығ ыс кедергісінің мә ні:

D) нө лге жақ ын

F) 0

G) тө мен мә нді