Выявление неполадок диодов и стабилитронов.

Исправные полупроводниковые диоды и стабилитроны обладают односторонней проводимостью, а большинство неисправных –двусторонней проводимостью. Возможен также внутренний обрыв. Для выявления неполадок диода один из его выводов отпаивают от печатной схемы, и пользуясь омметром проверяют наличие односторонней проводимости диода. При прямом включении омметра положительный полюс внутренней батареи омметра подключают к аноду диода. В цифровых мультиметрах в режиме испытания р-п-переходов используется ток порядка 1 мА, а на дисплее отображается падение напряжения на этом переходе в милливольтах. У исправных кремниевых диодов падение напряжения составляет около и600 мВ, у германиевых- 100-200мв. При обратном включении исправного перехода дисплей показывает переполнение счетчика. При пробое диода прямое сопротивление будет почти таким же как обратное. При обрыве цепи в диоде как прямое так и обратное сопротивление будет бесконечно большим. Выявление неполадок стабилитронов выполняют либо не отделяя стабилитрон от платы, либо отсоединив его. В первом случае включают ток питания платы и измеряют рабочее напряжение на стабилитроне: если оно окажется в пределах нормального значения для данного типа стабилитрона, то он исправен.

Во втором случае как и при проверке диодов измеряют сопротивление при прямом и обратном приложении напряжения.

Выявление неполадок биполярных транзисторов. В биполярном транзисторе р-п-переходы являются аналогами переходов обычных диодов. В транзисторе типа р-п-р имеются кА бы два последовательно включенных диода, у которых катоды, т.е. п-области переходов, соединены вместе и подключены к выводу базы, а аноды подключены к выводам эмиттера и коллектора. В транзисторах п-р-п типа с базой соединены аноды диодов.

Если в исправном транзисторе типа р-п-р к базе подключить положительный полюс внутренней батареи омметра, то переходы запираются и омметр покажет большое сопротивление между базой и коллектором, или базой и эмиттером. Если же к базе подключают отрицательный полюс внутренней батареи омметра, то он показывает малое сопротивление относительно эмиттера или коллектора. Для транзистора типа п-р-п полярности подключаемого напряжения будут обратными.

Измеряя сопротивление нельзя допускать перегрузки переходов током, так как она может привести к выходу транзистора из строя. Наиболее безопасно применять омметры с внутренним источником напряжения 1.5В, а в многопредельных омметрах использовать шкалы с пределами 100 или 1000 Ом.

Выявление неполадок полевого транзистора.

Наиболее часто повреждение полевого транзистора возникает в результате электрического пробоя изолятора затвора.

Возникшие токи могут вызвать полный отказ транзистора (короткое замыкание между затвором и электродами стока и истока, или обрыв цепи любого электрода) или частичную утрату его работоспособности в виде ухудшения электрических параметров. При ремонте аппаратов с применением полевого транзистора часто взникает задача проверки этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь жело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания. Полевой транзистор имеет три вывода. Расположение этих выводов на транзисторах разных производителей может быть различным. У всех современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется паразитный встроенный диод, поэтому при подаче на исток положительного, а на сток отрицательного напряжения мультиметр покажет сопротивление порядка 600 Ом. Надо помнить о наличии такого диода и не принять его наличие за неисправность. Убедиться в наличии такого диода просто: надо поменять полярность тестового прибора и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком, а если этого не произошло то скорее всего транзистор пробит.

Если приложить + измерительного прибора к затвору З транзистора, а – к истоку И(для транзисторов с п-каналом) то произойдет заряд емкости затвора, затвор приобретет положительный потенциал относительно истока, возникнет проводящий канал и транзистор откроется. При проверке транзистора лучше пользоваться цифровым мультиметром с переключением пределов измерений, установленным на значок диода. Между щупами такого мультиметра при таком положении переключателя имеется напряжение около 3В, которое как правило превышает пороговое напряжение современных транзисторов. Если далее замерить сопротивление между стоком С и истоком И то прибор покажет сопротивление, которое зависит от многих причин, но никак не бесконечное сопротивление, транзистор будет открыт до тех пор пока не разрядится емкость затвора, по скорости роста сопротивления исток- можно судить о качестве изолятора затвора.

Перед прозвонкой участка сток-исток замыкается накоротко все ножки транзистора, это приводит к разряду емкости затвора. После этого при измерении сопротивления сток-исток оно должно быть бесконечным. Если этого не произошло значит транзистор не исправен.

Выявление неполадок конденсаторов.

К отказам конденсаторов относят пробой, потерю емкости, увеличение тока утечки.

Используя омметр или мультиметр со стрелочным измерительным механизмом, можно применить метод баллистического гальванометра.

Для этого мультиметр включают на предел измерения сопротивления и щупами дотрагиваются до выводов предварительно разряженного конденсатора. Ток зарядки вызовет кратковременное отклонение стрелки, тем больше, чем больше емкость конденсатора. Пробитый конденсатор имеет сопротивление близкое к нулевому, а конденсатор с оборванным выводом не вызовет никакого отклонения стрелки.

49.Приведите структурную схему измерительных систем. Назовите назначение основных её узлов.

При большом количестве информации, необходимости ее предварительного логического и математического анализа, решения сложных технологических задач применяют средства вычислительной техники.Измерительно-информационная система (ИИС) представляет собой функционально объединенную совокупность средств измерения нескольких физических величин и вспомогательных устройств и предназначается для получения измерительной информации об исследуемом объекте в условиях его функционирования или хранения.

В зависимости от назначения ИИС подразделяются на:

1. Системы сбора измерительной информации от исследуемого объекта

2. Системы автоматического контроля, предназначенные для контроля за работой разного рода машин, агрегатов или технологических процессов

3. Системы технической диагностики, предназначенные для выявления технической неисправности различных изделий

4. Телеизмерительные системы, предназначенные для сбора измерительной информации с удаленных на большие расстояния объектов.

Важнейшей разновидностью ИИС являются измерительно-вычислительные комплексы (ИВК), получившие применение в последние годы. ИВК представляют собой автоматизированные средства измерений и обработки измерительной информации, предназначенные на сложных объектах. Их отличительной чертой является наличие в системе ЭВМ, которая используется не только для обработки результатов измерения. А так же для управления самим процессом измерения, а также для воздействия на объект управления. Первоначально ИИС разрабатывалась индивидуально для каждой конкретной измерительной задачи, но такой подход устарел, поэтому в настоящее время ИИС строятся по агрегатному принципу. Согласно этому принципу построения ИИС состоит из функциональных узлов, объединенных общим алгоритмом функционирования и совместимыми соединителями интерфейса.