Собственные и примесные полупроводники. Концентрация носителей в примесных полупроводниках.

В полупроводниках атомы связаны ковалентными связями, которые при низких температурах и освещенности прочны. С ростом же температуры и освещенности эти связи могут разрушаться, образуя свободный электрон и " дырку". Реальными частицами являются лишь электроны. Э лектронная проводимость обусловлена движением свободных электронов. Дырочная проводимость вызвана движением связанных электронов, которые переходят от одного атома к другому, поочерёдно замещая друг друга, что эквивалентно движению “дырок” в противоположном направлении. “Дырке” условно приписывается “+” заряд.В чистых полупроводниках концентрация свободных электронов и “дырок” одинаковы. Электронно-дырочная проводимость – проводимость, вызванная образованием свободных носителей заряда (электронов и “дырок”), образующихся при разрыве ковалентных связей, называется собственной проводимостью.

Примесная проводимость – проводимость, обусловленная образованием свободных носителей заряда при внесении примесей иной валентности (n). Донорная примесь n_{примеси}> n_{полупроводник} Мышьяк в германии: n_прим. =5; n_{п/прово-к}=4. Каждый атом примеси вносит свободный электрон. Полупроводники n – типа – с донорной примесью. Основныеносители заряда – электроны. Неосновные носители – “дырки”. Проводимость – электронная.

Акцепторная примесь n_{примеси}< n _{полупроводник.}

Индий в германииn_прим. =3; n_{п/прово-к}=4 Каждый атом примеси захватывает электрон из основного полупроводника, создавая дополнительную дырку.