Процессы в p-n-переходе при отсутствии внешнего электрического поля. Контактная разность потенциалов.

При отсутствии внешнего электрического поля устанавливается динамическое равновесие между потоками основных и неосновных носителей электрических зарядов, то есть между диффузионной и дрейфовой составляющими тока p-n-перехода, поскольку эти составляющие направлены навстречу друг другу.А значит при отсутствии внешнего электрического поля и при условии динамического равновесия в кристалле полупроводника устанавливается единый уровень Ферми для обеих областей проводимости. Диффузионный ток становится равным по величине дрейфовому току, образованному неосновными носителями заряда, в результате чего ток через p-n-переход становится равным нулю.

Контактная разность потенциалов — это разность потенциалов, возникающая при соприкосновении двух различных проводников, находящихся при одинаковой температуре. При соприкосновении двух проводников с разными работами выхода на проводниках появляются электрические заряды. А между их свободными концами возникает разность потенциалов. Разность потенциалов между точками находящимися вне проводников, вблизи их поверхности называется контактной разностью потенциалов. Так как проводники находятся при одинаковой температуре, то в отсутствие приложенного напряжения поле может существовать только в пограничных слоях (Правило Вольта). Выделяется внутренняя разность потенциалов(при соприкосновении металлов) и внешняя (в зазоре). Значение внешней контактной разности потенциалов равно разности работ выхода отнесенной к заряду электрона. Если проводники соединить в кольцо то ЭДС в кольце будет равна 0.

Увеличение температуры приводит к уменьшению контактной разности потенциалов и ширины p-n-перехода. Это, в первую очередь, определяется тем, что при высоких температурах уровни Ферми в n- и p-полупроводниках приближаются к середине запрещенной зоны, электропроводность полупроводников стремится к собственной, а, следовательно, p-n-переход исчезает.

При возрастании концентрации легирующих примесей и контактная разность потенциалов возрастает, а ширина p-n-перехода уменьшается.

Вектор напряженности поля направлен так, что он препятствует диффузионному движению основных носителей и ускоряет неосновные носители. Этому полю соответствует контактная разность потенциалов

ϕ k, связанная с взаимной диффузией носителей. За пределами p-n-перехода полупроводниковые области остаются нейтральными. Движение неосновных носителей образует дрейфовый ток, направленный навстречу диффузионному току. Итак, в условиях равновесия встречные дрейфовый и диффузионный токи должны быть равны, т.е.

Тогда выражение для контактной разности потенциалов ϕ k в p-n-переходе

Если принять N_a=10¹⁸см^-3, N_d=10¹⁴см^-3 и Т=300К для германиевого p-n-перехода, то φ _к=0, 3 В.