Высокочастотные избирательные усилители
Рассмотрим схему резонансного усилителя. Она похожа на схему однокаскадного усилителя с ОЭ, но в цепь коллектора вместо R К включен колебательный контур (рисунок 51).
Рисунок 51 – Принципиальная электрическая схема
высокочастотного избирательного усилителя
Назначение элементов:
• R 1, R 2, VT, R Э, C Э – элементы однокаскадного усилителя с общим эмиттером (их назначение рассматривалось ранее);
• колебательный LC -контур в коллекторной цепи транзистора выполняет роль LC -фильтра, т. е. выделяет резонансную частоту и соответствующую полосу пропускания на высоких частотах.
• CР 1, CР 2 – разделительные конденсаторы, через которые осуществляется связь с предыдущим или последующим каскадом.
На резонансной частоте  сопротивление колебательного
контура велико, в связи с чем коэффициент уменьшения максимальный. При отклонении частоты влево или вправо от резонансной сопротивление контура уменьшается ввиду увеличения шунтирующего действия его индуктивности или емкости. Это вызывает уменьшение коэффициента усиления каскада. Рассмотрим АЧХ резонансных усилителей при различной добротности резонансного контура (рисунок 52).
Рисунок 52 – Амплитудно-частотные характеристики
избирательного усилителя с различнойдобротностью
При увеличении Q возрастает коэффициент усиления усилителя на резонансной частоте и уменьшается полоса его пропускания. Поэтому при проектировании усилителей с большой избирательностью необходимо применять контуры с высокой добротностью. На частотах от 50 кГц до 5 МГц легко могут быть выполнены контуры с Q = 50 / 200, при применении ферритовых сердечников в катушке – с Q до 500.
На частотах выше 5 МГц Q снижается из-за увеличения потерь в конденсаторах и потерь на вихревые токи в проводах катушки.
На низких частотах (f > 50 кГц) не удается получить большое индуктивное сопротивление катушки при ее малом активном сопротивлении.
|
