Особенности работы на низких и высоких частотах.

На относительно низких частотах транзистор можно считать безинерцыонным АЭ, реакции на его входные воздействия практически мнгновенная и для расчета режимов необходимо воспользоваться статическими ВАХ. На повышенных частотах проявляется инерцыонность транзистора, связанная с конечным временем пролета носителей заряда через базу.Кроме того, становятсязначительными токи смещения, протекающие через барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов, а также возрастают напряжение на индуктивностях выводов.

Помимо рабочей частоты на методику расчета влияет мощность транзистора. Если в маломощных транзисторах. Если в маломощных транзисторах, представляющих параллельное соединение небольшого числа ячеек, действительная часть входного сопротивления достаточно велика, то в мощных многоэммитерных структурах R вх оказывается существенно меньше. Действительная часть входного сопротивления в значительной мере определяет возможности создания гармонического напряжения или тока на управляющем электроде.

Маломощные транзисторы на низких частотах. Можно считать, что на частотахf< 0, 5f_в токи, протекающие через выводы транзистора, изменяются мнгновенно при изменении напряжений на его электродах. Как было отмечено, маломощные транзисторы имеют достаточно высокую действительную часть входного сопротивления, поэтому считаем, что маломощный транзистор возбуждается гармоническим напряжением.

Маломощные транзисторы на повышенных частотах. На частотахf> 0, 5f_в начинает проявляться инерционность транзистора, обусловленная конечным временем пролета носителей заряда через базу. Важно отметить, что длительности переходных процессов прои открывании и закрывании эмиттерного перехода различны. В результате при работе транзистора с отсечкой коллекторного тока форма импульса искажается (становиться отличной от косинусоидального). Ток отстает от напряжения.