Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Порядок выполнения работы. 6.1Для проверки «омичности» контактов соберите схему по методу двух зондов, представленную на рис
|
|
6.1Для проверки «омичности» контактов соберите схему по методу двух зондов, представленную на рис. 4. Ток, протекающий через образец должен быть не более 100 мА.
6.2 Включите цифровой вольтметр и блок питания образца. Установите, подбором соответствующего напряжения на блоке питания, минимально возможный ток блока питания, (т.е. ток, текущий через потенциальные контакты).
6.3 Произведите считывание силы тока, текущего через потенциальные контакты, и величину напряжения, имеющегося между потенциальными контактами.
6. 4 Сделайте выводы о качестве контактов и их пригодности для определения удельного электросопротивления. Постройте зависимость падения напряжения на образце при различных значениях тока через контакты, на которых измеряется падение напряжения.
6.5 Подключите зондовое устройство к вольтметру и блоку питания согласно рис. 3 для определения удельного электросопротивления по методу четырех зондов.
6.6 Считайте показания приборов и рассчитайте величину удельной электропроводности образцов, подвергшихся измерениям, результаты занесите в таблицу 4.
Таблица 4
| № образца | Толщина образца полупроводника или металла | Тип проводимости образца | Величина тока через токовые контакты (1-4) | Падение напряжёния между контактами (2-3) | Величина удельного сопротивления | Концентрация носителей заряда |
Контрольные вопросы
7.1 Объясните механизм собственной и примесной проводимостей полупроводника.
7.2 Объясните влияние примесей на электропроводность металлов и полупроводников.
7.3 Поясните возможность управления величиной и типом электропроводности полупроводников путем введения примесей.
7.4 Почему измерения удельного сопротивления полупроводников обычно производят при очень слабом освещении образца либо помещают его при измерениях в темный ящик?
Литература
1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. " Физика полупроводников", М., " Наука", 1990.
2. Павлов Л.П. " Методы измерения параметров полупроводниковых материалов", М., " Выс, шая школа", 1987.
Варикаш В.М., Хачатрян Ю.М.«Избранные задачи по физике твердого тела», Минск, «Вышейшая школа», 1969, стр 187, задача 217
3. Лысов В.Ф. «Практикум по физике полупроводников», -М., «Просвещение», 1976, 207 с.
4. Каплянский и др. «Теоретические основы электротехники», 1972, стр.20
Приложение
Связь концентрации легирующей примеси, дающей мелкие примесные центры, с величиной удельного электросопротивления для кремния.*
|
|