Аморфты қабатты күлгін разрядта орналастыру.

Аморфты қ абаттың газтә різдес заттың немесе газды қ оспаның кү лгін разрядта бө лшектенуі арқ ылы алынуы плазма-химия ә дісіне жатады. Бұ л ә дісті кө бінесе ө ндірсте қ олданыс тапқ ан. Плазма – жоғ ары иондалғ ан газ. Плазманың қ ұ рамы иондар мен электрондардың ә ртү рлі қ озғ алысымен анық талады. Плазмада электрондардың температурасы иондар температурасына қ арағ анда тө рт есе жоғ ары болады.

Кү лгін разряд кейбір бекітілген кө лемде немесе трубкада газ ағ ыны тө менгі қ ысым (~10 Па) кезінде, егер электродтарғ а жү здеген вольт кернеу берілсе пайда болады. Газдық фазада электрон жә не ион концентрациясы кү лгін разрядта ~ 10¹⁰ см^-3 қ ұ райды. Электрон энергиясы 1-10эВ жуық тайды, бұ л 30-300 рет орташа термиялық ион энергиясынан артық. Электрондар жоғ арғ ы қ озғ алысқ а ие болғ андық тан кө птеген химиялық байланыстар ү зіледі, осығ ан орай химиялық реакциалар салыстырмалы тө мен температурада жү реді. 3.4-суретте қ ондырғ ының эксперименттік сызбасы кө рсетілген.

3.4.-сурет. Аморфты материалдарды газдарды бө лшектеу арқ ылы орналастыру (мысалы, SiH₄) кү лгін разрядта, индуктивтілік катушка (а) жә не конденсатор (б) кө мегімен. 1 - индуктивті катушка, 2 – терморреттеуіш ұ стайтын тө сеніш

Кө бінесе қ уат 10-20 Вт ө ткізу аймағ ында жә не жиілігі 1-100Гц аймағ ында жұ мыс істейді. Орналасқ ан қ абаттардың қ ұ рамы мен қ ұ рылысы кө п параметрлерге байланысты мысалы, тө сеніштің температурасы, газразрядты трубканың диаметрі.

Осы кү дгін разряд арқ ылы металдық қ абаттарды (Si жә не Рb-ді Sn (C₂H₅)₄, Рb(С₂Н₅)₄) жә не органикалық полимердің тығ ыз аморфты қ абатын алуғ а болады. Бұ л ә діс аморфты қ абаттар орналасқ анда Si жә не Ge -дің SiH₄ - GeH₄ газдарында бө лшектену кезінде қ олданылады. Алынғ ан қ абаттар кө п мө лшерде сутегін қ ұ райды. Кү лгін разряд синтезінде сә тті алынғ ан аморфты кремний қ абатына сұ раныс ө сті. N₂O қ оспасы газтә різдес SiH₄ немесе О₂ Si(OC₂H₅)₄ пен кү лгін разрядқ а жұ қ а шыны тә різдес SiO₂ қ абатын береді. В(ОСН₃)₃ тен В₂О_з, ал SiH₄ жә не NH₃ қ оспасынан аморфты Si₃N₄ алынды. Аморфты қ абат Аl₂Оз жоғ арғ ы электірлік шыдамдылығ ы А1₂Сl₆ жә не О₂ қ оспаларынан алынды.

Булы фазада химиялық орналастыру. (CVD)

Химиялық орналастыру ә дісінде яғ ни булы фазада кү тпеген жерден ә ртү рлі газдар жә не қ атты бетте газтә різдес молекула арасында ақ қ ыш реакция ә серлесуі қ олданылады. Мысалы, біз қ атты бет деп отырғ анымыз сосуд қ абырғ алары мен тө сеніш. Мұ ндай ә діс монакристалды ө сіруде жоғ ары қ ызуғ ышылық танытады. Мысалы, газофазды эпитоксия жә не де аморфты зат алғ анда қ олданылады. 3.5 -суретте жұ қ а қ абық шаны синтездеп алатын қ ондырғ ының сү лбесі кө рсетілген.

3.5-сурет. Қ абық шаны CVD-ә дісімен синтездеу сү лбесі:

1 - реактор; 2 – тө сеніш;

3 - карбонилды металы бар ыдыс

4 - карбонил буын араластырғ ыш;

5 - карбонил буын орналастырғ ыш;

6 - карбонилді толық жіктейтін пеш;

7 – газы бар балондар; 8 - вакуумдық насос

Кристалдық заттардың аморфты кү йге кө шуі.

Кристалдық қ атты дененің аморфты кү йге термиялық емес ә діспен кө шуі оларғ а сырттан жеткілікті кү ш ә серіне негізделген. Яғ ни бұ дан атомдар ө зінің тепе – тең дік қ алпын тастап кетеді. Мысалы сырттан импульс энергиясын алу арқ ылы. Қ аттыфазалы реакция белгілі шарттарғ а сай, кө бінесе бастапқ ы заттың жаң а кристалдық қ ұ рылымын қ ұ рмайды жә не атомның периодты орналаспауы ә серінен қ ұ лдырайды. Осы кезде аморфты фаза туындауы мү мкін.