Приложение. Список экзаменационных вопросов по курсу

Список экзаменационных вопросов по курсу

«Микроэлектроника»

1. Предмет микроэлектроники, основные понятия и определения. Классификация ИМС.

2. Общая классификация основных типов логических элементов. Сравнительная характеристика. Реализация базовых логических функций с помощью диодных ключей.

3. Понятие транзисторного ключа. Использование МОП-транзисторов для создания логических элементов. КМОП инвертор.

4. Принцип действия логических элементов с логикой на входе. Общая структура логических элементов ТТЛ, ДТЛ и инжекционной логики.

5. Особенности структуры n-p-n БП транзисторов ИМС с изоляцией на основе n-p перехода. Влияние общей подложки на работу биполярных транзисторов ИМС.

6. Диэлектрическая изоляция элементов биполярных ИМС. ИМС с комбинированной изоляцией.

7. Интегральные транзисторы типа p-n-p. Основные параметры и особенности структуры.

8. Многоэмиттерные транзисторы ИМС. Принцип действия.

9. ИМС повышенной степени интеграции. Многоколлекторные транзисторы.

10. Работа транзистора в ключевом режиме. Прохождение прямоугольных импульсов через каскад на основе биполярного транзистора

11. Применение полевых транзисторов в микроэлектронике. Варианты конструкции МДП-транзисторов ИМС.

12. Использование выпрямляющего контакта металл-полупроводник для увеличения быстродействия биполярных транзисторов Транзисторы с диодом Шоттки.

13. Диодные структуры в микроэлектронике. Сравнительная характеристика.

14. Влияние подложки ИМС на параметры и характеристики интегральных диодов и стабилитронов.

15. Конструктивные особенности активных элементов полупроводниковых микросхем на основе полевых транзисторов. КМОП структуры.

16. Сущность эффектов короткого канала в МДП структурах. Механизм влияния короткоканальных эффектов на пороговое напряжение транзисторов.

17. ВАХ характеристики МДП транзисторов с коротким и длинным каналом. Сравнительный анализ.

18. Основные проблемы миниатюризации МДП транзисторов. Выбора материала подзатворного диэлектрика.

19. Конструктивные особенности субмикронных транзисторов LDD структуры и их влияние на эффекты короткого канала.

20. Современные МДП транзисторы на основе технологии «напряженного» кремния. Принцип действия. Критерии выбора материала для формирования области канала таких транзисторов.

21. Структура современных МДП транзисторов, выполненных на основе технологии «кремний на изоляторе». Перспективы дальнейшего уменьшения размеров МДП транзисторов.

22. Резистивные элементы полупроводниковых ИМС. Пленочные и диффузионные резисторы.

23. Конденсаторы и индуктивные элементы в микроэлектронике.

24. Приборы с зарядовой связью, сфера применения и принцип действия.

25. Физические ограничения в микроэлектронике. Электромиграция в ИМС. Влияние межэлементных соединений на работу ИМС. Понятие задержки импульса.

26. Сравнительная характеристика подложек на основе кремния и арсенида галлия. Структура полевых транзисторов с управляющим переходом металл-полупроводник.

27. Принцип действия транзисторов с управляющим переходом металл-полупроводник. Анализ стоковых и сток-затворных характеристик.

28. Гетероструктуры на основе арсенида галлия. Явления сверхинжекции в гетеропереходах.

29. Понятие двумерного электронного газа. Перспективы использования нитрида галлия для формирования гетероструктур.

30. Возможности биполярной технологии в СВЧ диапазоне. Гетеропереходные биполярные транзисторы.

31. Использование гетероперехода при создании полевых приборов. HEMT транзистор на основе арсенида галлия.

32. Отличительные особенности структур псевдоморфных и метаморфных HEMT транзисторов.

33. Применение пьезоэффекта в радиоэлектронике. Принцип действия основных приборов пьезоэлектроники

34. Акустоэлектрический эффект. Приборы на основе поверхностно-акустических волн. Акустоэлектрические усилители.

35. Элементы функциональной электроники на основе сверхпроводящих материалов. Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.

36. Радиоэлектронные приборы на основе оптических и магнитоэлектрических эффектов в твердых телах. Молекулярная и биоэлектроника.