Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Туракты есте сактау курылгысынын курылу принципі
|
|
Барлык туракты есте сактау курылгыларын келесі топтарга жіктеуге болады:
· жасактау барысында багдарламаланатын (ПЗУ немесе ROM деп белгіленеді);
· бір марте багдарламаланатын, берілген багдарлама бойынша электрлік жолмен жады матрицасынын калып-кү йін бір марте озгертуге мү мкіндік береді;
· кайта багдарламаланатын (репрограммаланатын), бірнеше марте электрлік жолмен акпаратты ультракү лгін (РПЗУУФ немесе ЕР ROM) немесе электрлік (РПЗУЭС, немесе ЕЕROM, немесе Е2ROM) сү ртуге мү мкіндік беретін.
Жады колемін улгайтканда шыгысы бойынша біріктірілу максатында барлык туракты есте сактау курылгыларынын жадыларында ү ш калып-кү йлі шыгыстар немесе ашык коллекторлы шыгыстар орын алады.
Жасактау барысында багдарламаланатын ТЕСК акпарат оларды жасактау барысында маска деп аталатын фотошаблон комегімен технологиялык процестін акыргы кезенінде жазылады. Мундай ТЕСК маскалык деп аталады, диодтар, биполяр жане МОП-транзисторлар негізінде курылады.
а б Маскалык ТЕСК матрицалар схемаларынын фрагменттері
а) биполяр транзистор негізіндегі ТЕСК
б) орістік транзистор негізіндгі ТЕСК
Маскалык ТЕСК 155, 568, 1656, 541, 555, 1801 сериялы микросхемалар жатады. Олар ТТЛ, ТТЛШ, п-МОП, КМОП технологияларымен жасакталады.
Бір марте багдарламаланатын ТЕСК жинактауыштын нихром немесе баска металдардан жасалган балкитын перемычкалары болады. Акпаратты жазу процесінде балкитын перемычкалар тандамалы тү рде кү йдіріледі.
Кайта багдарламаланатын туракты есте сактау курылгылары мОП-технологиялар негізінде жасакталады. Оларды екі тү рлі диэлектрлік орла немесе откізгіш жане диэлектрлік орта арасындагы зарядты сактаудын тү рлі физикалык кубылыстары колданылады.
Кейбір тү рлерінде кпаратты жазу жогары кернеулер берк аркылы жү зеге асады.
Ультракү лгін саулемен акпаратты сү ртетін ТЕСК сауле тү сетін арнайы тесік орын алады, сонымен катар акпарат барлык кристалдан ошіріледі.
Электрлік акпарат сү рту барысында тек кажетті акпаратт ы гана сү ртуге мү мкіндік бар. Калган акпарат колемін кристалда сактауга болады. Сонымен катар, акпаратты ошіру узактытыгы алдекайда томен, сондыктан олар жиі колданылып келеді.
Кейбір ТЕСК салыстырмалы сипаттамалары
ТЕСК жататын микросхемалар
|
|