Схемы исследования. На рисунке 2.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора

На рисунке 2.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.

Рис. 2.1. Схема для исследования статических характеристик ПТ.

Ко входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение U_ЗИ от регулируемого источника напряжения G₁. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение U_CИ от регулируемого источника постоянного напряжения G2.

В работе необходимо экспериментально определить напряжение отсечки U_{ЗИ ОТС} и снять передаточную характеристику I_С = F (U_ЗИ) при U_CИ =-10B. Затем необходимо снять семейство выходных характеристик I_С=F(U_СИ) при U_{ЗИ 1}=0, U_{ЗИ 2}=0, 25 U_{ЗИ ОТС} и U_{ЗИ 3}= 0, 5 U_{ЗИ ОТС}.

На рисунке 2.2 приведена схема для исследования зависимости сопротивления канала транзистора R_СИ для омической области выходных характеристик от управляющего напряжения затвор-исток R_СИ= F(U_ЗИ).

Риc. 2.2. Схема для исследования зависимости R_СИ от управляющего напряжения U_ЗИ.

Для исследования предварительно устанавливают напряжение генератора переменного тока G3 U_Г =100 мВ на частоте f = 1000 Гц.

Затем снимается зависимость U_ВЫХ= U_СИ= F(U_ЗИ). Значение U_ЗИ изменяется в пределах от 0 до U_{ЗИ ОТС}. Вычисление R_СИ для каждого значения U_СИ производится следующим образом:

R_СИ= U_СИ /I_С; I_С =(U_Г- U_СИ)/ R; R_СИ= U_СИ × R/ (U_Г-U_СИ). (1)

R=5, 1 кОм.