Схемы исследования

На рисунках 1 и 2 приведены схемы для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов на рис. 1 соответствует типовому включению МДП ПТ со встроенным каналом n-типа, работающего в режиме обеднения, на рис. 2 – МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа.

Рис. 1. Схема для исследования статических характеристик МДП

ПТ со встроенным n-каналом КП305.

Ко входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение U_ЗИ от регулируемого источника напряжения G5. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение U_CИ от регулируемого источника постоянного напряжения G1 или G2.

Для работы МДП транзистора со встроенным каналом в режиме обогащения необходимо поменять полярность источника G5 на противоположную.

Рис. 2. Схема для исследования статических характеристик МДП

ПТ с индуцированным p-каналом КП301.

На рисунке 3 приведена схема для определения крутизны ПТ с индуцированным n-каналом на переменном токе при различных значениях управляющего напряжения в режиме обеднения.

Крутизну вычисляют по формулам:

S=I_C~ /U_ЗИ~, мА/В, (1)

где I_C~ –выходной ток, мА; U_ЗИ~- входное напряжение, В.

I_C~= U_СИ~/ R, (2)

где U_СИ~ -переменное напряжение на резисторе R.

Рис. 3. Схема для определения крутизны в зависимости от

управляющего напряжения U_ЗИ.