Вплив температури на ВАХ p-n переходу.

Вольтамперні характеристики p-n переходу для двох значень температури навколишнього середовища наведено на рис. Із зростанням температури падає пряма напруга на p-n переході при заданому струмі, і при заданій зворотній напрузі збільшується зворотний струм.

Прямий струм p-n переходу визначається потоком основних носіїв заряду, який залежить від величини потенційного бар'єру в p-n переході. Збільшення температури приводить до зменшення потенційного бар'єру, а отже, до збільшення прямого струму. Зворотний струм p-n переходу визначається потоком неосновних носіїв заряду. Збільшення температури приводить до збільшення швидкості теплової генерації, що приводить до зростання концентрації неосновних носіїв заряду в напівпровіднику, а отже, зростання зворотного струму.

Для кількісної оцінки впливу температури на ВАХ p-n переходу використовують два параметри:

Температурний коефіцієнт напруги (ТКН) показує, на скільки зміниться пряма напруга на p-n переході (DU) при заданій зміні температури (DТ) при постійному струмі через p-n перехід:

Для германієвих p-n-переходів ТКН»-2 мВ/град,

для кремнієвих p-n-переходов ТКН»-3 мВ/град.

Температура подвоєння зворотного струму p-n-переходу Т^* дозволяє розрахувати зворотний струм i_ЗВОР(Т₀ + DТ) при зростанні температури на DТ за відомим значенням зворотного струму при заданій температурі Т₀:

Для германієвих p-n переходів зворотний струм подвоюється на кожні 10°C (Т*=10°C), для кремнієвих – на кожні 8°C (Т * = 8°С).