Требования к динамическому распределению RAM

В главе 4 мы обсуждали систему памяти, встроенную в отладочную плату (EVB) контроллера B32, который предназначен прежде всего для однокристальных применений. Он включает в себя 32 Кб ПЗУ типа FLASH, 1 Кб статической оперативной памяти RAM и 768 байт стираемого по байту ПЗУ типа EEPROM для сохранения данных системы. Карта памяти для B32 EVB показана на рис. 8.1. Обратите внимание, что большая часть объема принадлежит флеш-памяти EEPROM, в то время как оперативная память (RAM) занимает только 1 Кб. Фактически же только 512 байтов, доступны для использования (от $0800 до $9FFF).

Рис. 8.1. Карта памяти микроконтроллера B32

Для чего же эта RAM используется? Прежде всего она используется для локальных переменных каждой функции. Переменные, помещенные в стек, доступны только при вызове функции. При выходе из функции переменные удаляются из стека, освобождая пространство памяти. Ясно, что можно достаточно быстро исчерпать объем стека, если ваш встроенный контроллер использует рекурсивную подпрограмму (вызываемую, например, для получения ряда Фибоначчи или операции вычисления факториала) или функцию с высокой степенью вложения. То есть при обращении к функции, которая снова вызывает функцию, и т.д. В этих ситуациях активны как все функции, так и связанные с ними локальные переменные.

Ключевой инструмент ОСРВ — использование таких абстрактных типов данных, как записи, списки с указателями и очереди. Обсудим их вкратце. Эти типы данных обычно используют динамическое распределение памяти RAM. Где мы можем взять RAM для этих типов данных? Если мы используем 512 байт как для абстрактных типов данных, так и для стека мы можем потенциально сталкиваться с «зависанием» структуры данных при переполнении стека или наоборот. Это может привести к катастрофическому сбою системы. Мы должны предотвратить это любой ценой. В идеале, мы должны выделить дополнительную память RAM в карте памяти B32. Было бы также полезно физически отделить эту память от памяти RAM на плате B32. Это позволило бы нам иметь отдельные пространства RAM для стека и динамической памяти. Но это не всегда возможно. Если же и стек и динамическая память постоянно находятся в одном и том же пространстве памяти, необходимо гарантировать, что не происходит подмены информации в процессе выполнения программы. Контроллер 68HC12 не обеспечивает автоматического контроля этой ситуации и исключение ее при программировании системы входит в вашу задачу.

В разделе 4.7.1 мы уже обсуждали систему памяти, размещенной на плате B32. На рис. 8.2 приведено схемное решение системы, с учетом которого мы можем использовать дополнительное пространство RAM. Настоятельно рекомендуем вам ознакомится с концепций расширения памяти у Pack и Barrett [2002, Ch. 8]. Здесь же мы только приводим схемное решение, не обсуждая проблем подключения памяти, электрической связи с помощью интерфейса и синхронизации. Хотя все они чрезвычайно важны, но при обсуждении динамического распределения памяти, без их рассмотрения можно обойтись.

Рис. 8.2. Подключение внешней памяти к микроконтроллеру при программировании

Прежде чем определить конкретные границы этого дополнительного пространства RAM, обеспечим их удобный расчет. Мы хотим определить область 16 Кб для статической оперативной памяти (SRAM) в карте памяти B32 EVB. Разместим эту память в ячейках от $4000 до $7FFF. Если бы это удалось, то все, к чему мы имели доступ на участке памяти — это 32 Кб& #215; 8 SRAM. Если мы заземлим старшую линию адреса этой памяти A[14], то старшие 16 Кб чипа памяти будут недоступны. Как мы уже упоминали в главе 4, PORTA обеспечивает мультиплексную линию данных D[7: 0], и старшие разряды адреса A[15: 8] в расширенных режимах работы МК. PORTB обеспечивает младшие разряды адреса A[7: 0]. Мы используем адресную линию A[15: 14] со схемой И-НЕ, чтобы создать активный низкий сигнал для SRAM памяти чипа.

Альтернативой расширению памяти является использование варианта HCS12 с большей дополнительной областью RAM. Обратитесь к различным доступным вариантам, описанным в разделах 1.3, 1.4 и 4.8. Эти варианты включают в себя RAM объемом от 4 до 12 Кб.

Перед продолжением нашего обсуждения, относящегося к динамическому распределению памяти, рассмотрим еще несколько проблем, воспользовавшись рис. 8.2.

Вопросы для самопроверки

Вопрос: Какова цель применения схемы И-НЕ?

Ответ: Логический элемент И-НЕ переходит на низкий уровень и генерирует сигнал разрешения (CE) для SRAM памяти, когда A15 находится на низком, а A14 — на высоком уровне.

Вопрос: Какова цель применения микросхемы 74HC573?

Ответ: Эта микросхема действует как защелка при демультиплексировании линий адреса/данных от порта РA.

Вопрос: Каков промежуток адресов памяти RAM?

Ответ: От $4000 до $7FFF или 16 Кб RAM.

Вопрос: Каков размер SRAM памяти?

Ответ: Этот размер составляет 215 или 32К адресов с размещением одного байта в каждом адресе. Нам удается использовать только нижние 16 Кб памяти.

Вопрос: Какой вид будет иметь карта памяти после введения этих новых компонентов памяти.

Ответ: Карта памяти приведена на рис. 8.3.

Рис. 8.3. Карта памяти B32, расширенная внешней флеш-памятью и RAM