Основные параметры МЛТ резисторов.

Элементная база радиоэлектроники. Классификация

По функциональному признаку РЭС делят на:

1.Антенно-фидерные устройства, 2.Передающие устройства, 3.Приёмные устройства 4. Устройства обработки информации

Для РЭС характерны следующие виды преобразования сигналов:

1.Излучение и приём сигнала на антенну. 2.Усиление сигнала. 3.Фильтрация сигнала. 4.Генерация колебаний разной формы. 5.Модуляция и демодуляция. 6.Запоминание информации7.Коммутация и соединение цепей.

В состав элементной базы РЭС входят:

1.Активные дискретные элементы (транзисторы, диоды и др.)

2.Пассивные дискретные (катушки индуктивности, конденсаторы, резисторы)

3.Интегральные микросхемы.

4.Устройства функциональной электроники.

Основные параметры МЛТ резисторов.

1) Номинальное сопротивление Rном, Ом

2) допустимое отклонение от номинала ±∆ R

3) Номинальная мощность рассеивания Рном, равна

4) Предельное рабочее напряжение Uпред

5) Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) характеризует относительное изменение сопротивления при изменении температуры:

6) Этот коэффициент может быть как положительным, так и отрицательным.

7) Коэффициент старения β R характеризует изменение сопротивления, которое вызывается структурными изменениями резистивного элемента за счет процессов окисления, кристаллизации и т. д:

8) ЭДС шумов резистора.

Тепловой шум характеризуется непрерывным, широким и практически равномерным спектром. Величина ЭДС тепловых шумов определяется соотношением

где К= 1, 38-10-23Дж/ К— постоянная Больцмана;

Т — абсолютная температура, К;

R — сопротивление, Ом;

∆ f— полоса частот, в которой измеряются шумы.

При комнатной температуре (T= 300 К)

9) Помимо тепловых шумов существует токовый шум, возникающий при прохождении через резистор тока. Поскольку значения тока, протекающего через резистор, зависит от значения приложенного напряжения U, то в первом приближении можно считать

где Ki — коэффициент, зависящий от конструкции резистора, свойств резистивного слоя и полосы частот.