Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






XVIII. Кино 41 страница. Существуют также ФЭУ с умножит






Существуют также ФЭУ с умножит. системой, представляющей собой непрерывный (распределённый) ди-нод - одноканальный, в виде трубки (канала) с активным (с> 1) слоем на её внутр. поверхности, обладающим распределённым электрич. сопротивлением, либо многоканальный, выполненный из т. н. микроканальной пластины. При подключении канала к источнику высокого напряжения в нём создаётся электрич. поле, ускоряющее вторичные электроны, к-рые многократно соударяются с внутр. стенками канала, вызывая при каждом столкновении вторичную электронную эмиссию с поверхности активного слоя.

Энергетические схемы фотоэлектронной эмиссии из металла (а); полупроводника с х> 2d e (б); полупроводника с поверхностью, обработанной до " отрицательного" электронного сродства (еф< de) (в). В области сильного внутреннего электрического поля энергетические зоны изогнуты; клеточки показывают заполненные электронные состояния; жирная черта - дно зоны проводимости; Ф - поверхностный потенциальный барьер.

Структурные схемы фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) с линейными динодными системами: а - с корытообразными динодами; б - с жалюзийными динодами; Ф - световой поток; К - фотокатод; В - фокусирующие электроды катодной (входной) камеры; Э - диноды; А - анод; штрих-пунктирными линиями изображены траектории электронов.

Фотокатоды ФЭУ выполняют из полупроводников на основе соединений элементов I или III группы периодич. системы Менделеева с элементами V группы.
(Cs3 Sb, GaAs и др.). Полупрозрачные фотокатоды обычно наносят на внутр. поверхность входного окна стеклянного баллона ФЭУ. Для изготовления дискретных динодов используют след. материалы: Cs3Sb, наносимый в виде слоя на металлич. подложку; сплавы СuВе, CuAlMg; эпитаксиальные слои GaP на Мо, обработанные О2 (см. Эпитаксия) и др. Каналы непрерывных динодов изготавливают из стекла с высоким содержанием свинца (такие каналы после термообработки в Н2 имеют удельное сопротивление поверхностного слоя 107 - 1010 ом*м).

Осн. параметры ФЭУ: световая анодная чувствительность (отношение анодного фототока к вызывающему его световому потоку при номинальных потенциалах электродов), составляет 1- 104 а/лм; спектральная чувствительность (равная спектральной чувствительности фотокатода, умноженной на коэфф. усиления умножит. системы, лежащий обычно в пределах 103 - 108); темновой ток (ток в анодной цепи в отсутствие светового потока), как правило, не превышает 10-9- 10-10 а.

Наибольшее применение ФЭУ получили в ядерной физике (спектрометрич. ФЭУ; см. Сцинтилляционный счётчик) и в установках для изучения кратковременных процессов (временные ФЭУ). ФЭУ используют также в оптич. аппаратуре устройствах телевизионной и лазерной техники.

В 60-х гг. разработаны ФЭУ, в к-рых усиление фототока осуществляется бомбардировкой полупроводникового кристалла с электронно-дырочным переходом электронами с энергиями, достаточными для образования в кристалле парных зарядов электрон - дырка (такие ФЭУ наз. гибридными).

Лит.: Берковский А. Г., Гаванин В. А., 3айдель И. Н., Вакуумные фотоэлектронные приборы, М., 1976.

В. А. Гаванин.

ФОТОЭЛЕКТРОНЫ, электроны, эмитированные атомом, молекулой или конденсированной средой под действием квантов электромагнитного излучения - фотонов (см. Фотоэлектронная эмиссия), а также электроны в конденсированной среде, поглотившие фотоны и обладающие вследствие этого повышенной (относительно равновесной) энергией (см. Фотоэффект внутренний, Фотопроводимость).

ФОТОЭЛЕМЕНТ, электронный прибор, в к-ром в результате поглощения энергии падающего на него оптич. излучения генерируется эдс (фотоэдс) или электрич. ток (фототок). Действие Ф. основывается на фотоэлектронной эмиссии пли фотоэффекте внутреннем.

Ф., действие к-рого осн. на фотоэлектронной эмиссии, представляет собой (рис., а) электровакуумный прибор с 2 электродами - фотокатодом и анодом (коллектором электронов), помещёнными в вакуумированную либо газонаполненную стеклянную или кварцевую колбу. Световой поток, падающий на фотокатод, вызывает фотоэлектронную эмиссию с его поверхности; при замыкании цепи Ф. в ней протекает фототок, пропорциональный световому потоку. В газонаполненных Ф. в результате ионизации газа и возникновения несамостоятельного лавинного электрического разряда в газах фототок усиливается. Наиболее распространены Ф. с сурьмяно-цезиевыми кислородно-серебряно-цезиевым фотокатодами.

Ф., действие к-рого осн. на внутреннем фотоэффекте, - полупроводниковый прибор с гомогенным электроннодырочным переходом (р - n -переходом) (рис., б), полупроводниковым гетеропереходом или контактом металл-полупроводник (см. Шотки диод). Поглощение оптич. излучения в таких Ф. приводит к увеличению числа свободных носителей внутри полупроводника. Под действием электрич. поля перехода (контакта) носители заряда пространственно разделяются (напр., в Ф. с р - п-переходом электроны накапливаются в я-области, а дырки - в р-области), в результате между слоями возникает фотоэдс; при замыкании внешней цепи Ф. через нагрузку начинает протекать электрич. ток. Материалами, из к-рых выполняют полупроводниковые Ф., служат Se, GaAs, CdS, Ge, Si и др.

Ф. обычно служат приёмниками излучения или приёмниками света (полупроводниковые Ф. в этом случае нередко отождествляют с фотодиодами); полупроводниковые Ф. используют также для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрич. энергию - в солнечных батареях, фотоэлектрических генераторах.

Основные параметры и характеристики Ф. 1) Интегральная чувствительность (ИЧ)- отношение фототока к вызывающему его световому потоку при номинальном анодном напряжении (у вакуумных Ф.) или при короткозамкнутых выводах (у полупроводниковых Ф.). Для определения ИЧ используют, как правило, эталонные источники света (напр., лампу накаливания с воспроизводимым значением цветовой темп-ры нити, обычно равным 2840 К). Так, у вакуумных Ф. (с сурьмяно-цезиевым катодом) ИЧ составляет ок. 150 мка/лм, у селеновых - 600 - 700 мка/лм, у германиевых - 3 • 104 мка/лм. 2) Спектральная чувствительность - величина, определяющая диапазон значений длин волн оптич. излучения, в к-ром практически возможно использовать данный Ф. Так, у вакуумных Ф. с сурьмяно-цезиевым катодом этот диапазон составляет 0, 2-0, 7 мкм, у кремниевых -0, 4- 1, 1 мкм, у германиевых - 0, 5-2, 0 мкм. 3) Вольтамперная характеристика - зависимость фототока от напряжения на Ф. при постоянном значении светового потока; позволяет определить оптимальный рабочий режим Ф. Напр., у вакуумных Ф. рабочий режим выбирается в области насыщения (область, в к-рой фототок практически не меняется с ростом напряжения). Значения фототока (вырабатываемого, напр., кремниевым Ф., освещаемым лампой накаливания) могут при оптимальной нагрузке достигать (в расчёте на 1 см2 освещаемой поверхности) неск. десятков ма (для кремниевых Ф., освещаемых лампой накаливания), а фотоэдс - нескольких сотен мв. 4) Кпд, или коэфф. преобразования солнечного излучения (для полупроводниковых Ф., используемых в качестве преобразователей энергии), - отношение электрич. мощности, развиваемой Ф. в номинальной нагрузке к падающей световой мощности. У лучших образцов Ф. кпд достигает 15-18%.

Ф. используют в автоматике и телемеханике, фотометрии, измерит. технике, метрологии, при оптич., астрофизич., космич. исследованиях, в кино- и фототехнике, факсимильной связи и т. д.; перспективно использование полупроводниковых Ф. в системах энергоснабжения космич. аппаратов, мор. и речной навигац. аппаратуре, устройствах питания радиостанций и др.

Лит.: Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963; Фотоэлектронные приборы, М., 1965; Васильев А. М., Ландсман А. П., Полупроводниковые фотопреобразователи, М., 1971. М. М. Колтун.

ФОТОЭФФЕКТ, испускание электронов веществом под действием электромагнитного излучения (фотонов). Ф. был открыт в 1887 Г. Герцем. Первые фундаментальные исследования Ф. выполнены А. Г. Столетовым (1888). Он установил, что в возникновении фототока в цепи, содержащей металлич. электроды и источник напряжения, существенную роль играет освещение отрицательного электрода и что сила фототока пропорциональна интенсивности света. Ф. Ленард (1899) доказал, что при освещении металлов из них испускаются электроны. Первое теоретич. объяснение законов Ф. дал А. Эйнштейн (1905). В дальнейшем теория Ф. была развита в наиболее последовательном виде И. Е. Таммом и С. П. Шубиным (1931). Большой вклад в экспериментальное исследование Ф. внесли работы А. Ф. Иоффе (1907), П. И. Лукирского и С. С. Прилежаева (1928).

Ф.- квантовое явление, его открытие и исследование сыграли важную роль в экспериментальном обосновании квантовой теории: только на её основе оказалось возможным объяснение закономерностей Ф. Свободный электрон не может поглотить фотон, т. к. при этом не могут быть одновременно соблюдены законы сохранения энергии и импульса. Ф. из атома, молекулы или конденсированной среды возможен из-за связи электрона с окружением. Эта связь характеризуется в атоме энергией ионизации, в конденсированной среде - работой выхода. Закон сохранения энергии при Ф. выражается соотношением Эйнштейна:

[ris]

Ф. может наблюдаться в газах на отдельных атомах и молекулах (фотоионизация).

Схематическое изображение фотоэлемента с внешним (а) и внутренним (б) фотоэффектом; К - фотокатод; А - анод; Ф - световой поток; n и р - области полупроводника с донорной и акцепторной примесями; Е - источник постоянного тока, служащий для создания в пространстве между К и А электрического поля, ускоряющего фотоэлектроны; Rн - нагрузка; пунктирной линией обозначен р - n -переход.

Первичным актом здесь является поглощение фотона атомом и ионизация с испусканием электрона. С высокой степенью точности можно считать, что вся энергия фотона за вычетом энергии ионизации передаётся испускаемому электрону. В конденсированных средах механизм поглощения фотонов зависит от их энергии. При hw, равных или не очень сильно (в десятки и сотни раз) превышающих работу выхода, излучение поглощается электронами проводимостиметаллах) или валентными электронами (в полупроводниках и диэлектриках), коллективизированными в твёрдом теле. В результате может наблюдаться фотоэлектронная эмиссия (внешний фотоэффект) с граничной энергией фотонов, равной работе выхода, или фотоэффект внутренний (фотопроводимость и др. фотоэлектрические явления) с граничной энергией фотонов, равной ширине запрещённой зоны.

При энергиях фотонов hw, во много раз превышающих энергию межатомных связей в конденсированной среде (гамма-излучение), фотоэлектроны могут вырываться из " глубоких" оболочек атома. Влияние среды на первичный акт Ф. в этом случае пренебрежимо мало по сравнению с энергией связи электрона в атоме и Ф. происходит так же, как на изолированных атомах. Эффективное сечение Ф. cф сначала растёт с со, а затем, когда hw становится больше энергии связи электронов самых глубоких оболочек атома, уменьшается. Такая зависимость cф от со качественно объясняется тем, что чем больше hw по сравнению с e i, тем пренебрежимее связь электрона с атомом, а для свободного электрона Ф. невозможен. Вследствие того, что электроны К-оболочки наиболее сильно связаны в атоме и эта связь возрастает с атомным номером Z, cф имеет наибольшее значение для К-электронов и быстро увеличивается при переходе к тяжёлым элементам (~Z5). При hw порядка атомных энергий связи Ф. является преобладающим механизмом поглощения гамма-излучения атомами, при более высоких энергиях фотонов его роль становится менее существенной по сравнению с др. механизмами: Комптона эффектом, рождением электронно-позитронных пар. Ядерным Ф. наз. поглощение у-кванта атомным ядром, сопровождающееся его перестройкой (см. Фотоядерные реакции).

Ф. широко используется в исследованиях строения вещества - атомов, атомных ядер, твёрдых тел (см. Фотоэлектрические явления), а также в фотоэлектронных приборах.

Лит.: Hertz Н., Ubеr einen Einfluss des ultravioletten Lichtes auf die electrische Ent-ladung, " Annalen der Physik und Chemie", 1887, Bd 31; Столетов А. Г., Избр. соч., М. -Л., 1950; Эйнштейн А., Собр. на-учн. тр., т. 3, М., 1966; Тamm I g.. Sсhubin S., Zur Theorie des Photoeffektes an Metallen, " Zeitschrift fur Physik", 1931, Bd 68; Лукирский П. И., О фотоэффекте, Л. -М., 1933; Стародубцев С. В., Романов А. М., Взаимодействие гамма-излучения с веществом, ч. 1, Таш., 1964. Т. М. Лифшиц.

ФОТОЭФФЕКТ ВНЕШНИЙ, то же, что фотоэлектронная эмиссия.

ФОТОЭФФЕКТ ВНУТРЕННИЙ, перераспределение электронов по энергетическим состояниям в конденсированной среде, происходящее при поглощении электромагнитного излучения. В неме-таллич. телах (полупроводниках и диэлектриках) Ф. в. проявляется в изменении электропроводности (см. Фотопроводимость), диэлектрической проницаемости среды (см. Фотодиэлектрический эффект) или в возникновении на её границах электродвижущей силы (см. Фотоэдс). В металлах из-за их высокой электропроводности Ф. в. неощутим. Ф. в. используется для изучения электрич. свойств веществ и неравновесных электронных процессов в них. Исследование Ф. в. позволяет определять ширину запрещённой зоны веществ, времена жизни электронов проводимости и дырок, механизмы и параметры процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда, свойства примесей и др. Ф. в. используется в фотоэлектронных приборах (см. Фоторезистор, Фотоэлемент, Фотодиод, Фототранзистор) и в устройствах для преобразования солнечной энергии в электрическую (см. Солнечная батарея).

Лит.: Рывкин С. М., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., 1963; Бьюб Р., Фотопроводимость твердых тел, пер. с англ., М., 1962; Фотопроводимость. Сб. ст., пер. с англ., М., 1967.

Т. М. Лифшиц.

ФОТОЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИИ, ядерный фотоэффект, поглощение атомными ядрами у-квантов с испусканием протонов р, нейтронов n или более сложных частиц. Наиболее изучены Ф. р. (у, р) и (у, n), известны также реакции (у, d), (у, рn), (у, d) и др. Для вырывания из атомного ядра протона или нейтрона (нуклонов) энергия у-кванта eY должна превышать энергию связи нуклона в ядре. Сумма эффективных поперечных сечений всевозможных Ф. р. называется сечением поглощения у-кванта ядром. Для всех ядер (за исключением очень лёгких) сечение cY при малых и больших энергиях у-кванта мало, а в середине имеется высокий широкий максимум, наз. гигантским резонансом (рис. 1).

Положение гигантского резонанса монотонно уменьшается с ростом массового числа А ядер от 20-25 Мэв в лёгких ядрах до 13 Мэв в тяжёлых. Зависимость энергии Ет, соответствующей вершине резонанса, от А описывается формулой: Em = 34 А-1/6. Ширина резонанса Г~4-8 Мэв; она минимальна у магических ядер- Г (208Рb) = 3, 9 Мэв, и максимальна у деформированных ядер - Г (165Но) = = 7 Мэв. В области гигантского резонанса кривая поглощения не является монотонной, а имеет определённую структуру. У деформированных ядер это двугорбая кривая (рис. 2, а). У лёгких и средних ядер и у нек-рых тяжёлых ядер наблюдается неск. максимумов шириной в сотни кэв (рис. 2, б). Распределение фотенейтронов по энергии в области резонанса близко к максвелловскому (см. Максвелла распределение). Вместе с тем есть отклонения: большим оказывается число нейтронов в высокоэнергетич. области спектра. Распределение фотопротонов в большинстве случаев не является максвелловским.

Гигантский резонанс связывают с возбуждением у-квантами собственных колебаний протонов относительно нейтронов(дипольные колебания). Нуклоны могут покидать ядро непосредственно в процессе дипольных колебаний, но могут испускаться и после их затухания. Упорядоченные колебания нуклонов постепенно переходят в весьма сложное " тепловое" движение. В результате образуется возбуждённое составное ядро, из к-рого " испаряются" протоны или нейтроны. Ширина Г гигантского резонанса определяется " временем жизни" дипольных колебаний. При энергии у-квантов, превышающей энергию гигантского резонанса, поглощающие 7-квант нуклоны, как правило, быстро покидают ядро, дипольные колебания не возникают (ядро не успевает " раскачаться") и механизм Ф. р. является " прямым" (см. Прямые ядерные реакции; напр., при eY, > = 70 Мэв механизм поглощения y-квантов становится двухнуклонным). Наряду с дипольными колебаниями в ядре могут возбуждаться квадрупольные, октупольные и др. типы колебаний, но их роль в Ф. р. не существенна. Иногда Ф. р. наз. процессы, в к-рых у-кванты высокой энергии (~1, 5*10-8 эв), поглощаясь ядрами или отдельными нуклонами, вызывают рождение пи-мезонов (напр., у + р-> n + п-; у + р-> p+п°) и др. элементарных частиц.

Лит.: Айзенберг И. М., Грайнер В., Механизмы возбуждения ядра, пер. с англ., М., 1973; Широков Ю. М., Юдин Н. П., Ядерная физика, М., 1972; Левинджер Д ж., Фотоядерные реакции, пер. с англ., М., 1962. Н. П. Юдин.

ФОФАНОВ Аникита Фёдорович (г. рожд. неизв., Псков, - после 1618, Москва), русский печатный мастер. Работал в Москве в 1606-18. Изготовил т. н. никитинский шрифт, интенсивно использовавшийся на протяжении всей 1-й пол. 17 в. Первое известное издание Ф.-" Минея общая" (1609). В годы польской и шведской интервенции Ф. вывез свою " печатную избу" в Нижний Новгород. В 1613 здесь был напечатан т. н. Памятник нижегородской печати, повествующий о событиях нач. 17 в., о " смутном времени". В 1615 в Москве напечатал " Псалтирь", в 1618 -" Октоих".

Лит.: Киселев Н. П., Немировский Е. Л., Книгопечатание в Москве XVII в., в кн.: 400 лет русского книгопечатания, [т. 1], М., 1964.

ФОФАНОВ Константин Михайлович [18 (30). 5. 1862, Петербург, - 17 (30). 5.1911, там же], русский поэт. Обучался в частных пансионах. Выступил в печати в 1881. Первый сб.-" Стихотворения" (1887). Наиболее полно поэтич. своеобразие Ф. выявлено в третьем сб.-" Тени и тайны" (1892). Для поэзии Ф. характерно романтич. противопоставление идеала миру низкой действительности, в изображении к-рой обнаруживаются подчас реалистич. тенденции; уход от трагичности реальной жизни был вызван у Ф. гл. обр. не эстетич., а социальными побужде ниями. Пассивность демократии. позиции, декларативность, штампы, дилетантская неточность слова соседствовали у Ф. с искренностью, живописной выразительностью, тонким психологизмом. Им-прессионистич. приёмы в изображении города, внимание к больным состояниям души делали поэзию Ф. явлением переходным от традиц. форм к модернизму.

Соч.: Стихотворения и поэмы. [Вступ. ст. Г. Цуриковой], М.-Л., 1962.

Лит.: Венгеров С. А., Очерки по истории русской литературы, СПБ, 1907; Брюсов В., Далекие и близкие, М., 1912; Тагер Е. Б., Возникновение модернизма, в кн.: Русская литература конца XIX - начала XX в., М., 1968. Ю. И. Шведова.

ФОФАНОВА Маргарита Васильевна [20.9 (2.10). 1883, с. Зырянка, ныне Соликамского р-на Пермской обл., - 29.3.1976, Москва], участница росс. революц. движения с 1902. Чл. КПСС с апреля 1917. Род. в семье служащего. Революц. работу вела в Перми, Архангельске, Симферополе, Уфе; с 1910 - в Петербурге, училась на Высших жен. с.-х. курсах. В 1917 деп. Петрогр. совета. На квартире Ф. [Сердобольская ул., д. 1/92, кв. 41 (ныне проспект К. Маркса, д. 106, кв. 20)] нек-рое время после июльских дней 1917 и в октябре партия укрывала В. И. Ленина (с 1938 в квартире - мемориальный музей В. И. Ленина); Ф. была одним из связных между Лениным и ЦК РСДРП(б). После Октябрьской революции 1917 чл. коллегии Нар-комзема, с 1922 на адм.-хоз. работе. С 1934 персональный пенсионер. Делегат 25-го съезда КПСС. Автор воспоминаний о Ленине. Награждена орденом Ленина, орденом Октябрьской Революции и медалями.

Лит.: Ленин В. И., Полн. собр. соч., 5 изд. (см. Справочный т., ч. 2, с. 481).

ФОХТ Александр Богданович [16(28). 9.1848, Москва, -23.8.1930, там же], советский патолог и терапевт, один из основоположников экспериментальной кардиологии и клинико-эксперимент. направления в патологии. В 1870 окончил мед. ф-т Моск. ун-та. С 1880 проф. кафедры общей патологии там же. Организатор (1891) и руководитель Ин-та общей и экспериментальной патологии при Моск. ун-те и одновременно (с 1906) преподаватель общей патологии Моск. высших женских курсов. В 1911 в знак протеста против реакционной политики мин. просвещения Л. А. Кассо вышел в отставку. В 1912 основал Ин-т общей патологии при 2-й Градской больнице (с 1930 кафедра патологич. физиологии 2-го Моск. мед. ин-та). С 1917 снова проф. Моск. ун-та. В 1920-23 читал курс органопатологии в Высшей мед. школе.

Осн. труды по изучению приспособит., компенсаторных реакций организма на воздействие болезнетворных факторов, роли нервных и гуморальных механизмов регуляции функций при патологии сердечно-сосудистой, эндокринной, лим-фатич. и мочевыделит. систем. Разработал экспериментальные модели патологи сердца и показал значение коллатерального кровообращения при закрытии различных ветвей венечных артерий; выявил депрессорный эффект раздражения центр. концов печёночных ветвей блуждающих нервов; установил рефлекторные нарушения сердечной деятельности при эмболии лёгочной артерии. Создал науч. школу.

Соч.: Исследования о воспалении околосердечной сумки, М., 1899; О функциональных и анатомических нарушениях сердца при закрытии венечных артерий, М., 1901;

О нарушениях кровообращения и деятельности сердца при эмболии лёгочной артерии, М., 1903 (совм. с В. К. Линдеманом); Лекции общей патологии, [кн.] 1-2, М., 1910-13; Патология сердца, 3 изд., М., 1920.

Лит.: Андреев Ф. А., Из истории московской школы патологов, " Архив патологии", 1949, т. 11, в. 6; Актуальные вопросы патологической физиологии, М., 1969, с. 32 - 37. Ю. А. Шилинис.

ФОХТ, Фогт (Vogt) Карл (5.7.1817, Гисен, - 5.5.1895, Женева), немецкий естествоиспытатель и философ, представитель вульгарного материализма; участник Революции 1848, член Франкфуртского нац. собрания; был заочно приговорён к смертной казни и до конца жизни жил в эмиграции в Швейцарии; с 1852 проф. Женевского ун-та.

Ф., популяризируя идеи естественно-науч. материализма, дарвинизма и атеизма, отождествлял сознание с материей и полагал, что мозг выделяет мысль так же, как печень - жёлчь. Соч. Ф. переведены на мн. европ. языки; они оказали влияние на развитие материализма и атеизма в России 60-х гг. 19 в. (Д. Писарев и др.). Ф. враждебно относился к рабочему движению и социализму. Резкую критику личности Ф. и его политич. позиции дал К. Маркс в работе " Господин Фогт" (см.К. Маркс и Ф. Энгельс, Соч., 2 изд., т. 14, с. 395- 691).

Соч.: Kohlerglaube und Wissenschaft, 4 Aufl., GieBen, 1856; Aus meinem Leben, Stuttg., 1896; в рус. пер. - Человек и его место в природе, т. 1 - 2, СПБ, 1863 - 65; Естественная история мироздания, М., 1863; Физиологические письма, 2 изд., в. 1 - 2, СПБ, 1867.

Лит.: Vogt W., La vie d'un homme: Carl Vogt, P., 1896.

ФОШ (Foch) Фердинанд (2.10.1851, Тарб, -20. 3. 1929, Париж), маршал Франции (1918), брит. фельдм. (1919) и маршал Польши (1923), чл. Франц. академии (1918). С 1873 арт. офицер. Окончил Высшую воен. академию во Франции (1887), где был проф. в 1895-1900, а в 1908-11 её начальником. В начале 1-й мировой войны 1914-18 командовал корпусом, затем 9-й армией, в 1915-16- группой армий " Север". С мая 1917 нач. Генштаба, с апр. 1918 верх. главнокомандующий союзными войсками. Сыграл значит. роль в победе союзников над коалицией центр. держав. В 1918-20- один из активных организаторов воен. интервенции в Сов. Россию. Автор воен.-теореич. работ и мемуаров.

Соч.: О ведении войны, пер. с франц., 2 изд., М., 1937; Воспоминания (Война 1914 - 1918 гг.), пер. с франц., М., 1939.

Лит.: Gaquеrе С. F., Vie populaire du marechal Foch, Arras, 1955; Grasset A., Foch ou la volonte de vaincre, P., 1964.

ФОШАНЬ, город на Ю. Китая, в пров. Гуандун. Ок. 325 тыс. жит. (1975). Пром. город-спутник г. Гуанчжоу. Шелкоткацкая, цем., сах., деревообр., фарфоровая, стек., пищ. пром-сть; ремёсла.

ФОШЕ (Fauchet) Клод (22.9.1744, Дорн, -31.10.1793, Париж), деятель Великой франц. революции. До революции - викарий архиепископа Буржа. Участвовал во взятии Бастилии (14 июля 1789). В 1789-90 чл. Парижской Коммуны. Один из руководителей " Социального кружка" (1789-91) и " Об-ва друзей истины" (осн. в 1790). В издававшейся им совместно с Н. Бонвилем в 1790-91 газ. " Буш де фер" (" La Bouchede fer") пропагандировал революц. идеи эгалитаризма. В 1791 занял место " конституционного" (присягнувшего конституции) епископа в Кальвадосе. В проповедях выдвигал радикальные социальные требования. Свой идеал " социального братства" обосновывал теорией естественного права и идеями христианства. Избранный в За-конодат. собрание, а затем в Конвент, сблизился с жирондистами. Голосовал против казни Людовика XVI; выступал в печати против якобинцев. Привлечённый по делу об убийстве Марата Шарлоттой Корде (хотя прямого участия в убийстве не принимал), был гильотинирован по приговору Революц. трибунала.

ФРА АНДЖЕЛИКО (Fra Angelico) (ок. 1400-55), итальянский живописец. См. Анджелико.

ФРА БАРТОЛОММЕО (Fra Bartolom-meo) (1472-1517), итальянский живописец. См. Бартоломмео Фра.

ФРАГМЕНТ (от лат. fragmentum - обломок, кусок), часть произведения искусства, отрывок текста.

ФРАГМИПЕДИУМ (Phragmipedium), род наземных многолетних травянистых растений сем. орхидных. Цветки, напоминающие по форме цветки башмачка, собраны в соцветия. Ок. 11 видов, в тропич. Америке. Выращивают в оранжереях как декоративные растения.

ФРАГМОПЛАСТ (от греч. phragmos- перегородка и plastos - вылепленный, оформленный), образование, возникающее между дочерними ядрами при делении клеток высших растений и состоящее из микротрубочек, канальцев эндоплазматической сети и мелких пектиновых гранул. В экваториальной плоскости Ф. происходит скопление пузырьков, вероятно, производных Гольджи комплекса, развивающееся затем в клеточную перегородку, или пластинку, - будущую клеточную стенку (рис.). По обе стороны от неё начинается отложение целлюлозы. Постепенно, по мере образования клеточной стенки, Ф. перемещается к периферии материнской клетки и продолжает функционировать до смыкания вновь образующейся клеточной стенки с оболочкой материнской клетки. См. Цитотомия.

ФРАГОНАР (Fragonard) Жан Оноре (5.4.1732, Грас, Прованс, -22.8.1806, Париж), французский живописец и график. Учился у Ж. Б. С. Шардена и Ф. Буше в Париже. В 1756-61 работал в Италии, где исполнил циклы пейзажных рисунков (окрестности Рима и Неаполя). Привязанность к конкретно-неповторимому и непосредственно-эмоциональному в жи вой реальности побудила Ф. перейти от опытов ист. живописи (" Корез и Каллироя", 1765, Лувр, Париж) к бытовому жанру, пейзажу и портрету. Продолжая традиции " галантного" жанра Буше, порой отдавая дань условности и изощрённости рококо, Ф. вместе с тем достигал особой проникновенности в воссоздании лирич. сцен повседневной (в т. ч. народной) жизни, сферы интимных человеческих чувств, поэзии природы. Отличающиеся свежестью и изысканной декоративностью колорита, лёгкостью и темпераментностью письма, плавными композиц. ритмами, произв. Ф. исполнены чувствит. неги, полнокровного наслаждения жизнью (" Качели", 1766, собр. Уоллес, Лондон, илл. см. на вклейке к стр. 465; " Праздник в Сен-Клу", 1775, Франц. банк, Париж; " Купающиеся наяды", Лувр, Париж), пронизаны чуть заметной насмешкой над жеманным томлением персонажей (" Поцелуй украдкой", Эрмитаж, Ленинград) или согреты искренним, несколько сентиментальным сочувствием судьбе героев (" Бедное семейство", Музей изобразит. иск-в им. А. С. Пушкина, Москва; " Дети фермера", Эрмитаж, Ленинград). Утончённые эффекты светотеневой градации характерны для его многочисл. рисунков (сангиной, бистром, реже - сепией) и офортов. Во время Великой франц. революции Ф.- хранитель Нац. музея и чл. жюри художеств. выставок.

Лит.: Лившиц Н. А., Жан-Оноре Фрагонар, [М., 1970]; The paintings of Fragonard, complete, ed. by G. Wildenstein, [L., I960]; AnanoffA., L'oeuvre dessine de J.-H. Fragonard. (1732-1806), v. 1-4, P., 1961 - 71.

ФРАДКИН Ефим Самойлович (р. 24. 2.1924, с. Щедрин, ныне Гомельской обл. БССР), советский физик, чл.-корр. АН СССР (1970). Чл. КПСС с 1945. Окончил Львовский ун-т (1948). В 1942-47 в Сов. Армии. С 1948 работает в Физ. ин-те АН СССР. Осн. труды по квантовой теории поля, квантовой статистике, гидродинамике и др. Использовал методы функционального анализа в теории релятивистских полей. Разработал модифицированную теорию возмущений для теории взаимодействующих частиц, получил перенормированные уравнения теории поля и исследовал их решения. Ввёл функциональные методы в квантовую статистику, где им была развита диаграммная техника. Гос. пр. СССР (1953). Награждён 3 орденами, а также медалями.






© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.