XVII, Кино 1 страница

В 1922 один из основоположников нац. кинематографии Ш. Шикли снял короткометражный фильм " Зохра", в 1924 - первый полнометражный фильм " Дочь Карфагена". В 1939 вышла на экран первая в Т. звуковая кинокартина на араб. яз. " Безумец из Кайруана" (реж. Ж. Крези ). После завоевания независимости (1956 ) создано " Тунисское об-во по производству и прокату фильмов" (1957 ). В 60-70-е гг. выпущены: " Рассвет" (1966 ), " Повстанец" (1967 ), " Феллахи" (1970 ) (реж. всех фильмов О. Хлифи ), посв. проблеме нац. независимости, " Мохтар" (1968; реж. С. бен Айша ) о жизни совр. молодёжи, " В краю Тараннани" (1970; реж. Ф. Бугедир, X. Б. Халиф и др. ) о тунисском писателе Али ад-Дуажи, " Такая простая история" (1970 ), " Санжан" (1974; реж. обоих фильмов А. бен Аммар ), " А завтра? " (1972, реж. И. Бабаи ) и др. Среди киноактёров: А. Лотфи, X. Рашди, С. Ахмед, X. Шаари, А. Хаиза, X. Диб, Л. Сайд. С 1966 в Карфагене проводится Междунар. кинофестиваль. Ежегодно выпускается 2-3 художеств. фильма. В 1975 работало 114 кинотеатров.

ТУНИС, столица Туниса, гл. экономич. и культурный центр страны, адм. ц. пров. Тунис. Расположен на зап. берегу Тунисской бухты Средиземного м., вокруг лагунного оз. Тунис. Климат субтропический морской. Ср. месячные температуры: янв. 10, 2 ⁰С, июля 25, 6 °С. Осадков 444 мм в год. Нас. 970 тыс. чел. (1975, с пригородами ). Узел жел. и шосс. дорог. Аэропорт междунар. значения. Порт (грузооборот с аванпортом Халькэль-Уэд 2, 8 млн. т в 1974 ). Вывоз жел. руды, фосфоритов, свинца, оливкового масла, фруктов, овощей. Предприятия пищ., текст., металлообр., хим., цем., стек., полиграфич., цветной металлургии и др. отраслей пром-сти - в основном на Ю.-В., Ю. и С.-В. города.

Как пригород Карфагена Т. известен за неск. веков до н. э. С кон. 7 - нач. 8 вв. н. э., после взятия (698 ) и окончательного разрушения арабами Карфагена, началось возвышение собственно Т. как крупного экономич. и культурного центра Сев. Африки. В 13-16 вв. столица восточномагрибского гос-ва Хафсидов. В 1535 захвачен и разграблен войсками исп. короля Карлоса I (Карла V ). В 1574 вошёл в состав Османской империи. В 1881-1956 адм. центр франц. протектората. В нояб. 1942 - мае 1943 оккупирован итало-герм. войсками. Центр нац.-освободит. движения (важнейшие выступления в 1911, 1936, 1938, 1952-54 ). С 20 марта 1956 столица независимого Туниса.

Ср.-век. Т, был вытянут овалом с С. на Ю.; от ограждавших его стен сохранились ворота Баб эль-Джадид (13 в. ) и Баб эль-Менара (13 в. ). Пам. архитектуры: Большая мечеть (мечеть Зейтуна, с 732, осн. стр-во - 856-857 ); мечети - эль-Халик (1375 ), Мелласин (1435 ), Юсуф Дея (1616 ), Сиди Махрез (с 1675); дворец Дар эль-Бей (кон. 18-19 вв. ); мавзолеи - Бени Хорасан (1093 ) и Ху-сейнидов (18 в. ). Вокруг ср.-век. Т. с кон. 19 в. интенсивно растут новые кварталы. Совр. застройка ведётся преим. по проекту 1962-63 (болг. арх. Л. Тонев). В 20 в. сооружены ун-т (арх. Б. Зерфюсс, В. Гропиус), Олимпийский комплекс (болг. арх. Н. Паскалев, Н. Чипев, инж. Г. Апостолов ) -оба 1960-е гг.; отели: " Африка" (арх. К. О. Какуб, Ж. Кириакопулос ), " Дю Лак" (1970-е гг. ). Нац. музей Бардо (во дворце Бардо, 18- 19 вв., антич. и исламское иск-во ), Музей исламского иск-ва (во дворце Дар Хусейн, 18 в. ).

Тунисский ун-т, Нац. адм. школа, Нац. консерватория музыки, танца и нар. иск-ва. Н.-и. учреждения: Центр по ядерным исследованиям, Нац. ин-т питания, Нац. ин-т вет. исследований, Ин-т Па-стера, Нац. ин-т пед. исследований, Нац. ин-т агрономич. исследований и др. Нац. б-ка, Публ. б-ка, Муниципальный театр.

Лит.: Revault J., Palais et demeures cte Tunis (XVI et XVII siecles), P., 1967; его жe, Palais et demeures de Tunis (XVIII et XIX siecles), P., 1971.

ТУНИСИ, ат-Туниси Хайраддин (1826-1889), тунисский просветитель и гос. деятель 19 в.; см. Хайраддин ат-Туниси.

ТУНИССКАЯ КОММУНИСТИЧЕСКАЯ ПАРТИЯ (ТКП; Хизб ащ-Шуюий ат-Тунисий ), создана в 1939 на базе существовавшей с 1920 Коммунистич. федерации Туниса, входившей во Франц. коммунистич. партию. Тунисские коммунисты вели активную работу среди трудящихся, призывая их к борьбе против франц. протектората, за независимость Туниса; им принадлежит заслуга распространения марксистских социалистич. идей в Тунисе. 1-й съезд ТКП (20- 21 мая 1939 ) призвал тунисский народ сплотиться для борьбы за нац. независимость. Съезд отметил, что гл. препятствием на пути независимого развития угнетённых народов является наступление фашизма. В годы 2-й мировой войны 1939-45 ТКП последовательно боролась против фашизма и вишистского пр-ва Франции. В период оккупации Туниса итало-герм. фаш. войсками (нояб. 1942 - май 1943 ) ТКП руководила вооруж. борьбой тунисского Движения Сопротивления.

В послевоен. годы ТКП прилагала большие усилия для объединения всех прогрессивных и революц. сил Туниса, добиваясь единства антиимпериалистич. действий с партией Новый дустур (см. Социалистическая дустуровская партия). В результате репрессий колониальных властей ТКП была ослаблена; к тому же она неверно оценила характер освободит. борьбы народа в 1952-54. С 1954 ТКП работала в легальных условиях и сыграла значительную роль в массовых выступлениях народа за отмену режима протектората. 6-й съезд ТКП (29-31 дек. 1957 ), собравшийся после получения Тунисом независимости (20 марта 1956 ), принял новую программу (первая принята в 1939 ) партии " За тунисский путь к социализму". 7-й съезд (25-27 марта 1962 ) в своих решениях поддержал проводившиеся в тот период прогрессивные мероприятия тунисского пр-ва, направленные на укрепление суверенитета и независимости Туниса. В янв. 1963 ТКП и её печатный орган газ. " Ат-Талиа" (" Авангард" ) были запрещены властями, отд. руководители партии подверглись репрессиям. В 1968 был организован суд. процесс над группой тунисских коммунистов. В трудных условиях ТКП продолжает бороться за единство действий революц. антиимпериалистических сил Туниса. В 1974 ТКП опубликовала программное заявление " За новый прогрессивный и демократический выбор", в к-ром дан анализ обстановки в Тунисе и ставится задача объединения патриотич. сил народа в борьбе за демократизацию обществ. жизни и социальный прогресс.

Делегации ТКП участвовали в междунар. Совещаниях представителей коммунистич. и рабочих партий (1957, 1960, 1969, Москва ). ТКП одобрила принятые этими совещаниями документы. Первый секретарь ЦК ТКП - М. эн-Нафаа.

Лит.: Иванов Н. А., Кризис французского протектората в Тунисе, М., 1971, гл. 9; La lutte clandestine du Party communiste de Tunisie contre les Hitleriens et les valets a leur service. Documents. Tunis, 1951; Ennafaa M., Ou va la politique tunisienne de developpement?, [1967]; Pour une nouvelle alternative progressiste et democratique, [Tunis, 1974]. О. В. Богушевич.

ТУНИССКИЙ ATЛАС, общее название горных хребтов на С.-З. Туниса, ограниченных на Ю. долиной р. Меджерда. Т. А. является продолжением алж. Тель-Атласа. В Т. А. входят т. н. Береговой Атлас, горы Крумирия, массивы Могодс, Хедиль и Беджава.

ТУНИССКИЙ ПРОЛИВ, Сицилийский пролив, в Средиземном м., между о. Сицилия и побережьем Туниса. Наименьшая шир. 148 км; глуб. в жёлобе, пересекающем прол. с С.-З. на Ю.-В., 300-800 м; наибольшая (ок. 1000- 1200 м) - у входа в пролив с С. и Ю.-В.; много отмелей. В Т. п. расположен о. Пантеллерия.

ТУНИСЦЫ, нация, осн. население Туниса. Числ. ок. 5, 5 млн. чел. (1975, оценка ). Почти все Т. говорят на вост.-магрибском (тунисском ) диалекте арабского языка, небольшая часть (менее 1 % ) на о. Джерба и в юж. горных р-нах - на местном диалекте берберского языка. Верующие Т.- преим. мусульмане-сунниты (малекитского толка ). Большинство Т. занято в земледелии, жители внутр. степных областей, сохраняющие полукочевой образ жизни, - скотоводы.

Т. складывались в результате смешения древних коренных жителей страны - берберов с проникавшими в Сев.-Зап.

Африку арабами (начиная с 7 в. ) в ходе формирования тунисского гос-ва. Консолидации Т. в нацию способствовали нац.-освободит. движение против франц. колон. господства (1881-1956 ), укрепление политич. и экономич. независимости Туниса после провозглашения республики (1957 ). Об истории, х-ве и культуре Т. см. в ст. Тунис. Г. Н. Уткин.

ТУНКИН Григорий Иванович [р. 30.9 (13.10 ). 1906, дер. Чамово Архангельской обл.], советский юрист-международник и дипломат, чл.-корр. АН СССР (1974 ), засл. деятель науки РСФСР (1972 ). Чл. КПСС с 1939. В 1935 окончил Моск. юри-дич. ин-т. С 1939 на дипломатич. работе. В 1952-65 зав. договорно-правовым отделом МИД СССР. Чл. Комиссии междунар. права ООН (1957-66 ), Кураториума Академии междунар. права, пред. Советской ассоциации междунар. права (с 1957 ). Почётный доктор Парижского ун-та. Награждён 5 орденами, а также медалями.

Соч.: Вопросы теории международного права, М., 1962; Идеологическая борьба и международное право, М., 1967; Теория международного права, М., 1970.

ТУНКИНСКАЯ КОТЛОВИНА, система межгорных понижений на 3. Бурят. АССР. Ограничена склонами хр. Хамар-Дабан на Ю. и Тункинских Гольцов на С. Общая дл. ок. 200 км, шир. от 20 до 40- 50 км. Состоит из ряда самостоятельных котловин - Мондинской, Xойтогольской, Туранской, Тункинской, Торской, разделённых возвышенными перемычками. Высота понижается с 3. на В. от 1400 м до 500-600 м. По дну котловин течёт р. Иркут и её притоки. На равнинах межгорных котловин преобладают степные (обычно распаханные ) и лесостепные ландшафты с лиственнично-берёзовыми перелесками и сосновыми борами; на более возвышенных участках на дерново-подзолистых почвах - парковые лиственничные леса. Посевы зерновых и молочное животноводство. Минеральные источники (см. Нилова Пустынь).

ТУНКИНСКИЕ ГОЛЬЦЫ, горный хребет Вост. Саяна на 3. Бурят. АССР. Дл. ок. 180 км, выс. до 3266 м. Сложен преим. кристаллич. сланцами и гранитами. Большая часть хр. Т. Г. представляет собой сильно расчленённые средневысотные горы; в пригребневой части - альпийский рельеф. На склонах до выс. 1800- 2000 м - лиственничная и кедрово-лиственничная горная тайга, выше - горнотундровая растительность.

ТУНМЭНХОЙ, Объединённый союз, Союзная лига, китайская революц. орг-ция, созданная Сунь Ят-сеном в 1905 в Японии на базе С инчжунхоя и др. антиманьчжурских орг-ций. В Т. входили представители средней и мелкой гор. буржуазии, кит. помещиков (выступавших против маньчжурского пр-ва ), крестьянства. Программа Т., в основе к-рой лежали выработанные Сунь Ят-сеном принципы национализма, народовластия и нар. благосостояния, включала след. требования: " изгнать маньчжуров, восстановить суверенитет Китая, создать республику, осуществить уравнение прав на землю". Последнее требование трактовалось в духе утопич. идей амер. бурж. экономиста Г. Джорджа (фиксация цены на землю и передача дифференциальной ренты гос-ву ). В программе, однако, отсутствовали чёткие и последовательные антифеод. требования, не выдвигалась задача борьбы с империализмом. Т. являлся первой общекит. бурж.-революц. партией. Его отделения были созданы в каждой провинции Китая, а также во мн. странах, где проживали кит. эмигранты. Т. издавал свой орган - журн. " Миньбар". С 1906 по 1911 Т. подготовил и провёл ряд вооруж. восстаний в Юж. и Центр. Китае. Т. являлся ведущей политич. силой Синъхайской революции, в результате к-рой была свергнута маньчжурская монархия и провозглашена республика. После Учанского восстания правые элементы Т. стали склоняться к компромиссу с лидером кит. контрреволюции Юань Ши-каем, отдав ему в конце концов власть. В февр. 1912, после отречения Цинской династии, Т. принял новую программу, в к-рой лозунг " уравнение прав за землю" был заменён абстрактным, расплывчатым требованием " проводить политику гос. социализма". Программа также предусматривала введение всеобщего образования, уравнение в политич. правах мужчин и женщин, требование равноправия Китая в области междунар. отношений. В авг. 1912 Т. объединился с неск. политич. орг-циями либеральной буржуазии, в результате чего возникла партия гоминьдан.

Лит.: Данилов В. И., " Объединенная революционная лига Китая" и ее роль в подготовке революции 1911 - 1912 гг., М., 1959; Ефимов Г. В., Буржуазная революция в Китае и Сунь Ят-сен. 1911 - 1913 гг., М., 1974. Е. А. Белов.

ТУННЕЛЬ, см. Тоннель.

ТУННЕЛЬНАЯ ЭМИССИЯ (автоэлектронная, холодная, электростатическая, полевая ), испускание электронов твёрдыми и жидкими проводниками под действием внешнего электрич. поля Е высокой напряжённости (Е~10⁷ в /см). Т. э. была обнаружена в 1897 Р. Вудом (США ). В 1929 Р. Милликен и К. Лоритсен установили линейную зависимость логарифма плотности тока j Т. э. от обратной напряжённости электрич. поля: 1/Е. В 1928-29 Р. Фаулер и Л. Нордхейм дали теоретич. объяснение Т. э. на основе туннельного эффекта. Т. э.-результат туннельного " просачивания" электронов сквозь потенциальный барьер, существующий на границе проводник - вакуум (или др. среда ). Сильное электрическое поле снижает этот барьер и делает его достаточно проницаемым (т. е. относительно тонким и невысоким ). Распространённый термин " автоэлектронная эмиссия" отражает отсутствие энергетических затрат на возбуждение электронов, свойственных др. видам электронной эмиссии. В зарубежной литературе принят термин " полевая эмиссия" (field emission ).

Плотность тока Т. э. j составляет часть плотности потока электронов п, падающих изнутри проводника на барьер, и определяется прозрачностью барьера D:
[ris]

Здесь б - доля энергии электрона, связанная с компонентой его импульса, нормальной к поверхности проводника, Е - напряжённость электрич. поля у поверхности, е - заряд электрона. Из формулы (1 ) следует зависимость j от концентрации электронов в проводнике и их энергетич. спектра, а также от высоты и формы барьера, определяющих его прозрачн о сть D. Наиболее полно изучена Т. э. металлов в вакуум. В этом случае величина j следует закону Фаулера - Нордхейма:
[ris]

Здесь h - Планка постоянная, т - масса электрона, ф - потенциал работы выхода металла, t(y) и [ris] - табулированные функции аргумента [ris] Подставив значения констант и положив

[ris] получим из формулы (2 ) приближённое соотношение:
[ris]

(величины j, E и ф соответственно в а/см², в/см и эв ). Значения lg j для нек-рых Е и ф приведены в табл.

Формула (2 ) получена в предположениях, что темп-pa Т = О К и что вне металла в отсутствие поля на электроны действуют только силы зеркального изображения (см. Работа выхода). Форма потенциального барьера для этого случая показана на рис. 1.

[ris]

Рис. 1. Потенциальная энергия и электрона вблизи поверхности металла (х-расстояние от поверхности); [ris] -' в отсутствии электрического поля; [ris] - в однородном внешнем электрическом поле; [ris] -суммарная потенциальная энергия электрона; [ris] - энергия Ферми металла; [ris] - ширина потенциального барьера в присутствии поля.

Прозрачность барьера D может быть рассчитана по методу Венцеля - Крамерса - Бриллюэна. Несмотря на упрощения, теория Фаулера - Нордхейма хорошо согласуется с экспериментом.

На практике обычно измеряют зависимость тока I = jS (S - площадь эмитирующей поверхности ) от напряжения V: [ris] (а - т. н. полевой множитель ). T. э. металлов характеризуется высокими предельными плотностями тока до величин j ~ 10¹⁰ а/см², что объясняется теорией Фаулера - Нордхейма. Лишь при у~10⁶-10^-9 а/см² имеют место отклонения от формулы (2 ), связанные с влиянием объёмного заряда или же с деталями формы потенциального барьера вблизи поверхности металла. Неограниченное повышение напряжения приводит при j ~ 10⁸-10¹⁰ а /с м ² к электрич. пробою вакуумного промежутка и гибели эмиттера, к-рому предшествует интенсивная кратковременная взрывная эмиссия электронов.

Т. э. слабо зависит от темп-ры. Малые отклонения от формулы (2 ) с ростом темп-ры Т пропорциональны Т ²:
[ris]

Формула (4 ) верна с точностью до 1% для приращений тока < = 18%. Для больших изменений тока применяют более громоздкие формулы и графики, рассчитанные на ЭВМ. С ростом темп-ры и понижением Е т. н. термоавто-электронная эмиссия смыкается с термоэлектронной эмиссией, усиленной полем (Шотки эффектом).

Энергетич. спектр электронов, вылетающих из металла при Т. э., узок (рис. 2 ).
[ris]

Рис. 2.Энергетический спектр электронов, испускаемых при туннельной эмиссии для разных температур Т и электрических полей Е; ф = 4, 5 эв.

Полуширина (сигма) распределения электронов по полным энергиям [ris] (в эв ) при Т =0 К определяется формулой:
[ris]

При ф = 4, 4эв а изменяется от 0, 08 до 0, 2 эв (для изменений j от 0 до 7 ). С повышением Т (сигма) _т возрастает, в частности при 300 К (и тех же изменениях j) (сигма) _т изменяется от 0, 17 до 0, 3 эв. Характер энергетич. распределения электронов отклоняется от теоретического в случае сложной конфигурации Ферми поверхности или при наличии на поверхности металла адсорбированных ат о мов (особенно неметаллических ). Если на поверхности металла есть адсорбированные органич. молекулы (или их комплексы ), то электроны проходят сквозь них, они играют роль волноводов для соответствующих волн де Бройля. При этом наблюдаются типичные для волноводов распределения электронной плотности по сечению волновода. Энергетич. спектры электронов в этом случае отличаются аномалиями.

Отбор тока при низких темп-pax приводит к нагреву эмиттера, т. к. вылетающие электроны уносят энергию в среднем меньшую, чем Ферми энергия, тогда как электроны, вновь поступающие в металл, имеют именно эту энергию (Ноттингема эффект ). С возрастанием Т нагрев сменяется охлаждением (инверсия эффекта Ноттингема ) при переходе через нек-рую темп-ру, соответствующую симметричному (относительно энергии Ферми ) распределению вышедших электронов по полным энергиям. При больших токах, когда эмиттер разогревается джоулевым теплом, инверсия эффекта Ноттингема (частично ) препятствует лавинному саморазогреву и стабилизирует ток Т. э.

Автоэлектронные эмиттеры изготавливают в виде поверхностей с большой кривизной (острия, лезвия, шероховатые края фольги и т. п. ). В случае, напр., острий с радиусом закругления 0, 1-1 мкм напряжения ~ 1-10 кв обычно бывает достаточно для создания у поверхности острия поля Е ~ 10⁷ в/см. Для отбора больших токов применяются многоострийные эмиттеры.

Стабильность тока Т. э. обеспечивается постоянством распределения ф и а вдоль поверхности эмиттера. Обе величины могут изменяться под влиянием адсорбции и миграции атомов как посторонних веществ, так и материала эмиттера. Локальные а возрастают при миграции материала поверхности в присутствии сильного электрич. поля. В пространстве катод-анод и на поверхности анода электронный пучок создаёт положит. ионы, к-рые бомбардируют эммитер, разрушая его поверхность. Поэтому повышение стабильности Т. э. связано с улучшением вакуума и очисткой электродов, использованием импульсного напряжения, умеренным подогревом эмиттера для защиты от адсорбции остаточных газов и заглаживания дефектов в местах удара ионов. В сверхвысоком вакууме (где поверхность эмиттера остаётся чистой в течение часов или суток ) была исследована Т. э. монокристаллов практически всех тугоплавких металлов, а также химич, соединений с металлической электропроводностью ZrC, LaB₆ и др. Наиболее полно изучена Т. э. W, Мо и Re.

Применения Т. э. металлов связаны с возможностью получения больших токов либо интенсивных электронных пучков. Холодные металлич. катоды перспективны и используются в сильноточных устройствах: для получения рентгеновских вспышек или электронных пучков, выводимых наружу сквозь тонкую фольгу; для накачки в квантовых генераторах; для формирования электронных сгустков при коллективном ускорении тяжёлых ионов (см. Ускорители заряженных частиц). Нелинейность вольт-амперной характеристики приборов с Т. э. используется в умножителях частоты и смесителях, в усилителях и детекторах сигналов СВЧ и т. д. Автоэлектронный эмиттер как интенсивный точечный источник электронов применяется в растровых электронных микроскопах. Он перспективен в рентгеновской и электронной микроскопии, в рентгеновских микроанализаторах и электроннолучевых приборах высокого разрешения. Автоэлектронные катоды перспективны в микроэлектронике и как чувствительные датчики изменения напряжения. Важное значение имеет также Т. э. из металла в диэлектрик (см. Диэлектрическа я электроника). Сочетание автрэлектронного эмиттера и анода, совмещённого с люминесцирующим экран о м, образует эмиссионный электронный микроскоп. На его экране можно наблюдать угловое распределение электронов Т. э. с острия при увеличении ~ 10⁵-10⁶ и раз решающей способности 20-60 А (см. Электронный проектор).

Т. э. полупроводников изучена менее полно. Она характеризуется более сложными зависимостями плотности тока j от поля Е и ф и энергетич. спектров электронов. При Т. э. полупроводников электрич. поле, проникая в кристалл, смещает энергетич. зоны и локально изменяет концентрации носителей заряда и их энергетич. распределения. Кроме того, в полупроводниках концентрация электронов проводимости меньше, чем в случае металлов, что ограничивает величину j. Внеш. воздействия, сильно влияющие на концентрацию электронов (темп-pa, освещение и др. ), также заметно изменяют j. Вольтамперные зависимости j(E) и энергетич. спектры электронов отражают зонную структуру полупроводников. Ток, текущий через полупроводник, может перераспределять потенциал на образце и влиять на энергетич. распределение электронов.

Туннельные полупроводниковые эмиттеры, реагирующие на свет, перспективны как чувствительные приёмники инфракрасного излучения. Многоострийные системы таких эмиттеров могут служить основой для мозаичных систем в преобразователях инфракрасных изображений. В нек-рых случаях, когда вольтамперные характеристики полупроводника всецело определяются его объёмными свойствами, j слабо зависит от Е и ф. При этом точечный ненакаливаемый источник электронов может длительно и стабильно работать даже в относительно невысоком вакууме.

Лит.: Wood R. W., " Phus. Rev.", 1897, v. 5, № 1; Millikan R. A., Lauritsen С. С., " Phys. Rev.", 1929, v 33, № 4, p. 598; Fowler R. H., Nоrdheim L., " Proc. Poy. Soc.", 1928, ser. A, v. 119, № 781, p. 173; Nordheim L., " Phys. Zs. ", 1929, № 7, s. 177; Елинсон М. И., Васильев Г. Ф., Автоэлектронная эмиссия, М., 1958; Ненакаливаемые катоды, под ред. М. И. Елинсона, М., 1974; Фишер Р., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников, пер. с нем., М., 1971. В. Я. Шредник.

ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, в к-ром имеется очень узкий потенциальный барьер, препятствующий движению электронов; разновидность полупроводникового диода. Вид вольтамперной характеристики (ВАХ ) Т. д. определяется гл. обр. кван-товомеханич. процессом туннелирования (см. Туннельный эффект), благодаря к-рому электроны проникают сквозь барьер из одной разрешённой области энергии в другую. Изобретение Т. д. впервые убедительно продемонстрировало существование процессов туннелирования в твёрдых телах. Создание Т. д. стало возможно в результате прогресса в полупроводниковой технологии, позволившего создавать полупроводниковые материалы с достаточно строго заданными электронными свойствами. Путём легирования полупроводника большим количеством определённых примесей удалось достичь очень высокой плотности дырок и электронов в р - и n -областях, сохранив при этом резкий переход от одной области к другой (см. Электронно-дырочный переход). Ввиду малой ширины перехода (50-150 А ) и достаточно высокой концентрации легирующей примеси в кристалле, в электрич. токе через Т. д. доминируют туннелирующие электроны. На рис. 1 приведены упрощённые энергетич. диаграммы для таких р - n -переходов при четырёх различных напряжениях смещения U. При увеличении напряжения смещения до U₁ межзонный туннельный ток (it на рис. 1, б ) возрастает.

[ris]

Рис. 1. Энергетические диаграммы электронно-дырочного перехода туннельного диода при различных напряжениях смещения (О< U₁< U₂< U₃): E_fp и E_fh - уровни Ферми дырок и электронов; E_g - ширина запрещённой зоны; W - ширина р - n-перехода; е - заряд электрона; i_t и i_d - туннельный и диффузионный токи.

Однако при дальнейшем увеличении напряжения (напр., до значения U₂, рис. 1, в) зона проводимости в n-области и валентная зона в р -области расходятся, и ввиду сокращения числа разрешённых уровней энергии для туннельного перехода ток уменьшается - в результате Т. д. переходит в состояние с отрицательным сопротивлением. При напряжении, достигшем или превысившем U₃ (рис. 1, г ), как и в случае обычного р - n -перехода, будет доминировать нормальный диффузионный (или тепловой )

Рис. 2. Вольтамперные характеристики (ВАХ) туннельных диодов на основе Ge (1), GaSb (2), Si (3) и GaAs (4): U - напряжение смещения на туннельном диоде; 1/1_т - отношение тока через диод к току в максимуме ВАХ.
[ris]

Первый Т. д. был изготовлен в 1957 из германия; однако вскоре после этого были выявлены др. полупроводниковые материалы, пригодные для получения Т. д.: Si, InSb, GaAs, InAs, PbTe, GaSb, SiC и др. На рис. 2 приведены ВАХ ряда Т. д. В силу того что Т. д. в нек-ром интервале напряжений смещения имеют отрицательное дифференциальное сопротивление и обладают очень малой инерционностью, их применяют в качестве активных элементов в высокочастотных усилителях электрических колебаний, генераторах и переключающих устройствах. Л. Эсаки.

От редакции. Т. д. был предложен в 1957 лауреатом Нобелевской пр. Л. Эс аки, поэтому Т. д. называют также диодом Эсаки

Лит.: Esaki L., New phenomenon in narrow germanium p-n junctions, " Physical Review", 1958, v. 109, № 2; его же Long journey into tunnelling, " Reviews of modern Physics", 1974, v. 46, № 2.