Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
По курсовому проектированию
|
|
Студенту__________________________________________________________
1. Тема проекта Разработка конструкции и технологии изготовления ____________________________________________________________________
2. Срок сдачи студентом законченного проекта____________________________
3. Исходные данные к проекту__________________________________________
| Схема электрическая принципиальная | Элемент схемы Э3 | Численное значение параметра |
Температурный диапазон работы микросхемы, °С___ток коллектора биполярных транзисторов, мА___, наработка на отказ, ч, не менее 10000, коэффициент заполнения площади кристалла (платы), не менее 0, 45
4. Содержание расчетно-пояснительной записки (перечень вопросов, которые подлежат разработке).
Введение. 1. Анализ исходных данных и формирование расширенного технического задания на проектирование. 2. Выбор и обоснование конструктивных и технологических материалов. 3. Конструкторские расчеты.
4. Разработка топологии кристалла (платы). 5. Разработка технологии изготовления микросхемы. 6. Сборка микросхемы. Заключение. Список использованных литературных источников
5. Перечень графического материала (с указанием обязательных чертежей и графиков).
1. Схема электрическая принципиальная. Перечень элементов. 2. Топологический чертеж общего вида полупроводникового кристалла или платы ГИС. Комплект фотошаблонов. 3. Сборочный чертеж. Спецификация.
6. Консультант по проекту______________________________________________
7. Дата выдачи задания________________________________________________
8. Календарный график работы над проектом на весь период проектирования___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
РУКОВОДИТЕЛЬ_____________________________________________________
Задание принял к исполнению__________________________________________
(дата и подпись студента)
Приложение В
УО «Полоцкий государственный университет»
Факультет: радиотехнический
Кафедра: ЭиЭТ
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
По дисциплине: Проектирование и САПР ИМС
Тема: Разработка конструкции и технологии изготовления
полупроводниковой микросхемы предварительного усилителя
Выполнил: студент гр. 06 РКз Петров Д.В.
Домашний адрес, моб. телефон
_________________________
№ зачетной книжки
работа сдана на проверку____________(не заполнять)
на доработку____________
к защите____________
зачтено____________
Проверил: к.т.н., доцент Довгяло Д.А.
Новополоцк 2015
Приложение Г
УО «Полоцкий государственный университет»
Факультет: радиотехнический
Кафедра: ЭиЭТ
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
К
КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ
По дисциплине: Проектирование и САПР ИМС
Тема: Разработка конструкции и технологии изготовления
полупроводниковой микросхемы предварительного усилителя
Выполнил: студент гр. 06 РКз Петров Д.В.
Проверил: к.т.н., доцент Довгяло Д.А.
Новополоцк 2015
Приложение Д
УО «Полоцкий государственный университет»
Факультет: радиотехнический
Кафедра: ЭиЭТ
|
|