Исследование h - параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

Нель работы: Изучение и расчет h - параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

Задание на лабораторную работу:

1. Ознакомиться с системой h - параметров транзистора.

2. Изучить методику определения h - параметров транзистора, включенного по схеме с об­щим эмиттером

3. Рассчитать h - параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, в соответствии с индивидуальным заданием.

4. Оформить отчёт по лабораторной работе.

Для описания свойств транзистора используют систему:

Для определения h-параметров необходимы режим короткого замыкания в выходной цепи и ре­жим холостого хода во входной.

Физический смысл h-параметров следующий:

входное сопротивление при коротком замыкании выходной цепи –

коэффициент обратной свйзи по напряжению при холостом ходе во входной цепи –

оэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи –

выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи –

Индекс 11 означает входной параметр (характеризующий входную цепь), индекс 12 — пара­метр обратной связи, индекс 21 —параметр прямой передачи и индекс 22 —выходной пара­метр.

Преимущества й-параметров состоят в удобстве их экспериментального определения. Кроме того, h-параметры измеряют в режимах, близких к режимам работы транзисторов в практических схе­мах.

Расчет:

Входное сопротивление h_11Э транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определяется по входной характеристике

(0.35-0.3)/(100-40)=0.00083

Коэффициент обратной связи по напряжению hi2s транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 9.7.2), определяется по входным характеристикам по формуле:

Коэффициента передачи тока h_21Э транзистора, включенного по схеме с общим эмит­тером (рис.9.7.3), определяется по формуле

(3-0, 8)/(50-30)=0, 11