Холькогенид шыныларды графит пен шыныграфиттен жасалған тигельде немесе қиын балқитын оксидтен жасалған ампулада, мысалы кварц, алады.

Холькогенидтің біршама тө мен балқ у температурасы кезінде тордың салыстырмалы жоғ ары энергиясы оксидті шынылармен салыстырғ анда кварцтік ампулаларда жұ мыс мезетіндегі кварцпен ә рекеттесуі елеулі тө мен дә режеде жү ретініне ә кеп соқ тырады. Холькогенидті балқ ымалрғ а бұ лардың елеулі қ ысымы ә серін жә не басты бейімділігі жоғ ары температурада оттегімен ә рекеттесуін ескеріп жұ мысты герметикалық шарртарғ а сай жә не оттексіз атмосферада жү ргізуді қ ажет етеді. Сондық тан халькогенидті шыныларды жоғ ары вакуумда дә некерленген кварцтік ампула ішінде сә йкес қ оспалардың балқ уын алады. Балқ ыманың гомогенизациясы ү шін ампулаларды пештің ішінде ү немі айналдырып, бү гіп отырады. Балқ ыманың тез салқ ындауы (закалка) салқ ын сұ йық тық қ а тез батыру жолымен немесе ауада немесе басқ а температуралық режимде пештен тыс салқ ындау жолымен жү ргізіледі. Термиялық кең ею коэффициенті салыстырмалы жоғ ары болғ андық тан ү лгілер ішкі кернеулерге бейім болады, сондық тан оларды механикалық ө ң деу алдында кейінгі бө лме температурасына дейін баяу салқ ындатумен шынылау температуралар облысында кү йдіру жү ргізу керек.

2.2 Кестесі. Тотық сыз шыны тү зетін заттардың кейбір қ асиеттері

2.2. Кестесінде негізгі шынытү зетін халбкогенидтердің сипаттамалары берілген. Осында пниктидтер (қ ұ рамында халькогендер мен галогендері жоқ As негізіндегі шынылар) тобына жататын кейбір басқ а шынытү зетін қ осылыстар жә не шынытү зегіш селен туралы мә ліметтер берілген. Тек As₂S₃ жә не As₂Se₃ балқ у температурасындағ ы тұ тқ ырлығ ы оксидтермен бірдей екені кө рініп тұ р. Басқ а қ осылыстар салқ ындау облысында кристалдануғ а жоғ ары тенденциясымен сипатталады.