Практическая работа №1

Изучение конструкции интегральной микросхемы (ИМС)

1 Цель работы:

- расшифровать условное обозначение ИМС;

- ознакомиться с основными электрическими параметрами ИМС;

- определить параметры ИМС.

2 Обеспечение работы:

- микросхемы (2 шт.);

- паспорт (этикетка) микросхем;

- лупа;

- линейка;

- справочник по микросхемам.

3 Выполнение работы:

3.1 Основные электрические параметры микросхемы К237ГС1:

- потребляемый ток, I= мА

- потребляемая мощность, P= мВт

- напряжение питания, U= В

Рисунок 1.Схема электрическая принципиальная микросхемы К273ГС1

3.2. Основные электрические параметры микросхемы 301НР…
- потребляемый ток, I= мА

- мощность рассеивания, P= мВт

- выходное напряжение, U= В

Рисунок 2. Схема электрическая принципиальная микросхемы 301НР…

3.3 Расшифровка условного обозначения ИМС выполнена по справочнику и занесена в табл.1.

Таблица 1

3.4. Определение параметров микросхем:

Геометрические размеры микросхем по корпусу – длина и ширина измерены линейкой и занесены в табл.2.

Таблица 2

Параметры, характеризующие конструктивные качества микросхем, рассчитаны по формулам, результаты расчетов занесены в табл.2.

Степень интеграции

k = lg N (1)

где N – количество элементов микросхемы

k₁ =

k₂ =

Интегральная плотность

ω = N/S, 1/мм² (2)

где S – площадь микросхемы

S = b*l, мм² (3)

где b – ширина микросхемы, мм
l – длина микросхемы, мм

S₁ = b₁* l₁ = мм²

S₂ = b₂* l₂ = мм²

ω ₁ = N_{Σ 1} / S₁ = 1/мм²

ω ₂ = N_{Σ 2} / S₂ = 1/мм²

4. Выводы: - о конструктивном качестве микросхем.