Репрограммируемые ПЗУ

Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) делятся на два основные вида:

1. на основе МОП-матриц, в которых между металлическим затвором и слоем изолирующего оксида осаждается тонкий слой нитрида кремния. Отсюда и название технологии изготовления МНОП – металл – нитрид – оксид – полупроводник. Этот материал имеет свойство сохранять электрический заряд (положительный или отрицательный в зависимости от материала МОП-матрицы) после подачи на затвор транзистора программирующего импульса. Амплитуда этого импульса в несколько раз превышает напряжение источника питания ПЗУ в рабочем режиме (+ 5 В) и достигает 20 30 В. Длительность программирующего импульса составляет порядка десятков миллисекунд. При отсутствии дополнительных сигналов программирования или при отключении источника питания заряд в слое нитрида кремния будет сохраняться достаточно долго (гарантия порядка 10 лет).

Стирание информации в РПЗУ данного вида производится также электрическим путем. Часто допускается возможность не только общего стирания всего объема информации, но и избирательное (пословное) стирание с последующим выполнением пословной записи. Примеры РПЗУ данного типа приведены на рис. 12.7, а в табл. 12.3 – их параметры [1].

Рис. 12.7. Функциональные обозначения РППЗУ с электрическим стиранием информации

1. РПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым (УФ) облучением кристалла. Облучение производится в течение 10 20 минут через прозрачную кварцевую крышку на БИС РПЗУ. Примеры РПЗУ данного типа приведены на рис. 12.8, а в табл. 12.4 – их параметры [1].

Рис. 12.8. Функциональные обозначения РППЗУ с ультрафиолетовым стиранием информации