Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
IV. Монтаж резисторов, конденсаторов.
|
|
На рис. 8 представлены основные варианты конструктивного исполнения конденсаторов (бумажных, металлобумажных, пленочных и металлопленочных, керамических, слюдяных и электролитических), для горизонтальной и вертикальной установки.
Рис.8. Конструктивные формы конденсаторов а - защищенный керамической трубкой; б - цилиндрический свободнонесущий; в - цилиндрический в стаканчике; г - трубчатый; д - пластинчатый; е - трапециевидный; ж - цилиндрический вертикальный; з - с цоколем; и - конденсатор с выводами зажимами; к - рулонный с сердечником из полиамида; л – призматический
У резисторов примерно такое же исполнение. При монтаже необходимо предупреждать повреждения защитного слоя лака; при формовке выводов изгиб не должен быть ближе двух диаметров (толщин) вывода из-за возможной разгерметизации. При пайке электролитических конденсаторов необходимо у плюсового вывода обеспечивать теплоотвод. Пленочные и металлопленочные конденсаторы чувствительны к действию растворителей. При пайке выводов возможно также повреждение из-за перегрева навесных элементов.
V Монтаж диодов и транзисторов.
Внешне эти навесные элементы гибридных ИС (рис.9) незначительно различаются и способы их монтажа почти не отличаются. При формовке выводов расстояние до корпуса от места начала изгиба должно быть большее или равно 1, 5-3 мм, расстояние до мощных тепловыделяющих элементов выбирать возможно больше, температура пайки не более 245°С, время пайки – < 5с.
Рис. 9. Конструктивные формы диодов и транзисторов а – транзистор в круглом корпусе; б – транзистор в пластмассовом корпусе; в – мощный транзистор; г – диод в круглом корпусе; д – диод в пластмассовом корпусе; е – диод в стеклянной оболочке; ж – мощный выпрямительный диод; з – диодная сборка
Интегральные пленочные резисторы используются в тканных устройствах коммутации. Печатная плата с интегральными пассивными элементами: 
Рис 10: 1. микросхемы 2. интегральные пленочные резисторы 4. межслойная пленочная коммутация 4. емкостные слои.
Итак, ни тонко-, ни толстоплёночная технология не обеспечивают выполнение всех требований схемотехники, так как они обеспечивают изготовление только пассивных элементов и проводников без активных элементов. В полупроводниковых ИМ пассивные элементы возникают как побочный продукт, их характеристики хуже, чем у дискретных элементов. Ограниченные линейность, температурная стабильность и большой допуск на значение номиналов резисторов и конденсаторов ограничивают применение полупроводниковых ИМ, однако, отдельные свойство тонко- и толстоплёночных микросхем хорошо дополняют друг друга; комбинация их обеспечивает создание высококачественных микросхем, как уже упоминалось в данной работе при описании гибридно-пленочных интегральных микросхем, которые реализуются при монтаже дискретных бескорпусных элементов или полупроводниковых ИМ в интегральные тонко- или толстоплёночные схемы
Достоинства гибридных микросхем: -возможность предварительного выбора дискретных элементов, -низкую стоимость подложек и возможность применения значительно больших номиналов тонкоплёночных конденсаторов и мощных резисторов.
Недостатком является дополнительные контактные площадки для монтажа дискретных элементов или полупроводниковых ИМ, которые можно выполнить по тонкоплёночной технологии. Гибридные ИМ реализуют на специально разработанных элементах, совместимых с плоской подложкой тонкопленочной микросхемы (транзисторы с балочными и шариковыми выводами); распространена установка транзисторов в керамические фасонные корпуса с четырьмя металлизированными участками, которые связаны с выводами транзистора тонкими проволоками. Недостаток специальной формы - невозможность перекрещивания проводов. Навесные элементы монтируют часто в гибридные микросхемы пайкой. Припой либо предварительно наносят на контактные площадки, либо поступает на место пайки на луженых выводах; чаще всего припой в виде пасты наносят на контактные площадки способом трафаретной печати. Для защиты от внешних воздействий гибридные ИС герметизируют пластмассой или помещают в герметические металлические, стеклянные и керамические корпуса.
|
|