Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Задание к работе в лаборатории
|
|
4.1 Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении
его по схеме с ОБ. Обратите внимание на структуру транзистора и правильность подключения источников питания и измерительных приборов.
4.2 Снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ= (0, 2-0, 5) UКБ МАКС. Первую характеристику снимать до напряжения, при котором IЭ=0, 5IК МАКС, вторую -до таких значений, при которых выполняется условие РК=UКБ*IК < PK МАКС. Результаты измерений занести в таблицу 1. Пример заполнения таблицы приведен ниже.
Таблица 1 IЭ= f(UЭБ)½ UКБ=const
| UЭБ, В | 0-0, 1 | 0, 2 | 0, 3 | 0, 4 | ||
| UКБ= 0 В | IЭ, | IЭ =0, 5× IЭ МАКС | ||||
| UКБ =5 В | мА |
4.3 Снять три выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ).
Первую для IЭ1=0, вторую для IЭ2=(0, 2-0, 4)·IK МАКС и третью для IЭ3=2·IЭ2. При снятии характеристик не превышать предельно допустимые параметры
UКБ МАКС, IК МАКС, PК МАКС. Результаты измерений занести в таблицу 2. Пример таблицы дан ниже.
Таблица 2 IК=f(UКБ) ½ IЭ=const
| UКБ, В | |||||||
| IЭ 1= 0 | IК, мкА | ||||||
| IЭ =5 мА | IК, | ||||||
| IЭ =10 мА | мА |
Примечание: при исследовании выходных характеристик обратите внимание на пределы измерения рА2 (мкА или мА) для различных значений входного тока IЭ.
4.4 Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОЭ.
4.5 Снять две входные характеристики IБ=f(UБЭ); одну при UКЭ=0,
вторую при UКЭ=(0, 2-0, 4)UКЭ МАКС . Входное напряжение при этом менять до такой величины, при которой электрические параметры транзистора не превышают максимально допустимых значений.
Результаты измерений занести в таблицу 3, которая аналогична таблице 1.
4.6 Снять семейство из 7-8 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных на типовых характеристиках в справочнике, включая IБ=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В. Результаты измерений заносятся в таблицу 4. Пример таблицы приведен ниже. Особое внимание обратить на то, чтобы РК не превышало 0, 75× РК МАКС.
Таблица 4 IК=f(UКЭ)½ IБ=const
| UКЭ, В | 0, 1 | 0, 2 | 0, 5 | ||||||
| IБ1 =0 мкА | IК, мкА | ||||||||
| IБ2 | |||||||||
| IБ3 | |||||||||
| IБ4 | |||||||||
| IБ5 | IК, мА | ||||||||
| IБ6 | |||||||||
| IБ7 | |||||||||
| IБ8 |
Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора и его назначение.
5.2 Предельно-допустимые параметры транзистора, взятые из справочника.
5.3 Расположение выводов транзистора.
5.4 Схемы исследования.
5.5 Таблицы результатов измерений.
5.6 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений.
5.7 На графиках выходных характеристик БТ построить рабочую область при комнатной температуре.
5.8 Оценить IКБ0, IКЭ0, b и сравнить их со справочными значениями.
5.9 Сделать выводы по работе.
|
|