ПРИЛОЖЕНИЕ Б – Операционные карты….54

Б.1 – Напыление резистивного слоя…………………..……………………54

Б.2 – Микроконтактирование навесных компонентов………………....…58

Б.3 – Герметизация микросхемы……………………………...…………….59

Б.4 – Контроль герметичности микросхемы……………………...………..63

РЕФЕРАТ

ПЗ: страниц 63, таблиц 9, рисунков 8, источников 8, приложений 2.

Объект исследования – конструкция и технология изготовления логического элемента в интегральном исполнении.

Методы исследования: аналитический, графоаналитический, справочный.

Цель работы — приобрести навыки самостоятельного решения инженерных задач по разработке конструкции и технологии ГИС.

В данной работе рассматриваются все этапы производства логического элемента от анализа технического задания до выпуска конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации. Основными этапами являются: выбор материалов пленочных резисторов, проводников, подложки, а также конструкции корпуса, навесных компонентов и технологического оборудования на основе имеющихся электрических, конструктивных, производственно-технологических и эксплуатационных требований. В проекте разрабатывается топология платы, технологический процесс изготовления платы и сборки всей ГИС на основе типовых технологических процессов.

КОРПУС, КОНДЕНСАТОР, ТРАНЗИСТОР, МИКРОСХЕМА, РЕЗИСТОР, ПОДЛОЖКА, ТИПОРАЗМЕР ПЛАТЫ, ГИС, НАВЕСНОЙ КОМПОНЕНТ, МИКРОКОНТАКТИРОВАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ

Начиная с 60-х годов ХХ века, особое место в номенклатуре изделий электронной промышленности занимают интегральные микросхемы, микропроцессоры и микросборки – микроминиатюрные электронные изделия, составляющие основу элементной базы микроэлектронной аппаратуры.

Создания микроэлектронной аппаратуры явилось результатом процесса комплексной микроминиатюризации электронно-вычислительных средств, аппаратуры связи, устройств автоматики. Этот процесс возник в связи с потребностями развития промышленного выпуска изделий электронной техники на основе необходимости резкого увеличения масштабов их производства, уменьшение их массы, занимаемых ими объемов, повышения их эксплуатационной надежности [1].

В данной работе разработаны конструкция и технология изготовления логического элемента в виде ГИС. Гибридная пленочная интегральная микросхема (ГИС) – ИМС, которая наряду с пленочными элементами, полученными с помощью интегральной технологии, содержит компоненты, имеющие самостоятельное конструктивное оформление. В зависимости от метода нанесения пленочных элементов на подложку различают тонкопленочные (напыление в вакууме) и толстопленочные (трафаретная печать) гибридные ИМС. Выбор именно такого конструктивно-технологического варианта обусловлен следующими причинами:

1. Наиболее подходят для изготовления по тонкопленочной технологии микросхемы, в которых число пассивных элементов намного превышает число активных, каковой и является данная разработка.

2. Пленочные и навесные резисторы и конденсаторы обычно имеют допуски, диапазон параметров, температурные коэффициенты и некоторые другие свойства лучшие, чем в полупроводниковых интегральных микросхемах.

3. Цена оборудования, необходимого для производства тонкопленочной гибридной микросхемы определенного типа, значительно меньше, чем для производства полупроводниковой схемы того же типа.

4. Перспективность пленочного гибридного варианта для аналоговых и линейных микросхем.

Применение интегральных микросхем позволяет уменьшить габариты и массу аппаратуры в несколько раз, а микропроцессоров – в десятки и сотни раз. Это объясняется тем, что размеры элементов интегральных микросхем составляют от нескольких миллиметров до единиц и десятых долей микрометра. Малые габариты ИМС и малое потребление ими электрической энергии позволяют осуществить комплексную микроминиатюризацию всех компонентов электронной аппаратуры [2].

1 АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

1.1 Состав технического задания и требования к изготовлению ГИС

Исходными данными для данной работы являются:

– схема электрическая принципиальная, ГКИЮ 431273.024 Э3;

– перечень элементов, ГКИЮ 431273.024 ПЭ3.