HEMTтранзисторы(взято с википедии, там гораздо понятнее)

НЕМТ (HighElectronMobilityTransistor – транзистор с высокой подвижностью электронов).

Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ, HEMT) — полевой транзистор, в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны.

В этой структуре ширина запрещенной зоны канального слоя больше, чем барьерного слоя, в канале у границы слоёв формируется потенциальная яма, в которой накапливаются свободные носители, образуя так называемый двумерный газ. А поскольку канальный слой не легирован, в нем рассеяние носителей заряда минимально, а их подвижность высокая. Именно поэтому их назвали транзисторы с высокой подвижностью.

ТВПЭ, в котором правило соответствия параметра кристаллической решётки слоёв гетероперехода не соблюдается, называется псевдоморфным (пТВПЭ или pHEMT). Для этого слой одного из материалов делается очень тонким — настолько, что его кристаллическая решётка попросту растягивается до соответствия другому материалу.

На полуизолирующей подложке арсенида галлия (GaAs) выращивается нелегированный буферный слой GaAs. На нем наращивается тонкий слой полупроводника с иной шириной запрещенной зоны — InGaAs. Сверху слой защищается тонким спейсером на основе AlGaAs. Выше следуют легированный кремнием слой n- AlGaAs и сильнолегированный слой n⁺- GaAs под контактными площадками стока и истока. Контакт затвора приближен к области двумерного электронного газа.

Область применения ТВПЭ, как и металл-полупроводниковых полевых транзисторов — связь в микроволновом и миллиметровом диапазоне длин волн, радары и радиоастрономия, — то есть любые устройства, в которых требуется высокая степень усиления сигнала и низкий шум на больших частотах.