Резонансно - туннельный транзистор.

Добавление управляющего электрода к резонансно-туннельному диоду превращает его в резонансно- туннельный транзистор.

Можно также объединить резонансно-туннельный диод с обычным транзистором, чтобы сделать комбинированный прибор. Этот вариант использован для создания резонансно-туннельного биполярного транзистора и резонансно-туннельного транзистора на горячих электронах .

Резонансно- туннельный биполярный транзистор представляет собой биполярный транзистор с резонансно-туннельной структурой, встроенной в области перехода эмиттер–база или в базе. В резонансно-туннельном транзисторе на горячих электронах резонансно-туннельная структура встраивается в эмиттер. Эти приборы имеют отрицательную крутизну характеристики в схеме включения с заземленным эмиттером.

Потенциал, подаваемый на дополнительный электрод, смещает вольт-амперную характеристику диода вдоль оси тока.

Кроме названных приборов имеются и транзисторные структуры, представляющие собой управляемые затвором резонансно-туннельные диоды. Затворы в них создают в виде барьеров Шоттки или p-n-переходов вокруг эмиттера для внешнего управления условиями резонанса тока в диоде. На рис. 4.3 показан пример такого прибора. В нем область эмиттера, а следовательно, и эмиттерный ток можно модулировать с помощью потенциала на затворе, выполненном в виде p-n-перехода, окружающего эмиттер.

Модулируя эмиттерный ток, можно управлять максимальным током, протекающим через структуру в резонансных условиях. Энергетических диаграмм не нашла, думаю они такие же как у резонансного диода.