Биполярные транзисторы

Томский Государственный Университет

Систем Управления и Радиоэлектроники (ТУСУР)

Лабораторная работа №2

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Студент группы 41-В

______________ В.В. Евтихеев

«____»_________20___ г.

____________ А.П. Павлов

«____»_________20___ г.

Томск 2014

Исходная схема с транзистором ВС368

Входной график с нашим исходным транзистором ВС368

Выходной график с нашим исходным транзистором ВС368

Выводы:

1. Биполярный транзистор – трехполюсный полупроводниковый при-

бор с двумя p–n -переходами. Он состоит из чередующихся областей полу-

проводника, имеющих электропроводность различных типов.

2. В зависимости от последовательности чередования n- и p- областей

различают транзисторы n–p–n- и p–n–p -типов. Основными носителями заряда в

транзисторе n–p–n- типа являются электроны, а в p–n–p -транзисторе – дырки.

3. Каждый из p–n- переходов транзистора может быть смещён либо в

прямом, либо в обратном направлениях. В зависимости от этого различают

четыре режима работы транзистора: активный, отсечки, насыщения и ин-

версный.

4. Входной характеристикой биполярного транзистора называют зави-

симость тока базы I б от напряжения база-эмиттер U бэ при фиксированном

значении напряжения коллектор-эмиттер.

5. Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора

I к от напряжения коллектор-эмиттер U кэ при фиксированном токе базы.