Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Задание на лабораторную работу. 1. Собрать схему для исследования ВАХ транзистора (из таблицы заданий), в соответствии с рис
1. Собрать схему для исследования ВАХ транзистора (из таблицы заданий), в соответствии с рис. 60. Построить семейство из пяти выходных характеристик полевого транзистора при фиксированных значениях напряжений на затворе (), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. Для р-канальных транзисторов изменить полярность источников напряжения. По выходным характеристикам построить управляющую характеристику при напряжении сток-исток () равном напряжению насыщения. Рассчитать крутизну транзистора. 2. Собрать схему, в соотвествии с рис. 62, для исследования МДП-транзистора (из таблицы заданий) с индуцированным каналом. Построить семейство из пяти выходных характеристик транзистора при фиксированных значениях напряжений на подложке (), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. По выходным характеристикам определить пороговое напряжение. 3. Составить отчет.
Таблица 8
|