Показатели, характеризующие усилительные свойства транзистора

- коэффициент усиления по току;

- коэффициент усиления по напряжению;

- коэффициент усиления по мощности.

1. Коэффициент усиления по току: отношение изменения выходного тока DI к, к вызвавшего его изменение входного тока DIэ

К_I =DI_вых/DI_вх= DI_к/DI_э (9.7)

Для приведенной схемы K_I < 1 (типовые значения К_I = 0, 9 - 0, 95), т.е. ток I_Кв выходной цепи всегда несколько меньше тока Iэ, протекающего во входной цепи и транзистор, включенный по представленной выше схеме, уси­ления по току не дает.

Обычно отношение DI_к/DI_э обозначается a (в системе h параметров, см. п.3 “Для самостоятельного изучения“, для схемы с ОБ обозначается h_21б).

Чем больше коэффициент a, тем меньше отличаются между собой токи I_Ки I_Э, и соответственно, тем большими оказываются коэффициенты усиления транзистора по напряжению и по мощ­ности.

1. Коэффициент усиления по напряжению - отношение изменения выходного DU_вых переменного напряжения к входному DU_вx,:

K_U= DU_вых / DU_вx (9.8)

DU_вых= DI_K^.. R_н (9.9)

DU_вх =DI_вх r_эб, (9.10)

где r_эб сопротивление входной цепи транзистора (сопротивление участка эмиттер-база).

K_U = DI_K R_н/ DI_Э^. r_эб = a ^.R_н/ rэб (9.11а)

т.к I_э ~I_к, т.е. a~1 то

К_u ~ R_н/rэб (9.11б)

1. Коэффициент усиления по мощности транзистора: отношение выходной мощности (выделяющейся на нагрузке) к входной

К_Р~ = P_вых/ P_вх=0.5I_K² R_н/ 0.5I_Э^2.rэб= a ^.2 R_н/^.rэб = R_н/^.rэб (9.12)

причем

К_Р= K_U К_I (9.13)

Для данной схемы (ОБ) К_Р численно равен K_U (К_I < 1) и может достигать величины в несколько сотен.

Усиление сигнала с помощью транзистора происходит за счет потребления энергии от источника питания.

Сам транзистор выполня­ет функции своеобразного регулятора выходного тока, который под действием слабого входно­го сигнала, введенного в цепь с малым сопротивлением, изменяет ток в выход­ной цепи, обладающей большим сопротивлением.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор полупроводниковый прибор, ток которого изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным напряжением.

Полевые транзисторы (ПТ) в отличие от биполярных (БТ) ряд специфических особенностей:

- высокое входное сопротивление;

- малое потребление энергии по цепи управления

ПТ нашли широкое применение и как дискретные элементы схем, также они ши­роко используются в интегральных микросхемах (ИМС). Это объясняется простотой изготовления (в настоящее время) ПТ ИМС, по сравнению с БТ, малым потреблением энергии и высокой плотностью расположения элементов в ИМС.

Классификация полевых транзисторов (упрощенная)

ПТ