Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Визначення ширини забороненої зони.Стр 1 из 10Следующая ⇒
Тема: Визначення ширини забороненої зони та відношення рухливостей носіїв заряду за температурною залежністю провідності. Теоретичні відомості. Визначення ширини забороненої зони. Питома електрична провідність напівпровідника в області власної провідності визначається співвідношенням: (1) де ni – концентрація носіїв заряду в області власної електропровідності; Nc, Nb – ефективні густини квантових станів у зоні провідності та валентній зоні відповідно; DЕ – ширина забороненої зони; Т – абсолютна температура; mn, mp – рухливість електронів і дірок. Величина пропорційна до . Вважатимемо, що залежності рухливостей електронів та дірок від температури однакові і що кожна рухливість у досить широкому температурному інтервалі може бути представлена степеневою функцією температури: (2) В дійсності для дірок та електронів значення a різняться між собою. З врахуванням (2) відношення рухливостей являє собою константу, що не залежить від температури. Тому питому провідність можна записати у вигляді добутку температурно залежних множників на деяку сталу величину: (3) Прологарифмувавши вираз (3) та побудувавши графік залежності можна визначити ширину забороненої зони через значення похідної від функції по 1/Т. Рис.1.
У кінцевому результаті, ширина забороненої зони (в еВ): (4) Отже, щоб розрахувати ширину забороненої зони потрібно знати значення a. Але для більшості випадків a майже не відрізняється від 3/2, тому множником можна знехтувати. При використанні графіка (рис.1) необхідно враховувати, що як у області власної електропровідності при високих температурах, так і в області змішаної електропровідності відбуваються відхилення функції від лінійної залежності. При високих температурах ці відхилення можуть спричинюватися впливом ефектів розсіяння носіїв заряду більш високого порядку, а при домішковій провідності – якщо вона спричинюється носіями з меншою рухливістю. Зауважимо, що величина DЕ насправді залежить від температури і характер цієї залежності впливає на кінцевий результат.
|