Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Гальванически разделенные контуры
На рис. 3.12, а показана упрощенная модель емкостного влияния. Предполагается, что длина контура мала по сравнению с длиной волны самой высокой учитываемой частоты. Система проводников 1, 2 принадлежит к влияющему контуру, а 3, 4 - контуру, испытывающему влияние. Соответствующие элементы и образуют полное сопротивление влияющего контура (рис. 3.12, б), а элементы и - полное сопротивление Z контура, испытывающего емкостное влияние. Рис. 3.12. Емкостное влияние между гальванически разделенными контурами: а - модель влияния; б - схема замещения; в - модель влияния при экранировании обоих контуров; г - схема замещения при наличии экранов
Отсюда нетрудно заметить, что напряжение помехи Ust равно нулю, если соблюдается условие симметрии: Это условие можно обеспечить попарным скручиванием проводников (провода 1 с проводом 2, провода 3 спроводом 4), а в некоторых случаях - включением симметрирующих конденсаторов. Следующей возможностью снижения емкостного влияния в гальванически разделенных контурах является применение экранированных проводов (рис. 3.12, в) с экранами и из хорошо проводящего материала, которые, как правило, соединяются с одной стороны с проводом системы опорного потенциала какого-либо контура. Благодаря этому увеличивается емкость связи . В ненагруженном состоянии для контура, испытывающего влияние (рис. 3.12, г) можно записать: . Из этого уравнения следует, что экранирующее воздействие тем лучше, чем больше емкость С34 проводника относительно экрана по сравнению с емкостями С13 и С24.
|