Студопедия

Главная страница Случайная страница

Разделы сайта

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника






Перехідні процеси в транзисторному ключі.






Нехай в початковому стані транзистор знаходиться в режимі відсічки під дією вхідної запираючої напруги UУПР 1.При приході на вхід в момент часу t=t1 перепаду відпираючої напруги UУПР 2 емітерний перехід транзистора зміщується в прямому напрямку, а базовий струм стрибком досягає значення IБ1 =S× IБН (рисунок 2.2). Колекторний струм буде наростати за законом:

, (2.9)

де tb= h21ta; ta=1/(2pfa);

fa - гранична частота підсилення струму в схемі „спільна база”.

За час t=tф1 колекторний струм набуде значення

iK (t)= IКH =h21IБH

Отже тривалість стадії вмикання ключа:

, (2.10)

при S> > 1

Тобто за час tф1 напруга UВИХ досягає значення UKH і, починаючи з моменту часу t=t2, транзистор буде знаходитися в режимі насичення. Струми i б, і Е та і К залишаться практично незмінними і в області бази відбувається накопичення надлишкового заряду неосновних носіїв за експоненційним законом з сталою часу tН. Повне накопичення заряду до рівня Iб1tН відбудеться за час 3tН, після чого транзистор опиниться в стаціонарному режимі.

В момент часу t=t3 на вхід системи подається запираюча напруга, під дією якої базовий струм стає рівним IБ2. Процес розімкнення ключа складається зі стадії розсмоктування надлишкового заряду неосновних носіїв tроз та стадії запирання транзистора tф2.

Для стадії розсмоктування формується зміна струму іk(t) за експоненційним законом (точки А, В, С рисунок 2.2) при цьому діє стрибок базового струму ІБ1 + ІБ2, відповідно

.

Для інтервалу tроз

або

, (2.11)

де .

Тривалість tроз визначає затримку в вимиканні транзисторного ключа. Вона зменшується при збільшенні запираючого струму Iб2 та зменшенні коефіцієнта насичення S.

В момент закінчення стадії розсмоктування (t=t4) транзистор входить в активну область і починається процес його закривання. Колекторний струм спадає за експоненційним законом зі сталою часу tb від початкового значення IКH.

Має місце співвідношення

або

(2.12)

Колекторна напруга змінюється від UKH до UВХ-IK0RК. На тривалість стадій tф1 та tф2 впливає бар’єрна ємність колекторного переходу СК та ємність навантаження СН. Для врахування їхнього впливу в формулах (2.10) та (2.12) необхідно замінити tb на t’b:

t’b=tb+RKCå , де Cå =h21CK+CH.

Наведені співвідношення дозволяють вибрати режим та параметри єлєментів схеми ключа








© 2023 :: MyLektsii.ru :: Мои Лекции
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав.
Копирование текстов разрешено только с указанием индексируемой ссылки на источник.