Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Механізм утворення p-n переходу.
В основі більшості напівпровідникових діодів і транзисторів лежить контакт двох напів-провідників з різним типом електропро-відності. Такий контакт називають електронно-дірковим переходом або p-n переходом. Він може бути отриманий, наприклад, шляхом дифузії донорної домішки в напівпровідник p-типу. Ідеалізована одномірна структура p-n переходу зображена на рис. а). Для простоти будемо вважати, що концентрація легуючої домішки в областях n і p типу розподілена рівномірно, причому концентрація донорної домішки ND в n-напівпровіднику значно більше, ніж концентрація акцепторної домішки NA в p-напівпровіднику (ND> > NA). Область із більшою концентрацією домішки назвається емітером, а область із меншою концентрацією домішки - базою. Це припущення дозволяє вважати, що повний струм через p-n перехід визначається переважно складовою струму із емітера в базу (в даному випадку - електрон-ною складовою, а діркова складова струму через p-n перехід мала і нею можна знехтувати): Прослушать i = in + ip» in. Розподіл концентрації електронів уздовж осі x показано на рис. б). Так як концентрація електронів в n-напівпровіднику nn (основні носії заряду) значно перевищує концентрацію електронів в p-напівпровіднику np (неосновні носії заряду), то в площині контакту виникає дифузія електронів з n-області у p-область. Аналогічні міркування приводять до дифузії дірок з p-області у n-область. Таким чином через p-n перехід протікають дифузійні потоки основних носіїв заряду (ПОНЗ).
|