Крестьянская война под предводительством Е. И. Пугачёва 10 Страница

Охлаждение в К. достигается различными методами. Криостат, к-рый обычно служит оболочкой прибора, часто соединяют с криогенной установкой. Для охлаждения используются также Джоуля - Томсона эффект, Пелътъе эффект, Эттингсгаузена эффект, магнитное охлаждение и др. В приборах для космич. исследований охлаждение и поддержание низких темп-р достигается за счёт использования отвердевших газов (1 кг твёрдого азота может находиться в космосе до 1 года).

Иногда неск. приборов помещают в общий криостат, к-рый может выполнять также определённые функции, напр. служить антенной. Т. о. осуществляют интеграцию. Развитие К. особенно интегральной, приводит к увеличению надёжности приборов, уменьшению их габаритов, веса и расширяет области их применения (рис. 7).

Лит.: Б р э м е р Д ж., Сверхпроводящие устройства, пер. с англ., М., 1964; Крайзмер Л. П., Устройства хранения дискретной информации, 2 изд., Л., 1969; Алфеев В. Н., Радиотехника низких температур, М., 1966; его же, Криогенная электроника, " Известия ВУЗОВ. Радиоэлектроника", 1970, т. 13, в. 10, с. 1163 - 1175; Электронная техника. Серия 15, Криогенная электроника, в. 1, М., 1969, с. 3; Малков М., Данилов И., Криогеника, М., 1970; Уильяме Д ж., Сверхпроводимость и ее применение в 'технике, перевод с английского, М., 1973.

В. Н. Алфеев.

КРИП (англ. creep), малоупотребительный синоним ползучести.

КРИППС (Cripps) Ричард Стаффорд (24.4.1889, Лондон, - 21.4.1952, Цюрих), английский гос. деятель, лейборист. По профессии адвокат. В 1931-50 чл. палаты общин. В 30-е гг. был одним из лидеров левого крыла Лейбористской партии; в 1934-35 чл. исполкома партии. В предвоен. годы К. был сторонником отпора фаш. агрессии и укрепления коллективной безопасности с участием СССР. Выступал за единый фронт всех левых орг-ций, включая компартию, за что в янв. 1939 был исключён из Лейбористской партии. С приходом к власти правительства У. Черчилля К. был назначен послом в СССР (занимал этот пост в мае 1940 - янв. 1942). От имени Великобритании подписал в июле 1941 соглашение с СССР о совместных действиях в войне против фаш. Германии. В марте 1942 возглавлял спец. англ. миссию в Индию (см. Криппса миссия). Был лидером палаты общин (1942), затем мин. авиац. пром-сти в пр-ве Черчилля (1942-45). В марте 1945 был восстановлен в Лейбористской партии. Занимал посты министра торговли (1945-47), министра экономики (1947), министра финансов (1947-50) в лейбористском правительстве К. Эттли.

КРИППСА МИССИЯ, миссия английского пр-ва в Индию в марте 1942, во время 2-й мировой войны 1939-45, возглавленная Р. С. Криппсом. Цель К. м.- укрепить позиции Великобритании в Индии путём уступок инд. нац. движению. К. м. вела переговоры с лидерами инд. поли-тич. партий на основании следующей декларации англ. пр-ва: Великобритания обязуется сразу после окончания войны предоставить Индии права доминиона; для выработки новой конституции будет создан орган, куда войдут представители как Брит. провинций, так и княжеств; провинции и княжества, к-рые не пожелают войти в Индийский Союз, могут либо сохранить прежние отношения с Великобританией, либо образовать отд. доминионы. В связи с тем, что руководство крупнейшей партии Индии - Национального конгресса - отвергло эти предложения (ибо они не предполагали создания индийского нац. пр-ва до окончания войны), переговоры Криппса окончились провалом.

КРИПТА (от греч. krypte - крытый подземный ход, тайник), 1) в Др. Риме - любое сводчатое подземное или полуподземное помещение. 2) В ср.-век. западно-европ. архитектуре - часовня под храмом (обычно под алтарной частью), использовавшаяся как место для почётных погребений. К. были широко распространены в архитектуре раннего средневековья.

Крипта Сен-Лоран в Гренобле. Конец 8 в.

КРИПТИИ (греч. krypteia), в Спарте (Др. Греция) проводившиеся периодически гос-вом карат. экспедиции против илотов; осуществлялись силами гл. обр. спартанской молодёжи. Цель К. - держать в постоянном страхе илотов, уничтожая наиболее активную часть их. К. придавалось большое значение с точки зрения воен. воспитания и тренировки спартиатов. К. назывались также сами

отряды спартанской молодёжи, несущие в течение двух лет полицейскую службу.

Лит.: Бергер А. К., Социальные движения в древней Спарте, М., 1936; Lеаnmaiге Н., La cryptie Lacedemonienne, " Revue des etudes greques", 1913, v. 26, № 117, p. 121-50.

КРИПТИЧЕСКАЯ ОКРАСКА (от греч. kryptos - скрытый), сходство нек-рых животных по цвету и рисунку с фоном, делающее их незаметными для врагов или для жертв. См. Покровительственная окраска и форма.

КРИПТО... (от греч. kryptos - тайный, скрытый), составная часть сложных слов, соответствующая по значению основе " тайно..." или означающая что-либо скрытое, тайное (напр., криптофиты).

КРИПТОГАМЫ (от крипто... и греч. gamos - брак), растения, не имеющие цветков (напр., папоротники, хвощи, мхи, грибы); то же, что тайнобрачные растения.

КРИПТОГРАФИЯ (от крипто... и ...графин), тайнопись, специальная система изменения обычного письма, используемая с целью сделать текст понятным лишь для ограниченного числа лиц, знающих эту систему. Различные способы К. применялись для зашифровки военных, дипломатич., торгово-финанс., нелегально-политич., религиозно-еретич. текстов; служат для игры в разгадывание (детская К., ребусы и т. п.). К. известна с древнейших времён на Др. Востоке, в Др. Греции и Риме, в рус. памятниках- с 12-13 вв. В слав, рукописях, кроме основных функций, употреблялась для отделения культового текста от приписок, указаний чтецу и т. д., в заговорах - как магическое средство. Известны следующие осн. способы К.: 1) употребление иного алфавита (напр., в рус. памятниках глаголица, греч., лат.); 2) изменение знаков (напр., приписывание дополнит. чёрточек, недописывание букв, т. н. полусловица); 3) условные знаки или цифры; 4) замена одних букв другими по их месту в алфавите (напр., т. н. литорея) или их числовому значению; 5) запись текста в виде нек-рой фигуры, иногда вкрапленной в др. текст (напр., акростих); 6) написание слов в обратном порядке. Надпись или документ, сделанные криптографическим способом, наз. криптограммой.

Лит.: Сперанский М. Н., Тайнопись в югославянских и русских памятниках письма, Л., 1929. В.М.Живов.

КРИПТОДЕПРЕССИЯ (от крипто... и депрессия), затопленное понижение земной поверхности, дно к-рого хотя бы частично опускается ниже уровня моря, а водная поверхность лежит выше этого уровня (напр., оз. Байкал, Ладожское оз.).

КРИПТОЗОЙСКИЙ ЭОН (от крипто... и греч. zoe - жизнь, образ жизни), то же, что докембрий. Термин предложен амер. геологом Дж. Чедвиком (1930) для крупнейшего подразделения геохронологич. шкалы, во время к-рого сформировались докембрийские толщи пород, лишённые явных остатков скелетной фауны. Противопоставляется фанерозоискому зону, где эти остатки встречаются в массовом количестве.

КРИПТОКОККОЗ, европейский б л а с т о м и к о з, глубокое системное грибковое заболевание человека и животных. К. вызывается грибом крипто-кокком (Cryptococcus neoformans) из

группы дрожжеподобных. К.- редкое, тяжёлое заболевание, встречается во всех странах. Источники инфекции для человека и пути распространения болезнетворного начала неизвестны.

К. человека характеризуется преимущественным поражением лёгких, центр. нервной системы, а также кожи и подкожной клетчатки с последующими метастазами во внутр. органы. Распознавание К. сложно; лабораторная диагностика К. состоит в выделении возбудителя. Лечение: медикаментозное (амфо-терицин Б) в сочетании с антикриптокок-ковой кроличьей сывороткой или гамма-глобулином.

К. животных распространён в США, Дании, Италии, Франции, Нидерландах; зарегистрирован в Швейцарии, СССР. Болеют кр. рог. скот, кошки, собаки, обезьяны. В организм животных возбудитель проникает через дыхат. пути и пищеварительный тракт. У кр. рог. скота наблюдается перемежающаяся лихорадка, опухание и болезненность вымени, резкое снижение удоя, при метастазах в лёгкие - пневмония. У собак и кошек поражаются лёгкие, центр. нервная система. У больных животных наблюдается расстройство координации движений, затруднённое дыхание, кашель, иногда слепота. Лечение не разработано. Для профилактики К. решающее значение имеют общие зоогигиенич. и сан. мероприятия.

Лит.: Спесивцева Н. К., Микозы и микотоксикозы, 2 изд., М., 1964.

КРИПТОЛЕМУС (Cryptolaemus montrouzieri), жук сем. божьих коровок. Дл. тела 3-4 мм; голова, переднеспинка и вершины надкрылий красно-жёлтые, остальное тело чёрное. Естественный истребитель червецов - вредителей мн. культурных растений. Родина - Австралия; ввезён в ряд стран. В СССР (в Абхазию) завезён в 1933 для борьбы с опаснейшим вредителем мандаринов - цитрусовым мучнистым червецом; позднее - для борьбы с др. видами червецов. Самки К. откладывают до 300 яиц в яйцекладки червеца; вышедшие личинки поедают яйца червеца; взрослые личинки и жуки питаются червецами и их личинками. В Абхазии даёт 3 поколения в год. К. плохо переносит темп-ру ниже 0°, поэтому на Кавказе его размножают зимой в лабораториях и выпускают жуков в сады и на плантации во время появления яйцекладок 1-го поколения червецов. Использовать можно лишь в условиях влажного климата.

КРИПТОМЕРИЯ (Cryptomeria japoniса), вечнозелёное хвойное дерево сем. таксодиевых. Стройный ствол выс. ок. 50 м с узкой густой кроной. Кора коричневато-красная волокнистая. Листья спирально расположенные, светло-зелёные, линейно-шиловидные, искривлённые у основания. Семенные шишки почти шаровидные, диаметр ок. 2 см, коричневатые, одиночные, созревают в 1-й год и остаются на дереве после рассеивания семян. Родина - Япония и Китай, где в горах образует чистые насаждения. К. выращивают в садах и парках, в СССР - на Черноморском побережье Кавказа и в Крыму. Древесина мягкая, лёгкая, устойчива к гниению, иногда с красивым рисунком, легко поддаётся обработке.

Лит.: Деревья и кустарники СССР, т.1, М. - Л., 1949; D а 1 1 i m о г е W., Jackson А. В., A handbook of Coniferae including Ginkgoaceae, [4 ed.], L., 1966.

КРИПТОН (лат. Kryptonum), Кг, хим. элемент VIII группы периодич. системы Менделеева, относится к инертным газам, ат. н. 36, ат. м. 83, 80. На Земле присутствует гл. обр. в атмосфере. Атмосферный К. состоит из смеси 6 стабильных изотопов, среди к-рых преобладает ⁸⁴Кг (56, 90%). Открыт в 1898 У. Рамэаем и М. Траверсом при спектроскопия, изучении труднолетучих фракций жидкого воздуха; назван К. (от греч. kryptos - скрытый). При нормальных условиях 1 м³ воздуха содержит около 1 см³ К. К.- одноатомный газ без цвета и запаха; плотность при О ^оС и 100 кн/м² (760 мм рт. ст.) 3, 745 г/л, t_пл -157, 1 ^оС, t_кип-153, 2 ^оС. В твёрдом состоянии К. обладает кубич. решёткой с параметром а = 5, 706А (-184 °С). После синтеза в 1961 фторида ксенона было установлено, что и К. способен вступать в хим. реакции. В частности, при взаимодействии К. и фтора (напр., в электрич. разряде) можно получить фториды KrF₂ или KrF₄, устойчивые только при пониженной темп-ре. Действием раствора Ва(ОН)₂ на KrF₄ получен криптонат бария ВаКrО₄. Как и другие инертные газы, К. образует соединения включения: Кг*6Н₂О, Кг*ЗС₆Н₅ОН и др.

Получают К. при разделении воздуха. Применяют гл. обр. в электровакуумной технике. Криптоновые лампы накаливания служат дольше обычных (с атмосферой азота или аргона), т. к. тяжёлые атомы К. в большей степени препятствуют испарению атомов вольфрама с поверхности раскалённой нити. Электрич. разряд в трубках с разрежённым К. сопровождается белым свечением.

С. С. Бердоносов.

КРИПТОНОВАЯ ЛАМПА НАКАЛИВАНИЯ, лампа накаливания электрическая, колба к-рой наполнена инертным газом криптоном. Благодаря большей атомной массе криптона, чем у обычно применяемой газовой смеси (85% аргона и 15% азота), скорость распыления вольфрамовой нити тела накала К. л. н. при такой же темп-ре меньше. Возможность повышения темп-ры тела накала позволяет увеличить световую отдачу К. л. н. общего назначения при той же ср. продолжительности горения на 15-20% по сравнению с обычными лампами той же мощности, а также уменьшить объём колбы. Уменьшение же объёма колбы лампы сокращает расход криптона и повышает давление в лампе, что также способствует дальнейшему снижению скорости испарения вольфрамовой нити. С целью уменьшения тепловых потерь через газ тело накала К. л. н. выполняется в виде биспирали. Наполнение криптоном применяется и для др. ламп накаливания (напр., рудничных и автомобильных), к-рым необходима возможно большая световая отдача при миним. размерах. В. М. Скобелев.

КРИПТОРХИЗМ (от крипто... и греч. orchis - яичко), аномалия развития человека и нек-рых животных (лошади, собаки и др.), при к-рой яичко при внутриутробном развитии плода не опустилось до своего нормального положения на дно мошонки. Образование сперматозоидов в неспустившемся яичке может быть понижено либо отсутствовать. У человека односторонний К. обычно обусловлен внутрибрюшными сращениями, укорочением семявыносящих протоков, недоразвитием внутр. семенной артерии, узостью пахового канала и т. д. Двусторонний К. обычно связывают с нарушениями гормонального баланса, недостаточностью гонадотропных гормонов и наследственно-биологич. факторами. В зависимости от задержки яичка в полости живота или в паховом канале различают брюшной и паховый К. В ряде случаев к 10-12 годам яичко опускается в мошонку, поэтому у взрослых мужчин К. наблюдается всего в 0, 3% случаев, а у детей и подростков (к периоду полового созревания) - в 2-3%.

Лечение: в детском возрасте - гормонотерапия, способствующая ускорению развития яичка (гонадотропный гормон гипофиза, андрогены); при безрезультатности - хирургическое. В. Г. Цомык.

КРИПТОСТОМАТЫ (Cryptostomata), отряд ископаемых мшанок. Колонии К. небольших размеров (до 15 см), преим. сетчатой формы, реже ветвистой, пластинчатой. Известковый скелет пронизан системой капилляров. 3 подотряда включают 10 семейств (ок. 150 родов); были широко распространены в палеозое от ордовика до начала триаса; обитали в морях. Принимали участие в образовании рифов. Имеют важное стратиграфия, значение.

Лит.: Основы палеонтологии. Мшанки, брахиоподы, М., 1960; А с т р о в а Г. Г., Морфология, история развития и система ордовикских и силурийских мшанок, М., 1965; Морозова И, П., Мшанки поздней перми, М.. 1970.

КРИПТОФИТЫ (от крипто... и греч. phyton - растение), многолетние травянистые растения, у к-рых почки возобновления закладываются на корневищах, клубнях, луковицах и находятся под землёй (геофиты, напр. тюльпан) или под водой (гидрофиты). См. Жизненная форма.

КРИПЯКЕВИЧ Иван Петрович [25.6 (7.7).1886, Львов, -21.4.1967, там же], советский историк, акад. АН УССР (1958), засл. деят. науки УССР (1961). В 1908 окончил Львовский ун-т. С 1911 чл. историко-филос. секции Науч. товарищества им. Т. Г. Шевченко. После воссоединения Зап. Украины с УССР (1939) К.- проф. и зав. кафедрой истории Львовского ун-та. С 1951 зав. отделом истории Украины Ин-та обществ. наук АН УССР во Львове, с 1953 директор этого ин-та. К.- автор мн. работ по истории Украины периода феодализма. Его работы до 40-х гг. носят отпечаток влияния концепций школы М.С. Грушевского. В сов. время К. опубликовал ряд исследований, гл. обр. по истории народно-освободит. войны 1648-54.

Соч.: Богдан Хмельницький, К., 1954; Звязки Захiдноi Украiни з Pocieю до сер. XVII ст.. К., 1953.

КРИС (малайск. kris), холодное оружие мн. народов Малайзии и Индонезии - стальной кинжал с пламевидным или змеевидным изгибами лезвия и богато украшенной рукояткой из дерева, кости, рога. В прошлом К. был обязат. принадлежностью мужского костюма. В годы колон. господства право носить его сохранили лишь представители аристократии и деревенской администрации. Ныне К. хранят в семьях как фамильную ценность.

КРИСПИ (Crispi) Франческо (4.10.1818, Рибера, Сицилия, -11.8.1901, Неаполь), итальянский гос. деятель, адвокат. В период Рисорджименто - участник Революции 1848-49, сподвижник Дж. Гарибальди по экспедиции " Тысяча". После объединения Италии стал рьяным поборником монархии. В 80-х гг.- один из лидеров т. н. Левой-парламентской группировки итал. буржуазии. Будучи в 1887- 1891 и 1893-96 премьер-министром, К. в области внутр. политики проводил жёсткий антидемократич. курс (реакц. закон об обществ. безопасности 1889, кровавая расправа с восставшими крестьянами в Сицилии и рабочими в Масса-Карраре в 1893-94, запрещение социа-листич. партии в 1894-95 и т. д.). Внеш. политика К. характеризуется укреплением связей Италии с др. членами Тройственного союза 1882 и экспансией в Африке, где было начато создание колоний в Сомали (1889) и Эритрее (1890); однако провал попытки захватов в Эфиопии (1896) и политики " железного кулака" внутри страны вынудили К. уйти с поли-тич. арены. B.C. Бондарчук.

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химич. реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в атмосферных и почвенных явлениях. К. лежит в основе металлургии, получения полупроводниковых, оптических, пьезоэлектрических и др. материалов, плёнок для микроэлектроники, металлических покрытий, широко используется в химич., пищ., мед. пром-сти (очистка веществ, произ-во удобрений, соли, сахара, химикалиев, лекарств).

Условия К. Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растёт, то он находится в термодинамич. равновесии сматочной средой (расплавом, раствором или паром). Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при темп-ре плавления Т_пл, а равновесие с раствором и паром - если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды- необходимое условие для роста погружённого в неё кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия.

К.- фазовый переход вещества из состояния переохлаждённой (пересыщенной) маточной среды в кристаллич. соединение с меньшей энергией. Избыточная энергия выделяется при К. в виде скрытой теплоты К. Часть этой теплоты может превращаться в механич. работу; напр., растущий кристалл может поднимать положенный на него груз, развивая кристаллизационное давление порядка десятков кГ/см². В частности, кристаллы солей, образующиеся в порах бетонных плотин в морской воде, могут вызывать разрушение бетона.

Выделение скрытой теплоты К. ведёт к нагреванию расплава, уменьшению переохлаждения и замедлению К., которая заканчивается исчерпанием вещества или достижением равновесных значений темп-ры, концентрации и давления.

Зародыши К. Переохлаждённая среда может долго сохранять, не кристаллизуясь, неустойчивое метастабильное состояние (напр., мелкие, диаметром 0, 1 мм капли хорошо очищенных металлов можно переохладить до темп-ры ~0, 8 Т_пл). Однако при достижении нек-рого предельного для данных условий критического переохлаждения в жидкости или паре почти мгновенно возникает множество мелких кристалликов (зароды-ш е и). Происходит спонтанная К. Возникшие кристаллики растут и, т. к. переохлаждение уменьшается, новые зародыши, как правило, больше не возникают. Критич. переохлаждение зависит от темп-ры, концентрации, состава среды, её объёма, от присутствия посторонних частиц (напр., пылинок, на к-рых образуются зародыши, кристалликов др. веществ и т. п.), от материала и состояния поверхности стенок сосуда, от интенсивности перемешивания, действия излучений и ультразвука.

При зарождении атомы или молекулы кристаллизующегося вещества объединяются в кристаллич. агрегаты. Объединение частиц в агрегат уменьшает свободную энергию системы, а появление новой поверхности - увеличивает. Чем меньше агрегат, тем большая доля его частиц лежит на поверхности, тем больше роль поверхностной энергии. Поэтому с увеличением размера rагрегата работа А, требующаяся для его образования, вначале увеличивается, а затем падает (рис. 1). Агрегат, для к-рого работа образования максимальна, наз. критическим зародышем (г_кр). Чем меньше работа образования зародыша, тем вероятнее его появление. С этим связано преимущественное зарождение на посторонних частицах (в особенности заряженных), на поверхностях твёрдых тел и на их дефектах. Такое зарождение паз. гетерогенным. При К. на поверхности твёрдого тела зарождение происходит преим. на неоднородностях поверхности. При этом кристаллики " декорируют" дефекты и неоднородности. Гомогенное зарождение в объёме чистой жидкости возможно лишь при очень глубоких переохлаждениях. С понижением темп-ры и с ростом переохлаждения уменьшается работа образования зародыша, но одновременно падает и вязкость жидкости, а с нею и частота присоединения новых частиц к кристаллич. агрегатам. Поэтому зависимость скорости зарождения от темп-ры имеет максимум (рис. 2). При низких темп-рах подвижность частиц жидкости столь Мала, что расплав твердеет, оставаясь аморфным, - возникает стекло.

Выращивание крупных совершенных монокристаллов часто ведут из метаста-бильных растворов и расплавов, вводя в них небольшие затравочные кристаллы и избегая самопроизвольного зарождения. Наоборот, в металлургич. процессах стремятся иметь макс. число зародышей.

Эпитаксия. Кристаллы, возникающие на поверхностях др. кристаллов, ориентированы относительно них закономерно. Напр., при К. Аu (из атомарного пучка) на поверхности кристалла NaCl кристаллики Аи ориентированы параллельно грани NaCl либо гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания наз. зпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если темп-pa подложки выше нек-рой критической (если темп-pa ниже, то кристаллики ориентированы хаотично) и сильно зависит от чистоты и дефектности подложки, состава окружающей среды, а также от предварит. облучения подложки электронами или рентгеновскими лучами. Подложка ориентирует кристаллики даже через тонкие (~ 1000А) плёнки угля, поливинилхлорида, окиси цинка, селена, если последние нанесены не в сверхвысоком вакууме.

Эпитаксия используется для получения монокристаллич. плёнок, применяемых, в частности, в микроэлектронике. При этом на монокристальной подложке образуются отдельные, одинаково ориентированные кристаллики, к-рые затем срастаются в сплошную плёнку. Чистота и совершенство подложки сильно влияют на качество плёнки и её структуру. Дефекты плёнки возникают на примесях, а также в местах срастания отд. кристалликов.

Рост кристаллов. Из слабо переохлаждённых паров, растворов и реже расплавов кристаллы растут в форме многогранников. Их наиболее развитые грани обычно имеют простые кристаллографич. индексы (см. Миллеровские индексы), напр. для алмаза это грани куба и октаэдра. Взаимная ориентация граней, как правило, такова, что размер каждой из них тем больше, чем меньше её скорость

Рис. 3. Пластинчатый кристалл паратолу-идина в поляризованном свете; каждая линия - ступень на поверхности кристалла. По разные стороны от ступени толщина кристалла, а следовательно, и интенсивность прошедшего света и окраска (в скрещённых николях) различны.

роста. Т. к. скорость роста увеличивается с переохлаждением по-разному для разных граней, то с изменением переохлаждения меняется и облик (габитус) кристалла. Рост простых кристаллографич. граней идёт послойно, так что края незавершённых слоев - ступени - движутся при росте вдоль грани. Высота ступени, т. е. толщина откладывающегося слоя, колеблется от долей мм до неск. А. На тонких двупреломляющих кристаллич. пластинках ступени наблюдаются в поляризованном свете как границы областей различной окраски (рис. 3). Тонкие ступени наблюдают методом де-корирования, а высокие ступени - непосредственно, с помощью оптического или электронного микроскопов. Тонкие ступени движутся при росте быстрее толстых, догоняют их и сливаются с ними. В свою очередь, высокие ступени расщепляются на более низкие. Формирующаяся т. о. ступенчатая структура поверхности сильно зависит от условий роста (темп-ры, пересыщения, состава среды) и влияет на совершенство формы кристалла. Напр., появление на кристаллах сахарозы высоких ступеней ведёт к захвату капелек маточного раствора и растрескиванию кристаллов.

Если кристалл содержит винтовую дислокацию, то его атомные слои подобны этажам гаража с винтовым выездом в середине. Надстройка такого кристалла происходит присоединением атомов к торцу последней ступени (рис. 4, а). В результате кристаллический слой растёт, непрерывно накручиваясь сам на себя, надстраивая дислокацию, а ступень в процессе роста принимает форму спирали (рис. 4, б, в). Дислокация обеспечивает при малых переохлаждениях квадратичную зависимость скорости роста грани от переохлаждения (пересыщения), т. е. заметную скорость роста уже при малых отклонениях от равновесия.

В случае бездислокационного кристалла отложению каждого нового слоя должно предшествовать его зарождение. При малых пересыщениях новые слои зарождаются лишь около дефектов поверхности, а при больших отклонениях от равновесия и на совершенных кристаллах зарождение слоев возможно в любых точках поверхности. При больших отклонениях от равновесия как зародышевый, так и дислокационный механизмы создают высокую плотность ступеней, а скорость роста увеличивается с переохлаждением линейно.

Ступени, расходящиеся по грани от уколов, царапин, а при больших пере-сыщениях от вершин кристалла, образуют холмики роста. Поверхность растущей грани целиком состоит из них. Склоны холмиков отклонены от грани на углы порядка неск. градусов, причём тем меньше, чем меньше пересыщение.

Из расплава кристаллы (напр., для большинства металлов) часто растут не огранёнными, а округлыми. Округлые поверхности растут не послойно (тангенциально), а нормально, когда присоединение новых частиц к кристаллу происходит практически в любой точке его поверхности.

Поверхности кристаллов, растущих послойно, являются атомно гладкими. Это означает, что осн. масса возможных атомных положений в слое занята (рис. 5). Поверхности, растущие нормально, в атомном масштабе являются шероховатыми. В них количество вакансии и атомов, адсорбированных на поверхности и занимающих отд. места, подлежащие заполнению в след. слое, соизмеримо с полным числом возможных атомных положений (рис. 6). Лтомно шероховатые поверхности, а часто и торцы ступеней на атомно гладких поверхностях содержат множество изломов. На изломах атомы могут переходить в кри-сталлич. фазу поодиночке, не объединяясь в агрегаты и потому не преодолевая связанных с этой коллективностью потенциальных барьеров. Поэтому рост шероховатой поверхности и ступеней обусловлен гл. обр. присоединением отд. частиц к изломам. В результате скорости роста шероховатых поверхностей почти одинаковы во всех направлениях и форма растущего кристалла - округлая, а атомно гладкие поверхности растут послойно. Заполнение каждого нового атомного места в кристалле происходит не сразу, а после многочисл. " проб и ошибок" - присоединений и отрывов атомов или молекул. Характерное число попыток на одно " прочное", необратимое присоединение тем больше, чем меньше отклонение от равновесия. Вероятность появления дефектов при К. падает с ростом числа попыток, т. е. уменьшением пересыщения. Частицы кристаллизующегося вещества поступают к изломам из раствора за счёт диффузии, а при послойном росте из паров - также из адсорбционного слоя благодаря диффузии по поверхности. Скорость роста кристалла из растворов определяется степенью лёгкости отделения строительной частицы от молекул или ионов растворителя и пристройки их к изломам. Скорость роста из расплавов обусловлена лёгкостью изменения относительных положений соседних частиц жидкости, т. е. её вязкостью.

Формы роста кристаллов. Простейшая форма роста - многогранник, причём размеры граней сильно зависят от условий роста. Отсюда пластинчатые, игольчатые и др. формы кристаллов. При росте больших огранённых кристаллов из неподвижного раствора пересыщение выше у вершин и рёбер кристалла и меньше в центр. частях грани. Поэтому вершины становятся ведущими источниками слоев роста. Если пересыщение над центр. участками граней достаточно мало, то грань уже не может больше расти, и вершины обгоняют центры граней. В результате возникают скелетные формы кристаллов (рис. 7). Поэтому совершенные кристаллы выращивают из хорошо перемешиваемых растворов и расплавов.

Примесь, содержащаяся в маточной среде, входит в состав кристалла. Отношение концентрации примеси в кристалле и в среде наз. коэфф. распределения примеси. Захват примеси зависит от скорости роста. Разные грани захватывают при К. разные количества примесей. Поэтому кристалл оказывается как бы сложенным из пирамид, имеющих своими основаниями грани кристалла и сходящимися своими вершинами к его центру (рис. 8). Такой секториальный захват примеси вызван различным строением разных граней.