Гальваномагнитные преобразователи

Основаны на физических эффектах возникающих в находящихся магнитном поле твердых телах, при движении в них заряженных частиц.

Практическое применение получили полупроводниковые преобразователи основанные на использовании эффектов Холла и Гауосса.

Эффект Холла заключается в возникновении поперечной разности потенциалов на боковых гранях пластина из полупроводника.

Эффект Гауосса проявляется в изменение электросопротивления пластины.

Преобразователи Холла представляю собой четырехполюсник.

Токовые электроды 1 и 2 выполняются по всей ширине поперечных граней, а потенциальные (холловые) электроды 3 и 4 расположены в центральной части.

В магнитном поле носители заряда под действием сил Лоренца:

F = е * v * В

Изменяют свою траекторию в следствии чего на 1 из боковых граней концентрация зарядов первого знака увеличивается, в то время как на противоположной уменьшается. Возникающая при этом разность потенциалов (ЭДС Холла) определяется

Ехл = Rхл * φ (Кгеом, θ) * I * В * cosα /d

Rхл - постоянная Холла, зависящая, от свойств материала;

φ (Кгеом, Θ) - функция зависящая от геометрических преобразователей;

α - угол м/у индукцией В и магнитной осью преобразователя;

d - толщина преобразователя.

Выходная величина преобразователя пропорциональна произведению 2-х входных величин -I и магнитной индукцией В, т.е. он является множительным преобразователем.

К магниторезисторам основанных на эффекте Гаусса, относящиеся магниторезисторы, магнитодиоды, и полярные магнитотранзисторы.

В магнитотранзисторах под действием магнитного поля траектории, вследствие чего скорость их движения в направление эл. поля уменьшается и, следовательно сопротивление повышается.