Работа транзистора в импульсном режиме

В ряде областей техники, например, в радиолокации, телевидении, ЭВМ и других применяют устройства на транзисторах, работающих в импульсном режиме. Их действие значительно отличается от работы схем в непрерывном режиме.Во-первых, в них происходят резкие и кратковременные изменения напряжения или тока, а транзистор работает в нелинейных областях характеристик.Имея малое сопротивление во включенном состоянии и большое сопротивление в выключенном, транзистор достаточно полно удовлетворяет требованиям, предъявляемым к ключевым элементам.

Транзистор в качестве ключа можно рассмотреть на примере включения в схему с ОЭ. Когда нет импульса на входе, транзистор находится в режиме отсечки. В цепях коллектора и базы проходят обратные токи. При подаче во входную цепь импульса прямого тока транзистор открывается и в цепи коллектора возникает ток. Импульс выходного тока i к появляется с задержкой tз, которая определяется в основном скоростью нарастания напряжения эмиттерного перехода, зависящей от емкости перехода и прямого тока базы, т.е. скоростью разряда эмиттерного перехода. Коллекторный ток постепенно нарастает, достигая установившегося значения за время tн, определяемого скоростью накопления неравновесного заряда в базе и скоростью разряда ёмкости коллектора. Полное время включения транзистора состоит из времени задержки и нарастания: и может составлять величину от нескольких наносекунд до нескольких микросекунд. При подаче в цепь базы запирающего тока коллекторный ток прекращается не сразу. На протяжении времени рассасывания tр он сохраняет свою величину, т.к. концентрация носителей заряда в базе и у коллекторного перехода ещё остаётся равновесной и коллекторный переход оказывается открытым. После ухода дырок из базы и рекомбинации ток коллектора начинает спадать, достигая за время спада t с становившегося значения I к.эu. Время выключения транзистора будет определяться временем рассасывания и спада .