Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Исходные данные. Преподаватель: Разинкин В.П.Стр 1 из 2Следующая ⇒
Контрольная работа Вариант
Выполнил: Группа: Преподаватель: Разинкин В.П. Дата:
Новосибирск 2016
Задача №1 На несимметричный p-n -переход через резистор R подано в прямом направлении напряжение смещения E (рис. 1).
Исходные данные
1. Т1=300 К 1) Рассчитать ток насыщения I0 и контактную разность потенциалов Uk. k =1, 38 . 10-23 Дж/К – постоянная Больцмана q =1, 6 . 10-19 Кл – заряд электрона – температурный потенциал ni =1, 4 . 1010 см-3 – концентрация собственных носителей в кремнии Na = Nd . 103 Na =2, 2 . 1018 см-3 – концентрация акцепторов I0 =3, 379 . 10-15 А – ток насыщения 0, 798 В – контактная разность потенциалов
Рисунок1 2) Рассчитать и построить вольт-амперную характеристику p-n -перехода при изменении напряжения на нем в пределах . – вольт-амперная характеристика Вольт-амперная характеристика
3) На графике ВАХ построить нагрузочную прямую и определить положение рабочей точки (ток через переход Ip и напряжение Up).
Нагрузочная характеристики строится по двум точкам: при U =0 мА при I =0 UH = E UH =0.85 В точка пересечения нагрузочной характеристики с ВАХ диода – рабочая точка: Uр =0, 2 В Ip =12.87 мА
4) Рассчитать статическое R0 и дифференциальное Ri сопротивление, а также диффузионную емкость Сэ диф в рабочей точке. Сопротивление по постоянному току равно отношению постоянного напряжения, приложенного к диоду и тока протекающего через него численно равному котангенсу угла наклона прямой соединяющей рабочую точку с началом координат: 15, 54 Ом Дифференциальное сопротивление определяет изменение тока через диод при изменении напряжения вблизи некоторого значения U, заданного рабочей точкой числено равно котангенсу угла наклона касательной к характеристике в рабочей точке: 2, 01 Ом 3, 675 . 10-7 с – время жизни носителей заряда 1, 828 . 10-7 Ф
5) Определить заряд дырок Qp, накопленный в базовой n- области, соответствующий току Ip в рабочей точке. ε =8, 85 . 10-12 Ф/м – электрическая постоянная 4, 012 . 10-8 м – ширина запирающего слоя 5, 649 . 10-16 Кл
6) Вычислить мощность Р, рассеиваемую на p-n -переходе. 2, 574 . 10-3 Вт
2. Т2=330 К 1) Рассчитать ток насыщения I0 и контактную разность потенциалов Uk.
∆ W =1, 12 эВ – ширина запрещенной зоны 9, 659 . 1010 I0 =1, 609 . 10-13 А – ток насыщения 0, 768 В – контактная разность потенциалов
2) Рассчитать и построить вольт-амперную характеристику p-n -перехода при изменении напряжения на нем в пределах . – вольт-амперная характеристика
Вольт-амперная характеристика
3) На графике ВАХ построить нагрузочную прямую и определить положение рабочей точки (ток через переход Ip и напряжение Up).
Нагрузочная характеристики строится по двум точкам: при U =0 мА при I =0 UH = E UH =0.85 В точка пересечения нагрузочной характеристики с ВАХ диода – рабочая точка: Uр =0, 23 В Ip =11, 3 мА
4) Рассчитать статическое R0 и дифференциальное Ri сопротивление, а также диффузионную емкость Сэ диф в рабочей точке. Сопротивление по постоянному току равно отношению постоянного напряжения, приложенного к диоду и тока протекающего через него численно равному котангенсу угла наклона прямой соединяющей рабочую точку с началом координат: 20, 35 Ом Дифференциальное сопротивление определяет изменение тока через диод при изменении напряжения вблизи некоторого значения U, заданного рабочей точкой числено равно котангенсу угла наклона касательной к характеристике в рабочей точке: 2, 519 Ом 3, 675 . 10-7 с – время жизни носителей заряда 1, 459 . 10-7 Ф
5) Определить заряд дырок Qp, накопленный в базовой n- области, соответствующий току Ip в рабочей точке. ε =8, 85 . 10-12 Ф/м – электрическая постоянная 3, 861 . 10-8 м – ширина запирающего слоя 5, 436 . 10-16 Кл 6) Вычислить мощность Р, рассеиваемую на p-n -переходе. 2, 599 . 10-3 Вт
|