Главная страница Случайная страница
Разделы сайта
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
Средства измерений и их характеристики.
|
|
Расчетная формула для измеряемой величины.
где k = 0.862*10-4 эВ/К - постоянная Больцмана;
R1, R2 - сопротивления резистора при температурах T1 и T2.
Средства измерений и их характеристики.
| Наименование средства измерения | Предел измерений | Цена деления шкалы | Предел основной погрешности |
| Измеритель температуры АРРА207 | 1000С | 0, 10С | 0, 2 |
| Вольтметр | 0-20В | 0, 4В | |
| Микроамперметр | 20мкА | 0, 4мкА |
3. Задача 1. Снятие вольт-амперной характеристики полупроводникового резистора
3.1 Схема электрической цепи
ТР - исследуемый терморезистор;
V - вольтметр;
mA - миллиамперметр;
П - потенциометр.
Таблица 1 - Данные к построению вольт-амперной характеристики
| Напряжение U, В | ||||||||||
| Сила тока I, мА | 0, 12 | 2, 4 | 3, 6 | 4, 4 | 5, 6 | 6, 8 | 7, 4 | 8, 4 |
4. Задача 2. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводникового резистора и определение ширины запрещенной зоны в собственном полупроводнике
Т = t + 273, К
Таблица 2 - Зависимость сопротивления полупроводникового резистора от температуры
| t, °С | T, K | 1000/T, K-1 | R, кОм | lnR |
| 3, 378 | 1, 12 | 0, 113329 | ||
| 3, 344 | 0, 89 | -0, 116534 | ||
| 3, 311 | 0, 8 | -0, 223144 | ||
| 3, 278 | 0, 72 | -0, 328504 | ||
| 3, 246 | 0, 64 | -0, 446287 | ||
| 3, 215 | 0, 59 | -0, 527633 | ||
| 3, 184 | 0, 54 | -0, 616186 | ||
| 3, 154 | 0, 49 | -0, 71335 | ||
| 3, 125 | 0, 45 | -0, 7985 | ||
| 3, 095 | 0, 41 | -0, 8916 |
5. Расчет ширины запрещенной зоны в исследуемом полупроводнике по графику lnR = f(1/T), где k=0.862*10-4 эВ/К - постоянная Больцмана; lnR1, 1/T1 и lnR2, 1/R2 - координаты двух произвольных.
Зависимость логарифма сопротивления lnR полупроводника от обратной температуры 1/T
Eg = 
= 
=
= 
= 13200*10-4 = 1, 32 эВ
|
|