Системы параметров транзисторов. Y-параметры, формальная схема замещения.

Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства. С помощью параметров можно оценивать качество транзисторов, решать задачи, связанные с применением транзисторов в различных схемах, и рассчитывать эти схемы. Для транзисторов предложено несколько различных схем параметров, у каждой свои достоинства и недостатки. Все параметры делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы его включения, а вторичные параметры для различных схем включения различны. Y-параметры относятся ко вторичным параметрам. Они имеют смысл проводимостей. Для низких частот они являются чисто активными. Все системы вторичных параметров основаны на том, что транзистор рассматривается как четырехполюсник (2 входа и 2 выхода). Вторичные параметры связывают входные и выходные переменные токи и напряжения и справедливы только для малых амплитуд. Поэтому их называют низкочастотными малосигнальными параметрами.

Входная проводимость:

Выходная проводимость:

Параметр показывает, какое изменение тока получается за счет обратной связи при изменении выходного напряжения U1 на 1 В.

Достоинство y-параметров – их сходство с параметрами электронных ламп. Недостаток – очень трудно измерять и , так как нужно обеспечить режим КЗ для переменного тока на входе, а измеряющий микроамперметр имеет сопротивление, сравнимое с входным сопротивлением самого транзистора. Поэтому гораздо чаще используют смешанные (или гибридные) h-параметры, которые удобно измерять и которые приводят во всех справочниках.

Формальная схема замещения:

- входная и выходная проводимости.

- проводимости обратной и прямой передач.

Измерение y-параметров происходит в режиме короткого замыкания на входе (U₁ = 0) и выходе (U₂ = 0).