IV. Физические процессы в МДП транзисторах

A. Полупроводниковая электроника

I. Электрофизические свойства полупроводников.

1. Энергетическая диаграмма собственного полупроводника с распределением подвижных носителей заряда по энергиям.

2. Определение уровня Ферми, понятие вырожденного полупроводника.

3. Энергетические диаграммы примесных полупроводников n – и p – типов.

4. Составляющие тока в полупроводниках.

5. Определение коэффициента диффузии носителей и диффузионной длины.

6. Зависимость подвижности носителей от напряженности электрического поля в полупроводниках.

II. Физические процессы в p-n – переходах

7. Зависимость контактной разности потенциалов от параметров полупроводников.

8. Виды пробоя p-n – перехода.

9. Ёмкости p-n – перехода при его прямом и обратном смещении.

10. Вольтамперная характеристика p-n – перехода при туннельном эффекте.

11. Примеры полупроводниковых диодов (выпрямительные, импульсные, стабилитроны).

12. Структура лавинно-пролетного диода.

13. Определение частот колебаний в различных режимах работы генератора Ганна.

III. Физические процессы в биполярных транзисторах

14. Структура и распределение примесей в биполярном транзисторе.

15. Распределение токов в биполярном транзисторе.

16. Несимметричность структуры биполярного транзистора.

17. Различие дрейфового и бездрейфового транзисторов.

18. Эффект модуляции ширины базы в биполярном транзисторе.

19. Схемы включения биполярных транзисторов.

20. Режимы работы биполярного транзистора.

21. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора.

22. Основные физические параметры биполярных транзисторов.

23. Чем определяется быстродействие биполярных транзисторов.

24. Транзистор как линейный четырехполюсник.

25. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (общим эмиттером).

26. Какая схема включения биполярных транзисторов обладает большим входным сопротивлением (объяснить).

27. Какая схема включения биполярного транзистора нестабильна при изменении температуры.

28. Простейшая схема усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.

29. Схема электронного ключа на биполярном транзисторе (указать уровни логического нуля и единицы).

IV. Физические процессы в МДП транзисторах

30. Режимы МДП структуры для собственного и примесного полупроводников.

31. Зависимость емкости МДП структуры от напряжения.

32. Общая характеристика полевых транзисторов.

33. Объяснить принцип управления током в полевом транзисторе с управляющим p-n - переходом

34. Структура МДП транзистора с индуцированным n- каналом.

35. Сопоставление технологий изготовления биполярного и МДП транзисторов.

36. Статические характеристики МДП транзистора.

37. Эквивалентная схема МДП транзистора с каналом n - типа.

38. Схема усилителя на МДП транзисторе (графическая иллюстрация работы схемы в линейном режиме).