Главная страница Случайная страница Разделы сайта АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
ОБЛАДНАННЯ. 1. Джерело постійного струму до 1 В - 1 шт.
1. Джерело постійного струму до 1 В - 1 шт. 2. Вольтметр постійного струму на 8 В - 1 шт. 3. Міліамперметр постійного струмина 10 мА - 1 шт. 4. Біполярний транзистор типу КТ 801А - 1 шт. 5. Джерело постійного струму до 10 В - 1 шт. 6. Вольтметр постійного струму на 15 В - 1 шт. 7. Міліамперметр постійного струму на 300 мА - 1 шт. 8. Комплект з'єднувальних проводів - 1шт. Короткі теоретичні дані Біполярний транзистор – напівпровідниковий прилад, який складається із трьох областей з черегуючими типами електропро- відності, який придатний для підсилення потужності. У біполярних транзисторах струм визначається рухом носіїв зарядів двох типів: електронів та дірок. Біполярні транзистори прийнято підрозділяти на групи за діапазоном межових частот та максимальних потужностей, які розсіюються на колекторному переході та які визначають навантажувальну здатність транзистора: низькочастотні , середньочастотні , високочастотні , НВЧ , малої потужності , середньої потужності , великої потужності . Для виготовлення транзисторів використовують германій, кремній, арсенід галію та інші напівпровідникові матеріали. У біполярних транзисторів середній шар називають базою (Б); навантажувальний шар, який є джерелом носіїв зарядів (електронів чи дірок) – емітером (Е), другий зовнішній шар – колек- тором (К). Він приймає носії зарядів, які надходять від емітера. В залежності від того, який електрод є загальним для вхідного та вихідного кола, розрізнюють три схеми включення біполярних транзисторів; із загальною базою (ЗБ), із загальним емітером (ЗЕ), із загальним колектором (ЗК). У схемі із ЗБ підсилюючий каскад має малий вхідний опір (одиниці ома) та великий вихідний опір (сотні ком). Низь- кий вхідний опір каскаду є його значним недоліком, так як у багатокаскадних схемах цей опір виявляє шунтову дію на опір навантаження попереднього каскаду і різко знижує підсилення цього каскаду за напругою та потужністю. Схема а ЗБ застосовується при роботі на високоомне навантаження та за частотними і температурними властивостями значно краще схеми з ЗЕ. У схемі із ЗЕ (рис. 15) підсилюючий каскад має вхідний опір у сотні ом, а вихідний - порядку десятків ом. Для цієї схеми . Малі значення струму бази і великі значення струму колектора обумовлює широке використання схеми із ЗЕ. Коефіцієнт підсилення за напругою у схемі із ЗЕ показує, на скільки змінюється напруга між колектором та емітером при зміні напруги між базою і емітером та має приблизно таку ж величину, як і для схеми а ЗБ: . Коефіцієнт підсилення за струмом (коефіцієнт передачі струму бази) у схемі із ЗЕ показує, на скільки змінюється струм колектора при зміні струму бази : . Схема має значне підсилення як за напругою так і за струмом. Підсилення за потужністю схеми із ЗЕ:
Дана схема широко використовується як основна для універсальних підсилювачів, для пристроїв кадрової та стрічкової розгортки телевізійних приймачів та інше. У схемі із ЗК підсилюючий каскад має великий вхідний опір (десятки і сотні кілоом), а вихідний – малий (десятки і сотні ом). В цій схемі коефіцієнти підсилення дуже малі. Вона використовується при роботі на низькоомне навантаження від високоомного датчика та для узгодження опорів між окремими каскадами підсилювачів.
Вхідні (базові) характеристики біполярного транзистора у схемі із ЗЕ - залежність між струмами бази і напругами між базою - емітером у вхідному колі при постійних напругах між колектором та емітером: Вихідні (колекторні) характеристики біполярного транзистора у схемі з ЗЕ - залежність між струмами колектора від напруг між колектором та емітером при постійних струмах бази. Позначення літерно-цифрового коду транзисторів аналогічні напівпровідниковим діодам, крім слідуючих: другий елемент позначення - літерний - визначає клас приладу: транзистори біполярні – Т; транзистори польові – П; п'ятий елемент позначення - літери російського алфавіту від А до Я - визначає ділення технологічного типу на параметричні групи, наприклад, за зворотними напругами, коефіцієнту передачі струму та ін. Наприклад, позначенні досліджуваного транзистора типу КТ 801 А відповідає паспортним даним (параметрам): кремнієвий (К), біполярний (Т), великої потужності (максимальна потужність, яка розсіюється на колекторному переході, ), середньо - частотний, призначений для улаштувань кадрової і стрічкової розгортки телевізійних приймачів (8), розробка (01), із зворотнім струмом колектора 10 мА при , зворотнім струмом емітера 2 мА при 2, 5В, з коефіцієнтом передачі струму , з максимальним струмом колектора та з n-p-n типом переходу. Послідовність проведення роботи 1. Вивчіть будову, принцип дії, основні властивості та області застосування біполярних транзисторів. 2. Встановіть на блоці живлення перемикачі у положення „0...6, 3 В”, „0...30 В” і „-” 3. Зберіть схему дослідження біполярного транзистора із ЗЕ (рис. 15), підключіть її до затискачів блока живлення та пред’явіть викладачу для перевірки. 4. Змінюючи напругу від 0 до 1 В через 0, 1В виміряйте та запишіть у табл. 10 струми 0 та 6 В.
Рис. 15. Схема дослідження біполярного транзистора із загальним емітером Таблиця 10 Параметри вхідних характеристик біполярного транзистора
Таблиця 11 Параметри вихідних характеристик біполярного транзистора
5. Міняючи напругу від 0 до 10 В через 1 В виміряйте та запишіть у табл. 11 струми ІК при ІБ = 2 мА та ІБ = 4 мА. 6. На рис. 16 і 17. по крапкам побудуйте вхідні та вихідні ха-
0, 9 0, 8 0, 7 0, 6 0, 5 0, 4 0, 3 0, 2 0, 1 0 0, 1 0, 2 0, 3 0, 4 0, 5 0, 6 0, 7 0, 8 0, 9 1, 0
Рис. 16. Вхідні характеристики біполярного транзистора при - - - - - - - - та при ---------------
характеристики біполярного транзистора. 7. Визначте коефіцієнти підсилення досліджуваного біпо- лярного транзистора за напругою, струмом та потужністю:
; ;
КРЗЕ = КUЗЕ · КІЗЕ.
8. Проведіть аналіз вхідних і вихідних характеристик біполярного транзистора, запишіть у робочий зошит висновки та рекомендації. 9. Усно дайте повні відповіді на контрольні запитання. ІК, мА
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Рис. 17. Вихідні характеристики біполярного транзистора: при ІБ = 1 мА ---------- при ІБ = 2 мА ---------- Зміст звіту 1. Номер, назва та мета лабораторної роботи. 2. Схема дослідження (рис. 15). 3. Таблиці 10 і 11. 4. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора(рис. 16 і 17). 5. Коефіцієнти підсилення біполярного транзистора за напругою, струмом та потужністю.! 6. Висновки та рекомендації. Контрольні запитання 1. Поясніть устрій, принцип дії та особливості і назвіть області застосування біполярних транзисторів? 2. На які групи поділяються транзистори? 3. Які три схеми включення біполярних транзисторів розрізнюють в залежності від того, який електрод є загальним для вхідних та вихідних кіл?
4. Що таке вхідні та вихідні характеристики біполярних транзисторів? 5. Які бувають коефіцієнти підсилення? Бібліографічний список [З. С. 213...216; 6. С. 232...239; 7. С. 28...343].
|